晶圓 文章 最新資訊
我國科學(xué)家開發(fā)出人造藍(lán)寶石介質(zhì)晶圓，為低功耗芯片提供技術(shù)支撐
- 8 月 7 日消息，隨著電子設(shè)備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數(shù)量持續(xù)增加，尺寸日益縮小，同時也帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，尤其是在介質(zhì)材料方面。經(jīng)過多年研究攻關(guān)，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功研制出一種人造藍(lán)寶石作為絕緣介質(zhì)的晶圓，為開發(fā)低功耗芯片提供了重要的技術(shù)支撐。相關(guān)成果今日已發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。電子芯片中的介質(zhì)材料主要起到絕緣的作用，但當(dāng)傳統(tǒng)的介質(zhì)材料厚度減小到納米級別時，其絕緣性能會顯著下降，導(dǎo)致電流泄漏。
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英特爾陷入惡性循環(huán)，能否絕處逢生？
- 英特爾在2024年第二季度財報中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢，實(shí)現(xiàn)營收128.33億美元（低于市場預(yù)期的129.4億美元），同比下降1%；凈利潤為-16.54億美元（遠(yuǎn)不及市場預(yù)期的-5.4億美元），2023年同期凈利潤14.73億美元，同比轉(zhuǎn)虧；毛利率35.4%，遠(yuǎn)低于市場預(yù)期（42.1%），而上一季度的毛利率為41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC產(chǎn)品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本，以及其他非核心業(yè)務(wù)的費(fèi)用等因素是導(dǎo)致毛利率暴跌的主要原因，營收的微降和毛利
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強(qiáng)大的計算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據(jù)日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點(diǎn)引入
- 自比利時微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線圖看，其設(shè)想在A7節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線技術(shù)相輔相成，CFET有望將標(biāo)準(zhǔn)單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
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消息稱臺積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓
- IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日經(jīng)亞洲報道，臺積電在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統(tǒng)圓形晶圓，從而在每個晶圓上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在試驗(yàn)中，尺寸為 510 mm 乘 515 mm，可用面積是圓形晶圓的三倍多，采用矩形意味著邊緣剩余的未使用面積會更少。報道稱，這項(xiàng)研究仍然處于早期階段，在新形狀基板上的尖端芯片封裝中涂覆光刻膠是瓶頸之一，需要像臺積電這樣擁有深厚財力的芯片制造商來推動設(shè)備制造商改變設(shè)備設(shè)計。在芯片制造中，芯片封裝技術(shù)曾被認(rèn)為
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三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年
- 據(jù)外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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遍地開花，全球多座晶圓廠刷新進(jìn)度條！
- 5月23日，臺積電晶圓18B廠資深廠長黃遠(yuǎn)國在2024技術(shù)論壇上表示，由于3納米的產(chǎn)能擴(kuò)充仍無法滿足市場需求，臺積電計劃今年在全球范圍內(nèi)建設(shè)7座工廠。據(jù)悉，臺積電3納米先進(jìn)制程于2023年開始量產(chǎn)，其良率和同時期的N4制程一樣，且現(xiàn)階段產(chǎn)能也繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)中，但這依然無法滿足客戶需求。市場需求強(qiáng)勁 ，臺積電7座工廠在路上黃遠(yuǎn)國表示，因應(yīng)高效能運(yùn)算（HPC）及智能手機(jī)強(qiáng)勁需求，臺積電今年持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，將興建7座工廠，預(yù)計今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。作為全球最大的晶圓代工廠商，臺積電似乎從不吝嗇在
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個。In
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瞄準(zhǔn)AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初，中國臺灣地區(qū)發(fā)生近25年來的最大地震，引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注，特別是半導(dǎo)體行業(yè)，甚至有媒體發(fā)文稱：全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說呢？我們知道，全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺積電就位于臺灣省，其向世界各大半導(dǎo)體公司供貨，特別是蘋果、英偉達(dá)和高通等頭部公司，如果負(fù)責(zé)全球半導(dǎo)體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線出現(xiàn)問題，那么不排除全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈崩潰的可能性。目前評估結(jié)果顯示，此次強(qiáng)震對臺積電核心代工生產(chǎn)設(shè)施和DRAM（一種半導(dǎo)體存儲器）生產(chǎn)線未造成嚴(yán)重影響，讓外界稍稍松了口氣。但有分析認(rèn)為
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2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預(yù)計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個百分點(diǎn)。預(yù)計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
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晶合集成5000萬像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后，晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期，晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器（BSI）迎來批量量產(chǎn)，極大賦能智能手機(jī)的不同應(yīng)用場景,實(shí)現(xiàn)由中低端向中高端應(yīng)用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來倍速增長，出貨量占比將顯著提升, 成為顯示驅(qū)動芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來，5000萬像素CIS已在智能手機(jī)配置上加速滲透。晶合集成與國內(nèi)設(shè)計公司合作，基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，使用背照式工藝技術(shù)復(fù)合式金屬柵欄，不僅提升了產(chǎn)品進(jìn)光量，還兼具高
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臺積電：設(shè)備復(fù)原率已超70%，主要機(jī)臺皆無受損情況
- 據(jù)多方媒體報道，近日，中國臺灣地區(qū)花蓮縣發(fā)生多次地震，其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響，臺積電對媒體表示，臺積公司在臺灣的晶圓廠工安系統(tǒng)正常，為確保人員安全，據(jù)公司內(nèi)部程序啟動相關(guān)預(yù)防措施，部分廠區(qū)在第一時間進(jìn)行疏散，人員皆平安并在確認(rèn)安全后回到工作崗位。雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，主要機(jī)臺包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無受損。臺積電還表示，在地震發(fā)生后10小時內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70%，新建的晶圓廠（如晶圓十八廠）的復(fù)原率更已超過80％。目前正與客戶保持密切溝通，
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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