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MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？
- MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開(kāi)始變得越來(lái)越“擁擠”──開(kāi)發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開(kāi)始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
- 關(guān)鍵字： STT MRAM
SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用
- 上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來(lái)“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一
- 關(guān)鍵字： 可穿戴設(shè)備 物聯(lián)網(wǎng) SRAM
三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
- 關(guān)鍵字： 三星 MRAM
28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 SamsungFoundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 MRAM
IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱(chēng)，“自旋傳輸磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱(chēng)，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
- 關(guān)鍵字： IBM MRAM
MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門(mén)總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類(lèi)型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問(wèn)題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
日本東北大學(xué)，開(kāi)發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開(kāi)發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲(chǔ)器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實(shí)際驗(yàn)證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現(xiàn)的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開(kāi)發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過(guò)磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”記憶體(可取代各種記憶體)的問(wèn)題 遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛(ài)因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
- 關(guān)鍵字： MRAM 存儲(chǔ)器
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