sram & mram 文章最新資訊

實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn) | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數(shù)據(jù)保留

01 問(wèn)題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相應(yīng)的比特位，但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。02 問(wèn)題的復(fù)現(xiàn)根據(jù)客戶的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊(cè) RM0444 發(fā)現(xiàn)，在 standby 模式下，可以通過(guò)設(shè)置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應(yīng)的 API 接口函數(shù)為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來(lái)之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì) MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲(chǔ)

多年來(lái)，各大廠商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?，F(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō)：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來(lái)越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越強(qiáng)?！沟且呀?jīng)開(kāi)始出現(xiàn)無(wú)法超越的
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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工業(yè)儲(chǔ)存技術(shù)再進(jìn)化完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身

近年來(lái)，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲(chǔ)存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來(lái)，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運(yùn)算需求，
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SRAM正在測(cè)試3D打印原型曲柄

SRAM正在通過(guò)與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開(kāi)始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于這種人工智能設(shè)計(jì)流程，我們可能會(huì)看到完全重新構(gòu)想的SRAM曲柄投放市場(chǎng)。不容置疑的是，SRAM在這種新的設(shè)計(jì)方法中投入了大量精力，并且他們已經(jīng)在真實(shí)的道路上，用這款電腦設(shè)計(jì)的山地車曲柄進(jìn)行了的多次迭代測(cè)試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開(kāi)始，讓人工智能根據(jù)曲柄組中的作用力和各種自動(dòng)化制造過(guò)程，為原型曲柄組篩選出最佳的設(shè)計(jì)形式。到目前為止，似乎SRAM已經(jīng)
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無(wú)法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負(fù)擔(dān)得起7nm技術(shù)，但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因?yàn)閺?fù)雜的設(shè)計(jì)規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術(shù)提供了一條替代途徑，通過(guò)減小電壓而不是晶體管尺寸來(lái)降低功耗。格芯還開(kāi)發(fā)了專門針對(duì)AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結(jié)果是，典型AI運(yùn)算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經(jīng)利用初代12LP技術(shù)獲得了業(yè)界領(lǐng)先的結(jié)果，首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
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使用帶有片上高速網(wǎng)絡(luò)的FPGA的八大好處

引言自從幾十年前首次推出FPGA以來(lái)，每種新架構(gòu)都繼續(xù)在采用按位（bit-wise）的布線結(jié)構(gòu)。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標(biāo)準(zhǔn)的興起，總是要求不斷增加片上總線位寬，以支持這些新的數(shù)據(jù)速率。這種限制的一個(gè)后果是，設(shè)計(jì)人員經(jīng)?；ㄙM(fèi)大量的開(kāi)發(fā)時(shí)間來(lái)嘗試實(shí)現(xiàn)時(shí)序收斂，犧牲性能來(lái)為他們的設(shè)計(jì)布局布線。傳統(tǒng)的FPGA布線基于整個(gè)FPGA中水平和垂直方向上運(yùn)行的多個(gè)獨(dú)立分段互連線（segment），在水平和垂直布線的交叉點(diǎn)處帶有開(kāi)關(guān)盒（switch box）以實(shí)現(xiàn)通路的連接。通過(guò)這些獨(dú)立段和開(kāi)
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瑞薩電子宣布擴(kuò)大IP授權(quán)范圍

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布擴(kuò)大其備受歡迎的IP的授權(quán)范圍，幫助設(shè)計(jì)師能夠在瞬息萬(wàn)變的行業(yè)中滿足廣泛的客戶需求。自即日起，客戶將可訪問(wèn)諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內(nèi)存處理）的系統(tǒng)IP，該技術(shù)首次在2019年6月的會(huì)議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關(guān)注。利用這些IP，客戶可迅速啟動(dòng)其先進(jìn)的半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，例如為領(lǐng)先的5G網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)下一代AI芯
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MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開(kāi)?！　∑?/li>
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MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局？三星已開(kāi)始大量生產(chǎn)

　　據(jù)報(bào)道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。　　這種解決方案無(wú)需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

　　在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！　RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入?！　∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過(guò)Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?！　÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
關(guān)鍵字：聯(lián)華電子 MRAM 28納米

嵌入式存儲(chǔ)器的過(guò)去與現(xiàn)在

近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年
關(guān)鍵字：嵌入式存儲(chǔ)器 MRAM eRRAM 物聯(lián)網(wǎng)