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          2納米芯片制造激烈競(jìng)爭(zhēng):良率差距顯著

          作者: 時(shí)間:2025-06-19 來源:TrendForce 收藏

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/202506/471448.htm

          在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中,電子正激烈爭(zhēng)奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道,兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而,由于良率優(yōu)勢(shì),在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。

          已開始接收其 2 納米工藝的訂單,預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極(GAA)架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能,降低 25%至 30%的功耗,并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值得注意的是,AMD 的 EPYC 處理器代號(hào)“威尼斯”已成為基于臺(tái)積電 2 納米工藝的首款高性能計(jì)算產(chǎn)品。

          相比之下,也在推進(jìn)自己的 2 納米生產(chǎn)計(jì)劃,目標(biāo)是即將推出的旗艦 Galaxy S26 的 Exynos 2600 處理器。然而,目前的良率只有大約 40%,遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的 60%,這在吸引訂單方面構(gòu)成了挑戰(zhàn)。盡管是首家采用 GAA 架構(gòu)進(jìn)行 3 納米芯片生產(chǎn)的公司,三星仍然在提高良率方面持續(xù)面臨困難。

          隨著臺(tái)積電繼續(xù)提高其2納米工藝良率,預(yù)計(jì)將進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位,并可能推動(dòng)整個(gè)供應(yīng)鏈的增長(zhǎng)。




          關(guān)鍵詞: 制程 2nm 三星 臺(tái)積電

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