8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。

High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。

帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。

此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻機，并在俄勒岡州晶圓廠完成了組裝。

此次第二臺設備的引入，將進一步提升Intel在高端芯片制造領域的競爭力，有望幫助公司在2025年實現(xiàn)對臺積電等競爭對手的超越。

High NA EUV光刻機的引入，是Intel"IDM 2.0"戰(zhàn)略的一部分，該戰(zhàn)略旨在通過技術創(chuàng)新和工藝提升，重塑Intel在全球半導體產業(yè)的領導地位。

Intel計劃在2027年前將High NA EUV技術用于商業(yè)生產，并在2030年前實現(xiàn)代工業(yè)務的收支平衡。