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          cmos.dram 文章 最新資訊

          MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

          •   在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上,自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。   比利時研究機構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出,雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者,但這些記憶體都存在著微縮的問題,而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。   28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命,以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
          • 關(guān)鍵字: MRAM  CMOS  

          威剛:DRAM軍備賽三星帶頭喊卡 2年半空頭市場將走完

          •   臺存儲器模組廠威剛董事長陳立白指出,觀察國際龍頭大廠動向,全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止,預(yù)計DRAM價格在2016年第2季落底,9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn),為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。   陳立白認為,三星在DRAM的資本支出上踩煞車,影響接近45%的供貨,接下來就要看SK海力士的態(tài)度,如果海力士也認同避免軍備競賽的移動,開始節(jié)制資本支出,對產(chǎn)業(yè)來說就是美事一樁。   據(jù)臺存儲器模組業(yè)者表示,SK海力士新董事長
          • 關(guān)鍵字: 威剛  DRAM  

          Sony暗示iPhone相機模組被LG搶單?坦承錯估CMOS需求

          •   Sony 24日盤后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測,而熊本強震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響,不過Sony仍預(yù)估今年度營益有望呈現(xiàn)增長,也帶動Sony 25日股價大漲?! 「鶕?jù)嘉實XQ全球贏家系統(tǒng)報價,截至臺北時間25日上午8點18分為止,Sony飆漲5.47%至3,044日圓,稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng)4月21日以來新高水準?! 〔贿^全球智能手機成長減速,也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊,Sony也坦承嚴重錯估了使
          • 關(guān)鍵字: Sony  CMOS  

          三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

          •   市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。   盡管如此,受DRAM平均報價下滑沖擊,三星當(dāng)季行動DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。   SK海力士狀況類似,市占率雖然進步0.8個百分點,但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率,從去年第四
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          三星+海力士移動DRAM逼近九成,美光瀕臨淘汰

          •   市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr)   盡管如此,受DRAM平均報價下滑沖擊,三星當(dāng)季行動DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。   SK海力士狀況類似,市占率雖然進步0.8個百分點,但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          美光漲逾7%!應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手

          •   半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估,帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元,漲幅不但居費城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠,收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。   美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元,創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導(dǎo),應(yīng)材在財報電話會議上指出,投資活動逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          DRAM價格持續(xù)下跌,第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%

          •   TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,受到市況持續(xù)供過于求、平均銷售單價下降影響,2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元,環(huán)比衰退16.6%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第一季為傳統(tǒng)淡季,除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外,筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修,導(dǎo)致DRAM市場供過于求的現(xiàn)象更為明顯。   三星營收持續(xù)摘冠,美光集團開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn)   三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,第一季營收雖下跌16.6%,
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)

          •   2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。   三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

          福建晉華攜手聯(lián)電 開發(fā)制程DRAM技術(shù)

          •   晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布,與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路,簽署技術(shù)合作協(xié)議,由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。   聯(lián)電強調(diào),所開發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn),但該公司沒有要進入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀,聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開發(fā),未來視兩岸政策與市場情況,說不定將進入相關(guān)代工領(lǐng)域。   聯(lián)電表示,這次的合作協(xié)議結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力,及中國大陸的市場與資金,在臺灣進行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術(shù),主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn),不僅能提供國內(nèi)IC設(shè)計公司使用,也能結(jié)合
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  DRAM  

          大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

          •   工研院 IEK認為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行,未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。   聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。   楊瑞臨指出,中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
          • 關(guān)鍵字: DRAM   海力士  

          三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)

          •   2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。   三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

          從獨步全球到光輝不再 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興衰史

          • 從獨步全球到光輝不再,日本在失落的1/4世紀中,雖力圖振作,但仍無法跟上快速變化。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位

          •   全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。   全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。   將于周四公布第一季財報的三星,也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降,一些分析師預(yù)測1-
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減

          •   三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。   三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準。   三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計將依照市場供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          CCD與CMOS技術(shù),我們居然還有這么多不知道

          •   在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴展,不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動,還由支援平臺的進步所推動,如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天,成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見,如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像,由于影像感測器技術(shù)的進步,使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計,審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測器很有幫助?! ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀60年代,諾貝爾獎得主Boyle和Smit
          • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  
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