三星(samsung) 文章最新資訊

三星泰勒工廠將獲得2.5億美元的贈(zèng)款

德克薩斯州泰勒 - 州長(zhǎng)格雷格·阿博特(Greg Abbott)周三宣布,三星將從該州獲得2.5億美元,用于泰勒的新工廠。這筆資金來(lái)自德克薩斯州半導(dǎo)體創(chuàng)新基金,該基金于2023年成立,旨在維持該州在半導(dǎo)體研究,設(shè)計(jì)和制造中的作用。阿博特表示,三星通過(guò)在新設(shè)施上投資超過(guò)40億美元來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。半導(dǎo)體芯片用于從手機(jī)到汽車(chē)等技術(shù)?！暗驴怂_斯州是技術(shù)和創(chuàng)新未來(lái)的發(fā)源地,”阿博特在周三的新聞發(fā)布會(huì)上說(shuō)。“三星在德克薩斯州投資了約400億美元,正在幫助鞏固德克薩斯州作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)先州的地位,為德克薩斯州社區(qū)帶來(lái)更
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三星現(xiàn)在將為以色列公司生產(chǎn)汽車(chē)芯片

三星正在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域卷土重來(lái)。繼推出首款 3nm 智能手機(jī)芯片 Exynos 2500 后，三星獲得了重大交易。其中包括蘋(píng)果的相機(jī)傳感器合同和特斯拉的 2nm AI 芯片合同。現(xiàn)在，三星已經(jīng)與一家以色列汽車(chē)芯片公司簽訂了另一份芯片合同。三星將為瓦倫斯制造汽車(chē)半導(dǎo)體芯片Valens Semiconductor 宣布已與三星電子合作開(kāi)發(fā)下一代 MIPI A-PHY 標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)用于各種汽車(chē)電子設(shè)備的高速連接，例如 ADAS、ADS、攝像頭、顯示器、ECU 和其他傳感器。這一開(kāi)發(fā)是針對(duì)全球
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三星泰勒廠面臨簽證難題，恐影響2026年投產(chǎn)計(jì)劃

日前，LGES與現(xiàn)代汽車(chē)合資的電池工廠在美國(guó)格魯吉亞州遭美國(guó)國(guó)安與移民部門(mén)突襲查緝，導(dǎo)致300多名韓籍員工被拘留。這一事件引發(fā)韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的高度關(guān)注，尤其是三星位于德州泰勒市的半導(dǎo)體工廠，其簽證問(wèn)題也成為焦點(diǎn)。據(jù)韓媒《中央日?qǐng)?bào)》和《Money Today》報(bào)道，三星泰勒廠計(jì)劃于2026年正式投產(chǎn)，但簽證問(wèn)題可能影響這一目標(biāo)。美國(guó)自2025年6月起將禁止使用電子旅行授權(quán)系統(tǒng)（ESTA）出差，這使得韓國(guó)相關(guān)設(shè)備廠商的人員派遣面臨挑戰(zhàn)。三星已要求前往德州奧斯汀的出差人員若停留超過(guò)30天需申請(qǐng)L-1簽證，而德州
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊(cè)資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

現(xiàn)在，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）迎來(lái)了一個(gè)重磅消息。9月5日，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長(zhǎng)
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美國(guó)政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國(guó)晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證

據(jù)《彭博社》報(bào)道，國(guó)政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無(wú)限期晶圓廠設(shè)備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復(fù)雜性，但至少可以維持晶圓廠運(yùn)營(yíng)的連續(xù)性，這意味著不會(huì)擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲(chǔ)器的高波動(dòng)供應(yīng)。以前，三星和 SK 海力士在經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶(hù)（VEU）狀態(tài)下運(yùn)營(yíng)，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國(guó)安全和監(jiān)控措施，獲得進(jìn)口受限晶圓廠設(shè)備（WFE）到其中國(guó)晶圓廠的全面批準(zhǔn)，這大大簡(jiǎn)化了他們的運(yùn)營(yíng)。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國(guó)商務(wù)部最近向韓國(guó)官員
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三星Exynos 2600將成為全球首款2nm手機(jī)芯片，尚未確定旗艦Galaxy S26系列是否采用

媒ETNews援引業(yè)內(nèi)人士報(bào)道稱(chēng)，三星已確認(rèn)Exynos 2600將成為全球首款采用2nm工藝的移動(dòng)SoC芯片，目前該芯片完成開(kāi)發(fā)并準(zhǔn)備好進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。不過(guò)，關(guān)鍵問(wèn)題在于三星尚未最終決定，是否在下一代旗艦系列Galaxy S26智能手機(jī)中采用這款新型芯片，預(yù)計(jì)將在今年第四季度作出決定。根據(jù)之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進(jìn)，目標(biāo)是年底將2nm良率提高到70%。而Exynos 2600芯片采用了新型散熱部件「熱傳導(dǎo)模塊（HPB）」，工作原理類(lèi)似于散熱片，能夠有效管
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三星計(jì)劃在 Galaxy S26 機(jī)型中使用 Exynos 2600，減少對(duì)高通的依賴(lài)

根據(jù)韓國(guó)的 Maeil Business Newspaper 報(bào)道，消息人士稱(chēng)三星計(jì)劃為入門(mén)級(jí)和輕薄版 Galaxy S26 機(jī)型配備 Exynos 2600，而 Ultra 版本將采用高通的 Snapdragon 8 Elite Gen 2據(jù)報(bào)道，三星的 Exynos 性能正在反彈，據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》稱(chēng)。盡管長(zhǎng)期以來(lái)被批評(píng)落后于高通的 AP，但該報(bào)道引用的消息稱(chēng)，它最近取得了強(qiáng)勁的基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果，接近高通驍龍 8 Elite Gen 2 的性能。正如 Maeil Business News
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美國(guó)撤銷(xiāo)三大半導(dǎo)體企業(yè)在華的設(shè)備豁免

當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月29日，根據(jù)美國(guó)《聯(lián)邦公報(bào)》（Federal Register）發(fā)布的通知顯示，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）修訂《出口管理?xiàng)l例》（EAR），將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（已于今年完成交割至SK集團(tuán)Solidigm相關(guān)資產(chǎn)體系）、三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司以及SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司從對(duì)中華人民共和國(guó)（PRC）現(xiàn)有經(jīng)驗(yàn)證最終用戶(hù)（Validated End-User, VEU）授權(quán)名單中移除。值得一提的是，臺(tái)積電在中國(guó)大陸的晶圓廠此次并沒(méi)有被提及，或許其之前獲得的永久豁免依然有限。這一
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中國(guó)抨擊美國(guó)撤銷(xiāo)英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)

周六，中國(guó)商務(wù)部回應(yīng)了美國(guó)撤銷(xiāo)英特爾、三星和海力士在中國(guó)制造業(yè)務(wù)的“驗(yàn)證最終用戶(hù)”（VEU）授權(quán)的決定。周五，美國(guó)商務(wù)部宣布將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司、三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司和SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權(quán)允許受美國(guó)限制的出口商將某些高科技民用物品運(yùn)送到預(yù)先批準(zhǔn)的實(shí)體，而無(wú)需為每批貨物單獨(dú)出口許可證。中國(guó)商務(wù)部將美國(guó)此舉描述為“出于美國(guó)的政治動(dòng)機(jī)和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)方面的發(fā)展。該部還表示，美國(guó)。是“故意擾亂和破壞全球
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三星和SK海力士失去美國(guó)芯片裝備豁免

美國(guó)總統(tǒng)唐納德·特朗普的政府將使三星電子和SK海力士更難將關(guān)鍵設(shè)備運(yùn)送到其在中國(guó)的芯片制造業(yè)務(wù)，從而對(duì)兩家公司在全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)的生產(chǎn)造成潛在打擊。美國(guó)商務(wù)部在周五發(fā)布的一份通知中表示，它將撤銷(xiāo)三星和 SK 海力士在其中國(guó)業(yè)務(wù)中使用美國(guó)技術(shù)的豁免。這些公司一直在中國(guó)運(yùn)營(yíng)，規(guī)定允許他們進(jìn)口芯片制造設(shè)備，而無(wú)需每次都申請(qǐng)新的許可證。此舉將修改所謂的驗(yàn)證最終用戶(hù) （VEU）規(guī)則，限制在該國(guó)制造芯片的能力，并危及北京獲得某些技術(shù)的機(jī)會(huì)。這些豁免可以追溯到 2023 年，當(dāng)時(shí)美國(guó)總統(tǒng)喬·拜登（Joe Bide
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美國(guó)撤銷(xiāo)對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證：解碼市場(chǎng)影響

三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷(xiāo)豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國(guó)遇到了新的障礙。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷(xiāo)將在 120 天后開(kāi)始。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，值得注意的是，美國(guó)政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國(guó)現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營(yíng)，但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過(guò)出售其大連工廠
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代工屆的“孫劉聯(lián)合”，三星欲攜手英特爾合作追趕臺(tái)積電

當(dāng)一個(gè)產(chǎn)業(yè)中一家企業(yè)占據(jù)超過(guò)半數(shù)以上的市場(chǎng)份額，其他的廠商就需要抱團(tuán)取暖共同對(duì)抗同一個(gè)對(duì)手。在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，雖然名義上都不是純代工企業(yè)，但從制程工藝到封裝技術(shù)方面來(lái)看，三星和英特爾才是真正半導(dǎo)體代工技術(shù)的二三把交椅。隨著臺(tái)積電的營(yíng)收有望突破千億美元大關(guān)，三星和英特爾紛紛將代工業(yè)務(wù)作為未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略的重點(diǎn)。近日，據(jù)傳三星電子李在镕會(huì)長(zhǎng)作為韓美峰會(huì)經(jīng)濟(jì)特使訪(fǎng)美時(shí)，正在積極尋求與英特爾建立戰(zhàn)略聯(lián)盟，以加強(qiáng)三星電子的半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。由于兩家企業(yè)的半導(dǎo)體工藝略有差別，因此從封裝到玻璃基板等方面的合作就成
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2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析

在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下，2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元，同比增長(zhǎng)37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，二季度DRAM銷(xiāo)售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長(zhǎng)25.1%，市場(chǎng)份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開(kāi)與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長(zhǎng)13%，市場(chǎng)份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃

據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對(duì)先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場(chǎng)需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對(duì)NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開(kāi)始，在韓國(guó)平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級(jí)至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對(duì)最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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據(jù)報(bào)道英特爾開(kāi)始授權(quán)玻璃基板技術(shù)，可能為三星和 Absolics 帶來(lái)潛在提升

根據(jù)韓國(guó)媒體 ETNews 援引行業(yè)消息人士稱(chēng)，英特爾已開(kāi)始授權(quán)其半導(dǎo)體玻璃基板技術(shù)，使其他公司能夠使用該技術(shù)。據(jù)報(bào)道，該公司正在與多家玻璃基板制造商以及材料、零部件和設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行談判，并考慮在特定條件下以一定期限為代價(jià)授予權(quán)利，以換取版稅。報(bào)告指出，這標(biāo)志著英特爾玻璃基板業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。該公司現(xiàn)在預(yù)計(jì)將更多地依賴(lài)外部供應(yīng)商，而不是優(yōu)先考慮內(nèi)部生產(chǎn)。報(bào)告還指出，英特爾不太可能完全放棄玻璃基板的采用。相反，其許可戰(zhàn)略可能會(huì)為新的合作鋪平道路。隨著三星電子、AMD、博通和亞馬遜等主要玩家
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