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三星據(jù)報(bào)道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)
- 根據(jù) The Elec 報(bào)道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關(guān)重要的組件。報(bào)道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時(shí)候，三星據(jù)報(bào)道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報(bào)道補(bǔ)充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預(yù)計(jì)很快將收到訂單。報(bào)道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的
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三星泰勒工廠將獲得2.5億美元的贈款
- 德克薩斯州泰勒 - 州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)周三宣布,三星將從該州獲得2.5億美元,用于泰勒的新工廠。這筆資金來自德克薩斯州半導(dǎo)體創(chuàng)新基金,該基金于2023年成立,旨在維持該州在半導(dǎo)體研究,設(shè)計(jì)和制造中的作用。阿博特表示,三星通過在新設(shè)施上投資超過40億美元來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。半導(dǎo)體芯片用于從手機(jī)到汽車等技術(shù)。“德克薩斯州是技術(shù)和創(chuàng)新未來的發(fā)源地,”阿博特在周三的新聞發(fā)布會上說?！叭窃诘驴怂_斯州投資了約400億美元,正在幫助鞏固德克薩斯州作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)先州的地位,為德克薩斯州社區(qū)帶來更
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三星現(xiàn)在將為以色列公司生產(chǎn)汽車芯片
- 三星正在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域卷土重來。繼推出首款 3nm 智能手機(jī)芯片 Exynos 2500 后，三星獲得了重大交易。其中包括蘋果的相機(jī)傳感器合同和特斯拉的 2nm AI 芯片合同。現(xiàn)在，三星已經(jīng)與一家以色列汽車芯片公司簽訂了另一份芯片合同。三星將為瓦倫斯制造汽車半導(dǎo)體芯片Valens Semiconductor 宣布已與三星電子合作開發(fā)下一代 MIPI A-PHY 標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)用于各種汽車電子設(shè)備的高速連接，例如 ADAS、ADS、攝像頭、顯示器、ECU 和其他傳感器。這一開發(fā)是針對全球
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三星泰勒廠面臨簽證難題，恐影響2026年投產(chǎn)計(jì)劃
- 日前，LGES與現(xiàn)代汽車合資的電池工廠在美國格魯吉亞州遭美國國安與移民部門突襲查緝，導(dǎo)致300多名韓籍員工被拘留。這一事件引發(fā)韓國半導(dǎo)體業(yè)界的高度關(guān)注，尤其是三星位于德州泰勒市的半導(dǎo)體工廠，其簽證問題也成為焦點(diǎn)。據(jù)韓媒《中央日報(bào)》和《Money Today》報(bào)道，三星泰勒廠計(jì)劃于2026年正式投產(chǎn)，但簽證問題可能影響這一目標(biāo)。美國自2025年6月起將禁止使用電子旅行授權(quán)系統(tǒng)（ESTA）出差，這使得韓國相關(guān)設(shè)備廠商的人員派遣面臨挑戰(zhàn)。三星已要求前往德州奧斯汀的出差人員若停留超過30天需申請L-1簽證，而德州
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長江存儲加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元
- 現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個(gè)重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立，注冊資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長
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美國政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證
- 據(jù)《彭博社》報(bào)道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設(shè)備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復(fù)雜性，但至少可以維持晶圓廠運(yùn)營的連續(xù)性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應(yīng)。以前，三星和 SK 海力士在經(jīng)過驗(yàn)證的最終用戶（VEU）狀態(tài)下運(yùn)營，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國安全和監(jiān)控措施，獲得進(jìn)口受限晶圓廠設(shè)備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準(zhǔn)，這大大簡化了他們的運(yùn)營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務(wù)部最近向韓國官員
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三星Exynos 2600將成為全球首款2nm手機(jī)芯片，尚未確定旗艦Galaxy S26系列是否采用
- 媒ETNews援引業(yè)內(nèi)人士報(bào)道稱，三星已確認(rèn)Exynos 2600將成為全球首款采用2nm工藝的移動SoC芯片，目前該芯片完成開發(fā)并準(zhǔn)備好進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。不過，關(guān)鍵問題在于三星尚未最終決定，是否在下一代旗艦系列Galaxy S26智能手機(jī)中采用這款新型芯片，預(yù)計(jì)將在今年第四季度作出決定。根據(jù)之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進(jìn)，目標(biāo)是年底將2nm良率提高到70%。而Exynos 2600芯片采用了新型散熱部件「熱傳導(dǎo)模塊（HPB）」，工作原理類似于散熱片，能夠有效管
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三星計(jì)劃在 Galaxy S26 機(jī)型中使用 Exynos 2600，減少對高通的依賴
- 根據(jù)韓國的 Maeil Business Newspaper 報(bào)道，消息人士稱三星計(jì)劃為入門級和輕薄版 Galaxy S26 機(jī)型配備 Exynos 2600，而 Ultra 版本將采用高通的 Snapdragon 8 Elite Gen 2據(jù)報(bào)道，三星的 Exynos 性能正在反彈，據(jù)《朝鮮日報(bào)》稱。盡管長期以來被批評落后于高通的 AP，但該報(bào)道引用的消息稱，它最近取得了強(qiáng)勁的基準(zhǔn)測試結(jié)果，接近高通驍龍 8 Elite Gen 2 的性能。正如 Maeil Business News
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美國撤銷三大半導(dǎo)體企業(yè)在華的設(shè)備豁免
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月29日，根據(jù)美國《聯(lián)邦公報(bào)》（Federal Register）發(fā)布的通知顯示，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）修訂《出口管理?xiàng)l例》（EAR），將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（已于今年完成交割至SK集團(tuán)Solidigm相關(guān)資產(chǎn)體系）、三星中國半導(dǎo)體有限公司以及SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司從對中華人民共和國（PRC）現(xiàn)有經(jīng)驗(yàn)證最終用戶（Validated End-User, VEU）授權(quán)名單中移除。值得一提的是，臺積電在中國大陸的晶圓廠此次并沒有被提及，或許其之前獲得的永久豁免依然有限。這一
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中國抨擊美國撤銷英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)
- 周六，中國商務(wù)部回應(yīng)了美國撤銷英特爾、三星和海力士在中國制造業(yè)務(wù)的“驗(yàn)證最終用戶”（VEU）授權(quán)的決定。周五，美國商務(wù)部宣布將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司、三星中國半導(dǎo)體有限公司和SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權(quán)允許受美國限制的出口商將某些高科技民用物品運(yùn)送到預(yù)先批準(zhǔn)的實(shí)體，而無需為每批貨物單獨(dú)出口許可證。中國商務(wù)部將美國此舉描述為“出于美國的政治動機(jī)和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國在半導(dǎo)體技術(shù)方面的發(fā)展。該部還表示，美國。是“故意擾亂和破壞全球
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三星和SK海力士失去美國芯片裝備豁免
- 美國總統(tǒng)唐納德·特朗普的政府將使三星電子和SK海力士更難將關(guān)鍵設(shè)備運(yùn)送到其在中國的芯片制造業(yè)務(wù)，從而對兩家公司在全球最大半導(dǎo)體市場的生產(chǎn)造成潛在打擊。美國商務(wù)部在周五發(fā)布的一份通知中表示，它將撤銷三星和 SK 海力士在其中國業(yè)務(wù)中使用美國技術(shù)的豁免。這些公司一直在中國運(yùn)營，規(guī)定允許他們進(jìn)口芯片制造設(shè)備，而無需每次都申請新的許可證。此舉將修改所謂的驗(yàn)證最終用戶 （VEU） 規(guī)則，限制在該國制造芯片的能力，并危及北京獲得某些技術(shù)的機(jī)會。這些豁免可以追溯到 2023 年，當(dāng)時(shí)美國總統(tǒng)喬·拜登 （Joe Bide
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美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過出售其大連工廠
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代工屆的“孫劉聯(lián)合”，三星欲攜手英特爾合作追趕臺積電
- 當(dāng)一個(gè)產(chǎn)業(yè)中一家企業(yè)占據(jù)超過半數(shù)以上的市場份額，其他的廠商就需要抱團(tuán)取暖共同對抗同一個(gè)對手。在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，雖然名義上都不是純代工企業(yè)，但從制程工藝到封裝技術(shù)方面來看，三星和英特爾才是真正半導(dǎo)體代工技術(shù)的二三把交椅。 隨著臺積電的營收有望突破千億美元大關(guān)，三星和英特爾紛紛將代工業(yè)務(wù)作為未來發(fā)展戰(zhàn)略的重點(diǎn)。近日，據(jù)傳三星電子李在镕會長作為韓美峰會經(jīng)濟(jì)特使訪美時(shí)，正在積極尋求與英特爾建立戰(zhàn)略聯(lián)盟，以加強(qiáng)三星電子的半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。由于兩家企業(yè)的半導(dǎo)體工藝略有差別，因此從封裝到玻璃基板等方面的合作就成
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2025年第二季度全球DRAM市場分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實(shí)現(xiàn)量價(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃
- 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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