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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)1，以棋盤(pán)格方式進(jìn)行全空間讀寫(xiě)測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如T
- 關(guān)鍵字： VDMR8M32 MRAM
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