sram & mram 文章 最新資訊
基于 QDR-IV SRAM 實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計計數(shù)器 IP設(shè)計
- 網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： SRAM 網(wǎng)絡(luò)
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！ ?yīng)用材料公司為實現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng)新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性?！ ∪缃?，除了邏
- 關(guān)鍵字： STT MRAM
新式儲存結(jié)構(gòu)能加速MRAM市場起飛嗎？
- MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術(shù)，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機(jī)存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
- 關(guān)鍵字： MRAM SRAM
如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。 目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
- 關(guān)鍵字： MRAM FRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
嵌入式存儲器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？
- 隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?！ 〗谂_積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)。預(yù)計試產(chǎn)主要采用2
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM
基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關(guān)鍵時序參數(shù)，如T
- 關(guān)鍵字： VDMR8M32 MRAM
全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場的巨大轉(zhuǎn)變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
- 關(guān)鍵字： MRAM 晶圓
迎接嵌入式存儲器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規(guī)則。 據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉(zhuǎn)變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
- 關(guān)鍵字： 存儲器 MRAM
MRAM接班主流存儲器指日可待
- 隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)的未來前景。 或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向
- MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。 MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場良性競爭的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機(jī)型的濺鍍設(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
- 關(guān)鍵字： DIGITIMES MRAM
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