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晶圓代工大廠10月?tīng)I(yíng)收月增34.8%，透露PC/手機(jī)復(fù)蘇有影
- 11月10日，晶圓代工大廠臺(tái)積電發(fā)布公10月?tīng)I(yíng)收公告，該月?tīng)I(yíng)收約2432.03億元新臺(tái)幣，較9月增加34.8%，較2022年同期增加15.7%，創(chuàng)歷史新高，并終止連七個(gè)月?tīng)I(yíng)收年減。2023年1月至10月?tīng)I(yíng)收1兆7794 .1億元新臺(tái)幣，較2022年同期減少3.7%。臺(tái)積電在上次法說(shuō)會(huì)預(yù)估，第四季以美元計(jì)價(jià)的營(yíng)收金額約188億至196億美元，毛利率51.5%~53.5%，營(yíng)業(yè)利益率39.5%~41.5%。若以1美元兌換新臺(tái)幣32元匯率基礎(chǔ)計(jì)算，第四季營(yíng)收將落在6016億至6072億元新臺(tái)幣，較第三季成長(zhǎng)9%
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 晶圓 PC
SEMI報(bào)告：全球硅晶圓出貨量繼2023年下降后，2024年將反彈
- 美國(guó)加州時(shí)間2023年10月26日，SEMI在其年度硅出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告中指出，受半導(dǎo)體需求的持續(xù)疲軟和宏觀經(jīng)濟(jì)狀況影響，2023年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將下降14%，從2022年創(chuàng)紀(jì)錄的14565百萬(wàn)平方英寸（million square inches, MSI）降至12512百萬(wàn)平方英寸，隨著晶圓和半導(dǎo)體需求的恢復(fù)和庫(kù)存水平的正常化，全球硅晶圓出貨量將在2024年反彈。隨著人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）、5G、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用推動(dòng)著硅需求的增加，從2024年開(kāi)始的反彈勢(shì)頭預(yù)計(jì)將持續(xù)到2026年，晶圓出
- 關(guān)鍵字： 晶圓 硅片
2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，中國(guó)尤其獲得國(guó)際 IDM 的認(rèn)可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)。此前中國(guó)碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2024 年中國(guó)碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 晶圓
中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
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SEMI報(bào)告：2026年全球200mm晶圓廠產(chǎn)能將創(chuàng)記錄新高
- 美國(guó)加州時(shí)間2023年9月19日，SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報(bào)告》（200mm Fab Outlook to 2026）顯示，預(yù)計(jì)在2023年到2026年，全球半導(dǎo)體制造商200mm晶圓廠產(chǎn)能將增加14%，新增12個(gè)200mm晶圓廠（不包括EPI），達(dá)到每月770多萬(wàn)片晶圓的歷史新高。功率化合物半導(dǎo)體對(duì)消費(fèi)、汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要，是200mm投資的最大驅(qū)動(dòng)力。特別是電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力總成逆變器和充電站的發(fā)展，預(yù)計(jì)隨著電動(dòng)汽車(chē)采用率的持續(xù)上升，將推動(dòng)全球200mm晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)。SEMI總
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展
- 在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過(guò)程中，幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題，但我們的客戶經(jīng)理不太高興，因?yàn)樗麄儾坏貌幌蚩蛻艚忉層纱藢?dǎo)致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識(shí)晶圓背面的過(guò)程不太順利，但當(dāng)2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時(shí)，我開(kāi)始更加關(guān)注這個(gè)領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
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為下一代半導(dǎo)體鋪路，日本科學(xué)家用激光解決金剛石晶圓切片難題
- IT之家 8 月 3 日消息，金剛石（鉆石的原石）是半導(dǎo)體行業(yè)有前景的材料之一，但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰(zhàn)性，因此一直沒(méi)有大規(guī)模應(yīng)用。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，日本千葉大學(xué)官網(wǎng)發(fā)布消息，介紹了一項(xiàng)被稱為金剛石半導(dǎo)體新型激光切片技術(shù)的突破，使用激光脈沖將金剛石切割成薄片，號(hào)稱“為下一代半導(dǎo)體材料鋪平了道路”。千葉大學(xué)的一個(gè)研究小組開(kāi)發(fā)了一種新的基于激光的技術(shù)，號(hào)稱“可以毫不費(fèi)力地沿著最佳晶面切割金剛石”，可用于電動(dòng)汽車(chē)的高效功率轉(zhuǎn)換和高速通信技術(shù)?！?圖源日本千葉大學(xué)官網(wǎng)據(jù)介紹，包括金剛石在內(nèi)的大多數(shù)晶體
- 關(guān)鍵字： 晶圓 半導(dǎo)體制造
ERS進(jìn)入中國(guó)的第六年：實(shí)驗(yàn)室落戶上海
- 作為半導(dǎo)體從業(yè)者，我們都知道芯片制造程序大致有IC設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝三大環(huán)節(jié)，每個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)影響到產(chǎn)品的好壞?？偟膩?lái)說(shuō)，一顆設(shè)計(jì)完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的影響，所以必須要通過(guò)測(cè)試環(huán)節(jié)來(lái)把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。而半導(dǎo)體測(cè)試主要包括芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造中的晶圓針測(cè)以及成品測(cè)試。晶圓針測(cè)通常發(fā)生在晶圓加工完成后，封裝工藝進(jìn)行前，主要用到的設(shè)備是探針臺(tái)，用于晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測(cè)試。通過(guò)電學(xué)參數(shù)檢測(cè)等，測(cè)試晶圓上每個(gè)晶粒的有效性，標(biāo)記異常的晶粒，減少后續(xù)
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換號(hào)重練！英特爾的“翻身仗”
- 英特爾對(duì)外宣布，晶圓代工業(yè)務(wù)將成為獨(dú)立部門(mén)。今后其需要在性能和價(jià)格上參與競(jìng)爭(zhēng)，而英特爾的各產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)則將能夠自主選擇是否與第三方代工廠進(jìn)行合作。英特爾表示正在調(diào)整企業(yè)結(jié)構(gòu)，介紹了內(nèi)部晶圓代工業(yè)務(wù)模式的轉(zhuǎn)變，計(jì)劃明年第一季將把晶圓代工事業(yè)（IFS）獨(dú)立運(yùn)作，在財(cái)報(bào)單獨(dú)列出損益
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓 代工 臺(tái)積電 三星
格芯和意法半導(dǎo)體正式簽署法國(guó)12英寸半導(dǎo)體晶圓新廠協(xié)議
- 中國(guó)，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導(dǎo)體制造商格芯(GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱GF；納斯達(dá)克證交所代碼:GFS)和服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國(guó)Crolles新建一個(gè)高產(chǎn)能半導(dǎo)體聯(lián)營(yíng)廠的合作，現(xiàn)正式完成協(xié)議簽署。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示：“我要向法國(guó)經(jīng)濟(jì)和財(cái)政部長(zhǎng)勒梅爾及其團(tuán)隊(duì)致謝，感謝他
- 關(guān)鍵字： 格芯 意法半導(dǎo)體 12英寸 晶圓
3nm貴出天際 多家客戶推遲訂單 臺(tái)積電喊話：別怕漲價(jià) 在想辦法了
- 5月12日消息，臺(tái)積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝，今年會(huì)大規(guī)模放量，蘋(píng)果依然會(huì)首發(fā)3nm，但是臺(tái)積電的3nm工藝代工成本不菲，很多廠商也吃不消。此前數(shù)據(jù)顯示，從10nm開(kāi)始，臺(tái)積電的每片晶圓價(jià)格開(kāi)始瘋狂增長(zhǎng)，2018年的7nm晶圓每片價(jià)格飆升至10000美元，2020年的5nm工藝晶圓每片價(jià)格突破16000美元。而到了3nm工藝，這個(gè)數(shù)字就達(dá)到了20000美元，約合14萬(wàn)人民幣，而且這還是基準(zhǔn)報(bào)價(jià)，訂單量不夠的話價(jià)格會(huì)更高。這也導(dǎo)致除了蘋(píng)果之外，其他客戶，如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等，要么推遲3
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臺(tái)積電貴出天際 谷歌手機(jī)處理器仍用三星4nm
- 5月8日消息，臺(tái)積電是全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，然而代工價(jià)格也是業(yè)界最貴的，特別是先進(jìn)工藝代工，5nm芯片代工要1.7萬(wàn)美元，3nm等下一代工藝更是貴出天際，除了蘋(píng)果之外其他廠商很難跟進(jìn)。谷歌的安卓親兒子Pixel系列也使用了三星、谷歌合作的Tensor G系列處理器，今年是Tensor G3系列，基于三星的芯片改進(jìn)，生產(chǎn)工藝也是三星的4nm工藝，沒(méi)用上臺(tái)積電4nm，盡管后者的能效可能更好。傳聞稱明年的Tensor G4會(huì)改用谷歌自研架構(gòu)，并轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的4nm工藝代工，再往后的Tensor G5甚至?xí)?/li>
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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