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	sram & mram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          sram & mram 文章
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          基于FPGA的存儲解決方案——外部SRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有不少種類。對于外部SRAM的選擇是由應用需求的性質決定的。使用外部SRAM存儲器既有優(yōu)點又有缺點。
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          • 關鍵字：
                        SRAM  存儲器  RAM  FPGA                          
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          臺積電重返內存市場 瞄準MRAM和RRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內存市場。臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業(yè)的新潮流，值得密切關注。
　　臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進行風險性試產，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。

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          • 關鍵字：
                        臺積電  MRAM                          
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          針對微控制器應用的FPGA實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 當你打開任何智能電子設備(從老式的電視遙控器到全球定位系統(tǒng))，會發(fā)現(xiàn)幾乎所有的設備都至少采用了一個微控制器(MCU)，很多設備里還會有多個微控制器。MCU往往被用于專用的終端產品或設備中，它能夠很好地完成特殊任務。另一方面，PC的大腦，即微處理器被設計用于實現(xiàn)許多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工業(yè)和自動化應用，將其嵌入FPGA中時，還可以通過重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個設備可應用于接口標準不同的多個市場。
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          • 關鍵字：
                        微控制器  SRAM  FPGA                          
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          基于單片SRAM和FPGA的紅外圖像顯示的設計及實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 介紹一種采用單片SRAM和FPGA實現(xiàn)紅外圖像顯示的新方案，并對顯示系統(tǒng)結構、FPGA各功能模塊設計、SRAM的讀/寫時序設計進行了詳細論述。該圖像顯示方案可用于紅外圖像處理系統(tǒng)的硬件調試和紅外圖像處理效果觀測。
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          • 關鍵字：
                        紅外圖像顯示  SRAM  FPGA                          
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          基于國產龍芯GS32I的小系統(tǒng)的硬件設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一. 引言　　目前，嵌入式系統(tǒng)已經滲透到各個領域：工業(yè)控制，軍事國防，消費類電子產品，網(wǎng)絡通信等，但大部分領域的應用都是基于國外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領域使用國產芯片，走國產化道路已經成為一個迫切需要解決的問題。目前國內的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點?！　”驹O計采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設計如何構造一個小型嵌入式硬件系統(tǒng)，同時兼顧科研與應用兩方面的要求，在該平臺的基礎上可以連接各
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          • 關鍵字：
                        GS32I  SRAM                          
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          車用存儲器市場分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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          • 關鍵字：
                        汽車  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704                           
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          使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第三部分
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在本系列第二部分，我們探討了總線轉換、總線翻轉、地址奇偶校驗等重要的總線問題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問題，其中包括矯正訓練、控制/地址信號校正和讀寫校正，以及糾錯碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設計建議?！　⌒Ｕ柧毿蛄小　〈鎯ζ骺刂破骱蚎DR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓練序列”，它可通過減少字節(jié)通道之間的偏差擴大這個窗口，從而在控制器讀取存儲器的數(shù)據(jù)時，增加時序余量。校正訓練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
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          • 關鍵字：
                        QDR-IV  SRAM                          
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          使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第二部分
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　總線轉換的注意事項　　總線轉換時間非常重要，其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個I/O 端口上發(fā)生總線沖突?！　∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫指令周期相對應)算起，在整整三個時鐘周期后向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個周期發(fā)送，因為 DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應)算起五個時鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
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          • 關鍵字：
                        QDR-IV  SRAM                          
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          使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第一部分
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　流媒體視頻、云服務和移動數(shù)據(jù)推動了全球網(wǎng)絡流量的持續(xù)增長。為了支持這種增長，網(wǎng)絡系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬個數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)包的到達順序是隨機的，且每個數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個存儲動作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問數(shù)億萬次存儲器，才能在轉發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計?！　?shù)據(jù)包速率與隨機存儲器訪問速率成正比。如今的網(wǎng)絡設備需要具有很高的隨機訪問速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長的網(wǎng)絡流量。其中，RTR是衡量存儲器可以執(zhí)行的完全隨機存儲(讀或寫)的次數(shù)，即隨機存儲速
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          • 關鍵字：
                        QDR-IV  SRAM                          
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          基于QDR-IV SRAM實現(xiàn)高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在過去40年里，隨著制造工藝的進步，各種專用存儲設備不斷推向市場，滿足著不同系統(tǒng)的存儲需求。眾多的選擇，意味著系統(tǒng)架構師和設計者可以同時考慮多種方案，根據(jù)應用選擇合適的存儲子系統(tǒng)。尤其是在網(wǎng)絡應用方面，架構師面臨著不斷增加的網(wǎng)絡流量所帶來的挑戰(zhàn)?！　?jù)估計，2015年到2020年期間，網(wǎng)絡流量的年均復合增長率(CAGR)將達到22%，這一增長主要來自于無線設備的爆炸式增長以及不斷增加的視頻用量。由于數(shù)據(jù)包處理的隨機性，網(wǎng)絡傳輸?shù)年P鍵—路由器和交換機的性能將和所使用的存儲子系統(tǒng)的隨機存取性能(以隨機存取
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          • 關鍵字：
                        MAC  SRAM                          
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          新一代STT-MRAM容量達Gb水準
          
                                                            
            
                    	
          • 　　被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
　　MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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          • 關鍵字：
                        三星  MRAM                          
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          STM32硬件調試詳解
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個部分：　　一、電源　　1)、無論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空;　　2)、對于每組對應的VDD和GND都應至少放置一個104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應放置盡量靠近MCU; 3)、用萬用表測試供電電壓是否正確。調試時最好用數(shù)字電源供電，以便過壓或過流燒壞板子。電壓最好一步一步從進線端測試到芯片供電端?！　《?、復位、啟動選擇　　1)、Boot引腳與JTAG無
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          • 關鍵字：
                        STM32  SRAM                           
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          IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發(fā)表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。
　　此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。
　　三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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          • 關鍵字：
                        28nm  MRAM                          
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          MRAM大勢將至　產學界吁應盡速計劃推動
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣磁性技術協(xié)會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業(yè)界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
　　在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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          • 關鍵字：
                        MRAM                          
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          基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計
          
                                                            
            
                    	
          • 針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。 
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                        SRAM  DBL  64  kb                            
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