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          cmos.dram 文章 最新資訊

          IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長率至-1%

          •   IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負(fù)面沖擊的原因之一…   市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對(duì)2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長率預(yù)測,由原先的2%下修為-1%;該機(jī)構(gòu)表示,調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)衰弱,以及低迷不振的DRAM市場。   消 費(fèi)性電子市場與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來越密切,IC Insights預(yù)期,2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%,被認(rèn)為是
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

          •   據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實(shí)際接替者。   DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。   另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。   業(yè)界認(rèn)為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因?yàn)?5%的DRAM制造設(shè)施都
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          老杳:面對(duì)政府決策論證專家能否直面良心

          •   一條有關(guān)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞:   《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證,一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   與會(huì)專家表示,《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對(duì)標(biāo)國內(nèi)、放眼全球,符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向,具有較強(qiáng)的指向性和操作性。   老杳不是專家,不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺,在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市,僅僅一個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
          • 關(guān)鍵字: DRAM  集成電路  

          CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

          •   一、CMOS門電路   CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法:   1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平,輸出信號(hào)就為低電平,只有全部為高電平時(shí),輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          IC Insights:英脫歐/DRAM需求疲軟 拖累半導(dǎo)體市場成長率

          •   長久以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長息息相關(guān),很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場,沒有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中,市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測,今年全球GDP成長率僅2.3%,低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。   受到DRAM市場的需求下降與英國脫歐影響,整體半導(dǎo)體市場成長率將下滑。   目前,在許多地區(qū)中,地方經(jīng)濟(jì)逐漸趨緩,即便是中國,這個(gè)個(gè)人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機(jī)、新型商用飛機(jī)與汽車
          • 關(guān)鍵字: DRAM  半導(dǎo)體  

          福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

          •   記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉,《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證,一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   據(jù)介紹,《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖,提出到2025年,將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。   論證會(huì)由工信部電子一所副所長萬鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上,中科院半導(dǎo)體所所長李樹深,中科院微
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  DRAM  

          【E問E答】CMOS和TTL集成門電路多余輸入端如何處理?

          • CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作? 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法: 1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          集邦科技:DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%

          •   由于記憶體原廠端供貨吃緊,一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格,集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢確立,漲幅約4~8%。   DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示,經(jīng)過近兩年的續(xù)跌,6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平,普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元,跌幅高達(dá)62%。   吳雅婷表示,第三季的DRAM合約均價(jià)起漲,起因于標(biāo)準(zhǔn)
          • 關(guān)鍵字: 集邦科技  DRAM  

          中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場前景

          • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類,國際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況,及我國存儲(chǔ)芯片供需情況。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  市場  DRAM  Flash  201607  

          日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%,能見度到九月

          •   行動(dòng)記憶體需求暴增,在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí), PC用DRAM卻也因此受惠,現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。   據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個(gè)月上漲6%,目前來到1.74美元,某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳,但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升,是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品,以致供給減少。   PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市,盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開始減緩,但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月,
          • 關(guān)鍵字: PC  DRAM  

          汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用

          •   近年來,在政府對(duì) 汽車安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者 駕乘體驗(yàn)及自動(dòng)駕駛的趨勢推動(dòng)下,汽車 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車安全的同時(shí)還提升用戶駕乘體驗(yàn),成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測顯示,2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場的收入年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到28%。   汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域   汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛,包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
          • 關(guān)鍵字: 圖像傳感器  CMOS   

          臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍?這個(gè)鍋張忠謀背不背

          • 一個(gè)董事席位不至于讓知識(shí)產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過一個(gè)錯(cuò)誤的決定卻可能讓臺(tái)灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  集成電路  

          TrendForce:原廠控制產(chǎn)出,2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光

          •   DRAM產(chǎn)業(yè)因長期需求不振,合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元,而DDR3僅1.25美元,各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示,第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng),再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能,將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外,各家DRAM供貨商對(duì)于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          索尼仍是CMOS感光元件市場絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者

          •   對(duì)于消費(fèi)者而言,智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購買的重要因素之一,這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里,CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達(dá)到190億美元。而就目前而言,索尼依然是CMOS感光元件市場的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。   根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì),CMOS感光元件市場在2015年總市值達(dá)到67億美元,而單單索尼就控制著其中35%的市場份額(36億美元)。而其余的競爭者都無法撼動(dòng)索尼的地位,不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

          NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場趨于健康

          •   蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。   創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。   威剛董事長陳立白日
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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