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          cmos.dram 文章 最新資訊

          TrendForce:九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì),均價(jià)已來(lái)到14.5美元,月漲幅達(dá)7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          CCD與CMOS的區(qū)別

          • 技術(shù)的角度比較,CCD與CMOS的區(qū)別有如下四個(gè)方面的不同:1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息,需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取,電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配
          • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  

          CMOS逐步替代CCD

          • CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢(shì),最大優(yōu)勢(shì)就是成本,還有就是采樣速度以及當(dāng)前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來(lái)說(shuō)說(shuō)CMOS相對(duì)CCD傳感器的最大優(yōu)勢(shì),那就是成本。生產(chǎn)單位數(shù)量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多,因
          • 關(guān)鍵字: CMOS  CCD  

          圖像傳感器知識(shí)大全

          • 圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同,可分為CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。CCD
          • 關(guān)鍵字: 圖象傳感器  CCD  CMOS  

          TrendForce:九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì),均價(jià)已來(lái)到14.5美元,月漲幅達(dá)7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          南亞科未來(lái)兩年投資500億元 提升價(jià)值凌駕市占率

          •   南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示,南亞科計(jì)劃兩年投資500億元,這不是小數(shù)目的投資,其目的在于提升芯片價(jià)值,而非拉升全球市占率,未來(lái)新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意,且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。   再者,南亞科召開(kāi)重大訊息指出,為導(dǎo)入20納米制程技術(shù),從2016年2月至9月29日為止,向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備,總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看,南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程,預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  

          DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高

          •   DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停,主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元,攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn),本季來(lái)大漲逾24%,第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成,南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。   業(yè)界透露,在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下,DRAM漲勢(shì)延續(xù),9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲,漲勢(shì)明確,伴隨追價(jià)買(mǎi)盤(pán)進(jìn)場(chǎng),漲勢(shì)加大。   根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià),DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元,單日漲幅1.6%,合計(jì)本周以來(lái)二個(gè)交易日
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺(jué)傳感器架構(gòu)

          •   1.前言   過(guò)去的幾十年,業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺(jué)傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討,旨在于在成像早期階段處理圖像,從場(chǎng)景中提取最重要的特征,如果換作其它方式達(dá)到同樣目的,例如,使用普通計(jì)算技術(shù),則需要為此花費(fèi)昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面,運(yùn)動(dòng)偵測(cè)是最重要的圖像特征之一,是多個(gè)復(fù)雜視覺(jué)任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對(duì)比概念,這個(gè)概念在很多應(yīng)用中特別重要,包括交通監(jiān)控、人體運(yùn)動(dòng)拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測(cè)精確并可靠,
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  

          TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別

          •   本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別,希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。   電平的概念:   什么是電壓、電流、電功率?無(wú)線電愛(ài)好者都十分清楚。而談及“電平”能說(shuō)清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到,書(shū)刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減,就連電工必備的萬(wàn)用表上都有專測(cè)電平的方法和刻線,而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常??梢?jiàn)。盡管如此,
          • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

          基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

          •   在很多場(chǎng)合,由于客觀條件限制,人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行直接觀察,只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來(lái)代替完成,在此背景下發(fā)展起來(lái)的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應(yīng)用技術(shù)之一,它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場(chǎng)合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)圖像采集,必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn):   (1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)對(duì)價(jià)格敏感。   物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用,傳感節(jié)點(diǎn)數(shù)目成百上千,若每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本提高一點(diǎn),整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會(huì)提高很多。所以傳感節(jié)點(diǎn)圖像采集的成本應(yīng)盡量低。   (2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)圖像質(zhì)量要求
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  CMOS  

          三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令

          •   三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效,全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng),主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān),也是近2個(gè)月來(lái)漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等,可望重掌多頭反攻號(hào)令。   存儲(chǔ)器渠道商表示,三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極,除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià),第4季合約價(jià)也再漲一成,連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%,等于下半年漲幅約25%。   2大韓系DRAM大廠的市占逾八成,主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

          •   明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求,韓媒指出,存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道,半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%,不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組,從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%,2017年成長(zhǎng)率可能減至10%,加劇供給不足問(wèn)題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

          •   明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求,韓媒指出,存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道,半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%,不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組,從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%,2017年成長(zhǎng)率可能減至10%,加劇供給不足問(wèn)題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

          •   美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。   光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)量
          • 關(guān)鍵字: MIT  CMOS  

          MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

          •   美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。   光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)
          • 關(guān)鍵字: MIT  CMOS  
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