據(jù)Tom's hardware報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）作為全球最大的先進(jìn)制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進(jìn)的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機(jī)。2019年首次于華為麒麟9000處理器導(dǎo)入EUV后，臺(tái)積電持續(xù)控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機(jī)裝機(jī)量，經(jīng)過多年的積累，臺(tái)積電目前已經(jīng)累積了約200多臺(tái)EUV光刻機(jī)，在2024~2025年還新增了60多臺(tái)，以支撐先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)需要。

自2019年以來(lái)，臺(tái)積電通過自身的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化及自研EUV光罩保護(hù)膜（Pellicle，保護(hù)光罩的薄膜）材料，EUV生產(chǎn)晶圓產(chǎn)量累計(jì)增加30倍，同時(shí)電力消耗也減少24%。

EUV光刻機(jī)相較傳統(tǒng)的深紫外（DUV）光刻機(jī)，光罩及保護(hù)膜等都須進(jìn)一步調(diào)整，保護(hù)膜一直是半導(dǎo)體制程中防止塵粒污染的關(guān)鍵保護(hù)機(jī)制。而且，進(jìn)入EUV光刻時(shí)代后，過去廣泛使用的有機(jī)Pellicle，因無(wú)法兼具透光率與穩(wěn)定性，已不再適用。目前EUV制程大多采用「無(wú)pellicle」的光罩，導(dǎo)致必須頻繁進(jìn)行圖樣檢查；一旦發(fā)現(xiàn)缺陷，不僅需修復(fù)或重制光罩，生產(chǎn)成本也大增并降低速度。

因此，包括ASML等半導(dǎo)體業(yè)者近年也投入EUV光罩保護(hù)膜的研發(fā)，但由于技術(shù)難度高，尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而臺(tái)積電研發(fā)EUV光罩保護(hù)膜已有多年，這主要是因?yàn)樵u(píng)估EUV光罩保護(hù)膜對(duì)于7nm以下制程生產(chǎn)效率與成本降低極為重要，因此近期決定正式加速自研計(jì)劃。

數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電EUV光罩保護(hù)膜壽命增加了4倍，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍，瑕疵品大幅降低。據(jù)Digitimes報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃改造一座200毫米工廠專門生產(chǎn)自研EUV薄膜，性能甚至超過了ASML原廠供應(yīng)的EUV光罩保護(hù)膜，展現(xiàn)臺(tái)積電制程與材料整合實(shí)力。

近期，臺(tái)積電宣布退出GaN市場(chǎng)，凸顯大陸GaN廠商的低價(jià)戰(zhàn)已對(duì)其造成極大競(jìng)爭(zhēng)壓力，臺(tái)積電原有的6英寸GaN廠也將改建為先進(jìn)封裝廠，暫以CoPoS為主。而最受關(guān)注的就是竹科8英寸晶圓廠大幅調(diào)整，其中，竹科Fab 3將有望正式投入臺(tái)積電自研EUV光罩保護(hù)膜的生產(chǎn)，以減少對(duì)ASML相關(guān)供應(yīng)鏈的依賴。臺(tái)積電希望以自身研發(fā)與生產(chǎn)能力，全面提升EUV先進(jìn)制程良率，創(chuàng)造最低成本、最高效益的制程和產(chǎn)品。

相較于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍高度依賴ASML的EUV光刻機(jī)和EUV光罩保護(hù)膜推進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)，臺(tái)積電核心優(yōu)勢(shì)來(lái)自硬件設(shè)備及材料供應(yīng)鏈掌控力 —— 通過持續(xù)投資制程工藝優(yōu)化，包括曝光劑量微調(diào)、曝光材料改良及預(yù)測(cè)性維護(hù)，可將現(xiàn)有EUV制程再優(yōu)化。

這不僅拉升了生產(chǎn)良率與擴(kuò)大產(chǎn)能，在成本結(jié)構(gòu)上取得優(yōu)勢(shì)、提升獲利，進(jìn)一步擴(kuò)大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。同時(shí)，為即將量產(chǎn)的2nm提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，持續(xù)鞏固臺(tái)積電的全球半導(dǎo)體代工龍頭地位。