三星(samsung) 文章 最新資訊
SK 海力士據(jù)報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距
- 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當前領導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報道補充說，英偉達緊張的生產(chǎn)進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
- 關鍵字： 三星 海力士 英偉達 HBM4E
據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
- 關鍵字： 三星 HBM 存儲
三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv
- 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯?；ヂ?lián)技術上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯?；ヂ?lián)接口）是一種通用的芯粒互聯(lián)標準，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
- 關鍵字： 三星 4nm UCIe 傳輸帶寬 24Gbps
2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著
- 在持續(xù)進行的半導體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
- 關鍵字： 制程 2nm 三星 臺積電
Cadence 和三星將人工智能應用于 SoC、3D-IC 和芯片設計
- Cadence 和三星晶圓廠擴大了他們的合作，簽訂了一項新的多年 IP 協(xié)議，并在最新的 SF2P 和其他先進工藝節(jié)點上聯(lián)合開發(fā)先進的 AI 驅(qū)動流程。具體來說，這項多年的 IP 協(xié)議將擴展 Cadence 內(nèi)存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進工藝節(jié)點上。通過利用 Cadence 的 AI 驅(qū)動設計技術和三星的先進 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點，這項合作旨在為 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應用提供高性能、低功耗的解決方案?！拔覀冎С衷谌?/li>
- 關鍵字： 三星 CAD 人工智能 芯片設計
DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
- 關鍵字： DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
據(jù)報道，英偉達和三星支持初創(chuàng)公司 Skild AI 在消費機器人領域的推進
- 機器人正迅速成為全球科技公司的關鍵增長領域。根據(jù)彭博社報道，三星和英偉達據(jù)計劃收購 Skild AI 的少數(shù)股權，作為他們加強在消費機器人領域存在感的努力的一部分。據(jù)報道，三星將投資 1000 萬美元給 Skild，而 NVIDIA 據(jù)報道將投資 2500 萬美元，彭博社稱。這筆融資是 Skild B 輪融資的一部分，該輪融資使公司估值約為 45 億美元，據(jù)報道，日本軟銀集團承諾提供 1 億美元的支持。同時，該報告還提到，其他韓國大型企業(yè)——包括 LG、韓華和未來資產(chǎn)——每個都在 Skild 投資了 50
- 關鍵字： 三星 機器人 英偉達
三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗證中再次失誤，重新測試定于9月進行
- 隨著美光（爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報道，三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報》援引證券分析師的話稱，該公司現(xiàn)在的目標是在 9 月進行重新測試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產(chǎn)品仍需要進行全封裝驗證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來一直在提
- 關鍵字： 三星 NVIDIA 12-Hi HBM3E 失誤
中芯市占率迅速拉近與三星距離 外媒評有望反超
- 臺積電在全球芯片市場保持主導地位，但三星老二地位岌岌可危，不只追不上臺積電，還面臨來自陸廠中芯國際（SMIC）日益成長的巨大壓力，三星與中芯的市場占有率差距正迅速縮小。 主因中芯受惠本土半導體需求，在7奈米和深紫外線（DUV）曝光機設備也取得進展。根據(jù)外媒wccftech報導，臺積電一直是芯片領域的領導者，成功關鍵在于快速導入先進制程技術，是英偉達、蘋果與超威等大客戶的首選伙伴，競爭對手相比之下，創(chuàng)新腳步相當遲緩，未能快速開發(fā)新制程，現(xiàn)有制程節(jié)點也面臨挑戰(zhàn)，舉例如三星在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展不佳。報導指出，根據(jù)Tr
- 關鍵字： 中芯國際 三星
三星將與汽車芯片制造商共同開發(fā)下一代車載半導體技術
- 三星電子最近與英飛凌和恩智浦等行業(yè)領導者合作，共同開發(fā)下一代汽車半導體技術解決方案，旨在滿足未來智能汽車對高性能計算芯片日益增長的需求。隨著自動駕駛技術的快速發(fā)展，汽車芯片對算力的需求也在激增。利用其在內(nèi)存和處理器技術方面的優(yōu)勢，三星正在逐步將最初用于移動設備的先進工藝技術逐步引入汽車制造領域。合作集中在幾個關鍵領域：基于 5nm 工藝技術的汽車級處理器的開發(fā)、內(nèi)存和處理器的優(yōu)化協(xié)同設計、增強極端溫度條件下的芯片穩(wěn)定性，以及改進的實時處理能力和安全功能。值得注意的是，這些新開發(fā)的芯片將支持尖端的神經(jīng)處理單
- 關鍵字： 三星 英飛凌 恩智浦 下一代 車載半導體
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
三星(samsung)電路
三星(samsung)相關帖子
三星(samsung)資料下載
三星(samsung)專欄文章
熱門主題
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473