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          cmos.dram 文章
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          傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術(shù)差距約為一年半。
　　BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          CCD與CMOS圖像傳感器對比
          
                                                            
            
                    	
          • 一直以來，人們總是在討論CMOS和CCD兩種成像器之間的比較優(yōu)勢。雖然關(guān)于哪個更勝一籌的爭論紛紜已久，但自始至終卻沒有任何定論浮出水面。由于人們關(guān)注的主題總在不斷變化，因此，關(guān)于問題的答案也是不確定的。科技在
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          • 關(guān)鍵字：
                        圖像傳感器  CCD  CMOS                          
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          手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權(quán)限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  ARM                          
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          存儲器價格回溫　2016年IC市場可望成長1%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預(yù)測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預(yù)測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。
　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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          SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長預(yù)測
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測，2016年全球半導體業(yè)的增長率將是1%，之前的預(yù)測為下降2%。它的最新預(yù)測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測增加4%，上升至6%。
　　IC Insight修正預(yù)測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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          • 關(guān)鍵字：
                        SMIC  DRAM                          
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          一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線
          
                                                            
            
                    	
          • 采用標準0．18μm CMOS工藝設(shè)計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  EBG  制造  天線                            
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          手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
          
                                                            
            
                    	
          • 　　行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。
　　韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
　　目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
          
                                                            
            
                    	
          • 　　半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù)，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。
　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名，我
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          • 關(guān)鍵字：
                        Kilopass  DRAM                          
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          VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
          
                                                            
            
                    	
          • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。
　　最適用于云計算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù)
　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當前
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          • 關(guān)鍵字：
                        VLT  DRAM                          
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          基于CMOS模擬開關(guān)實現(xiàn)平衡混頻器
          
                                                            
            
                    	
          •  1 引言近年來，無線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對收發(fā)信機前端電路提出的新要求是：高線性，低電壓，低功耗，高度集成?；祛l器作為無線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一，其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。從
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          • 關(guān)鍵字：
                        單平衡混頻器    CMOS    模擬開關(guān)    開關(guān)混頻器                          
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          一種模擬除法器的設(shè)計及仿真驗證CMOS工藝
          
                                                            
            
                    	
          •  本文設(shè)計了一種模擬除法器，在分析討論其工作原理的基礎(chǔ)上，采用CSMC0.5umCMOS工藝，對電路進行了Cadence Spectre  模擬仿真，仿真結(jié)果驗證了理論分析。1 電路的設(shè)計與分析圖1 CCII 電路結(jié)構(gòu)模擬除法器由單電源+5V供
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          • 關(guān)鍵字：
                        模擬除法器  CMOS                          
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          DSP硬件設(shè)計的幾個注意事項
          
                                                            
            
                    	
          • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP電路板設(shè)計的復雜性，并且同簡單的數(shù)字電路設(shè)計相比較，面臨更多相似的問題。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DSP  CPU  CMOS  功耗                          
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          用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計及其成像驗證
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設(shè)計方向，設(shè)計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標準CMOS工藝進行
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  ADC  低噪聲  成像驗證                            
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          詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
          
                                                            
            
                    	
          •  DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設(shè)計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計中。本文概括闡述了DRAM  的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器    DRAM    SDRAM                          
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          基于USB2I2C接口的CMOS圖像傳感器在線調(diào)試系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          •  CMOS圖像傳感器是近年來發(fā)展最為快速的新型固態(tài)圖像傳感器，它利用其自身的工藝和集成的特點將光電成像陣列與信號模擬放大和數(shù)字圖像處理電路集成于單芯片內(nèi)，與CCD圖像傳感器相比，具有體積小、功耗低、控制簡單、
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  調(diào)試系統(tǒng)  接口  DSP  寄存器                          
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