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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶圓

          晶圓 文章 最新資訊

          2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出可望達1370億美元新高

          • 近日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由于內(nèi)存市場復蘇以及對高效能運算和汽車應(yīng)用的強勁需求,全球用于前端設(shè)施的300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估在2025年首次突破1000億美元,到2027年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計將在2025年成長20%至1165億美元,2026年將成長12%至1305億美元,將在2027年創(chuàng)下歷史新高。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manoch
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  設(shè)備  

          英國首座12英寸晶圓廠啟用

          • 近日,英國半導體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達勒姆(Durham)的最新工廠。該公司表示,這是英國首個生產(chǎn)300毫米半導體芯片的工廠。Pragmatic Park預(yù)期將在未來五年內(nèi)創(chuàng)造500個高技能工作崗位,并加強英國的科技生態(tài)系統(tǒng)。該公司還聲稱,相較傳統(tǒng)硅芯片生產(chǎn),該公司的生產(chǎn)過程更環(huán)保,耗能和水量更少,二氧化碳排放也顯著降低。Pragmatic總部設(shè)于英國劍橋,首間工廠位于達勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應(yīng)用于智能封裝,這種于采
          • 關(guān)鍵字: MCU  晶圓  英國  

          300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

          • 全球應(yīng)用于前道工藝的 300mm 晶圓廠設(shè)備投資,預(yù)計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  

          紅外鏡頭SWIR系列在硅晶圓共位貼合技術(shù)中的應(yīng)用

          • 硅晶圓共位貼合如有圖所示是一種用于半導體芯片精密對準和鍵合到基板上的先進技術(shù),該技術(shù)利用短波紅外 (SWIR) 光實現(xiàn)高精度定位和高效鍵合。目前常見的芯片貼合工藝芯片對芯片 (CoC):將芯片直接粘合到其他芯片上,可通過焊接、粘合劑或直接鍵合等方式實現(xiàn);芯片對晶圓 (CoW):將芯片粘合到晶圓上,類似于CoC,但晶圓比芯片大得多。CoW常用于創(chuàng)建堆疊芯片,可提升性能或功能;晶圓對晶圓 (WoW):將晶圓直接粘合到其他晶圓上,是最復雜的工藝,用于創(chuàng)建三維集成電路 (3
          • 關(guān)鍵字: 芯片半導體  紅外鏡頭  晶圓  

          ASML前CTO,加入ASM

          • 近日,ASM International NV(ASM)宣布提名Martin van den Brink為其監(jiān)事會成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會。據(jù)介紹,1984年,Martin van den Brink以工程師身份加入當時新成立的ASML,并于1995年成為技術(shù)副總裁(CTO)。1999年,他被任命為ASML管理委員會成員,2013年,他被任命為首席技術(shù)官。在擔任公司領(lǐng)導期間,他是推動ASML發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵,這些創(chuàng)新幫助塑造了整個半導體行業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: ASML  半導體設(shè)備  晶圓  

          瘋狂的碳化硅,國內(nèi)狂追!

          • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽w不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略,從而在
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  英飛凌  晶圓  

          英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

          • 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  晶圓  Wolfspeed  

          SiC生長過程及各步驟造成的缺陷

          • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要,因為它直接決定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過渡,正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長,同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性,這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
          • 關(guān)鍵字: SiC  晶圓  

          英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

          • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應(yīng)鏈彈性意味著實施多供應(yīng)商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機會并推
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

          SEMI報告:2024年全球半導體產(chǎn)能預(yù)計將達到創(chuàng)紀錄的每月3000萬片晶圓

          • 美國加州時間2024年1月2日, SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預(yù)測報告》World Fab Forecast中宣布,全球半導體每月晶圓(WPM)產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后,預(yù)計2024年將增長6.4%,首次突破每月3000萬片大關(guān)(以200mm當量計算)。2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算(HPC)在內(nèi)的應(yīng)用的產(chǎn)能增長以及芯片終端需求的復蘇推動。由于半導體市場需求疲軟以及由此產(chǎn)生的庫存調(diào)整,2023年產(chǎn)能擴張放緩。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit M
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  產(chǎn)能  

          日本佳能:我們能造2nm芯片!不需要ASML光刻機

          • 日本光刻機大廠佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography,NIL)設(shè)備FPA-1200NZ2C之后,佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示,該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導體制造商生產(chǎn)先進芯片開辟一條道路,使得生產(chǎn)先進芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導體制造商所獨享。納米壓印技術(shù)并不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上,而是更類似于印刷技術(shù),直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置
          • 關(guān)鍵字: 佳能  2nm  晶圓  印刷  

          力積電投資55億美元在日本建廠推動汽車芯片業(yè)務(wù)發(fā)展

          • 12月13日消息,力積電將借助日本新建工廠大幅發(fā)展期汽車半導體業(yè)務(wù)。力積電首席執(zhí)行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示:“日本有巨大的機會”,日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優(yōu)勢。他補充表示,“目前汽車產(chǎn)品僅占我們銷售額的8%,通過進軍日本市場,我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進入日本市場,力積電計劃與金融集團SBI Holdings共同投資8000億日元(約合55億美元)建立合資企業(yè),在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段,該公司將投資4200億日元,從2027年開始以每月1萬片的規(guī)模
          • 關(guān)鍵字: 力積電  汽車半導體  晶圓  

          晶圓代工市場分析:三星與臺積電的差距進一步擴大

          • 芯片需求的上漲對晶圓代工廠商的作用是顯而易見的,特別是對于依賴先進制程的高性能芯片,7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升,在功耗的控制上也有更多的余地。對于大部分依賴先進制程的芯片公司而言,從晶圓代工廠商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。當然,對于晶圓廠商來說,決定先進制程量產(chǎn)的光刻機也有著同樣的地位。特別是在進入7nm、5nm之后,EUV光刻機的數(shù)量將直接決定能否持續(xù)取得市場領(lǐng)先地位。作為目前晶圓代工領(lǐng)域的兩大龍頭,臺積電和三星之間圍繞光刻機的競爭已經(jīng)趨于白熱化。今年第三季度,晶圓代工龍頭臺積電
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          2023晶圓大戰(zhàn):利潤跌跌撞撞的好戲

          • 2023年全球晶圓代工行業(yè)正經(jīng)歷著波瀾不驚的變革。從全球七大晶圓代工廠的最新財報中可以看出各家代工廠對于明年下一階段將會面臨的挑戰(zhàn)和業(yè)務(wù)可持續(xù)發(fā)展的計劃。與此同時,從財報中也能體現(xiàn)出由于經(jīng)濟不景氣、新冠疫情以及一些業(yè)務(wù)調(diào)整帶來的市場變化。全球七大晶圓代工廠財報概覽首先,臺積電作為全球最大的晶圓代工廠之一,在第三季度的業(yè)績中出現(xiàn)了一些波動。其合并營收同比下降10.8%,但環(huán)比增長13.7%。凈利潤同比下降25.0%,但環(huán)比增長16.0%。這反映了半導體行業(yè)的一般趨勢,即受到全球經(jīng)濟和地緣政治不確定性的影響,
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          英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

          • 11月28日消息,據(jù)外媒報道,日前,英飛凌綠色工業(yè)動力部門(GIP)總裁Peter Wawer在受訪時透露,英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示,英飛凌目前使用6英寸晶圓,但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品,很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品,并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面,英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠(在2022年2月宣布的原始投資之上)獲得更多產(chǎn)能,信息稱,英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC(碳化硅)功率工廠。值得一提的是該計劃
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  晶圓  
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          晶圓介紹

          晶圓  晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]

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