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          cmos.dram 文章 最新資訊

          CMOS組件構(gòu)成的倍頻器

          • CMOS組件構(gòu)成的倍頻器
          • 關(guān)鍵字: CMOS  倍頻器  

          用CMOS集成電路構(gòu)成的數(shù)控分頻計數(shù)器

          用CMOS構(gòu)成的三穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路

          4800萬像素CMOS傳感器問世 擁有8K視頻拍攝能力

          •   為Leica M開發(fā)圖像傳感器的CMOSIS公司已經(jīng)宣布其最新產(chǎn)品 - 具有全局快門的4800萬像素CMOS傳感器。CMOSIS表示,這款型號為CMV50000的新產(chǎn)品也可以進行8K分辨率30fps視頻拍攝,并擁有先進的降噪功能。   CMV50000具有4800萬像素分辨率(7920 x 6004有效像素)與全局快門,這允許撲捉快速移動對象的詳細圖像而沒有失真。失真問題經(jīng)常困擾使用傳統(tǒng)滾動快門的CMOS傳感器。全局快門傳感器同時捕獲整個幀上的信息,而不是進行掃描捕捉。   該傳感器尺寸為36.4
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

          SK海力士:10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟報導,SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。   SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          SK海力士:10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟報導,SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。   SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          簡單的外同步CMOS振蕩器

          用CMOS“D”觸發(fā)器構(gòu)成的脈沖發(fā)生器

          CMOS乘法DAC架構(gòu)圖

          • 基于突破性10位CMOSAD7520的電阻梯乘法DAC最初用于反相運算放大器,而放大器的求和點(IOUTA)則提供了方便的虛擬地(圖1).圖1.CMOS乘法DAC架構(gòu)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  乘法DAC  架構(gòu)圖  

          CMOS非門組成線性放大器電路圖

          • 如圖所示是用CMOS非門電路加入負反饋后組成的線性放大器。圖中A是由一個非門組成的一級線性放大器,B所示是由三個非門串聯(lián)構(gòu)成的一級線性放大器。圖中R1是反饋偏置電阻,它構(gòu)成直流全反饋,使工作點穩(wěn)定,同時也構(gòu)成交流的...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  非門  線性放大器  

          賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案,實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的瞬時啟動

          •   賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存,和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ,特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別,包括
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          三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM

          •   三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始,將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品,意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片,由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進。   韓聯(lián)社等外媒報導,根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出,據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中,約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。   到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          TrendForce:十月DRAM價格月漲逾20%,4GB模組均價來到17.5美元

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格,4GB模組均價來到17.5美元,較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局,DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元,較上月同期比較已上漲17%與24%,顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,觀察市場面,由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后,
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          CMOS市場并不只有索尼 這些廠商存在感也很強

          • 如今的索尼傳感器比索尼手機的存在感無疑更加強。雖然索尼IMX系列傳感器相比三星、OV等廠商CMOS在主攝像頭位置的地位有所動搖,但是整體來說還是能夠捍衛(wèi)王者寶座。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  索尼   

          韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)

          •   南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊,由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍,籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”,投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關(guān)企業(yè)。   三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商,單是DRAM領(lǐng)域,兩大廠市占率總和超過七成,具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導體希望基金”,預料以存儲器相關(guān)業(yè)務為優(yōu)先,臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠,以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè),短線將面臨更大壓力。   業(yè)界人士分析,此次南韓的&ld
          • 關(guān)鍵字: 半導體  DRAM  
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