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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
- 行業(yè)專家認(rèn)為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的
- 關(guān)鍵字： 存儲器 子系統(tǒng)效率 DRAM
DDR的前世與今生（一）
- DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。 說到這里，很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關(guān)于存儲的基礎(chǔ)知識吧。 ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱，是一種只能讀出事先
- 關(guān)鍵字： DDR DRAM
存儲器需求動能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價有望再漲逾一成
- 受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動，存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預(yù)計將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。 供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 由于今年中國品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺系服務(wù)器代工廠
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM
2016 DRAM市場回溫優(yōu)于預(yù)期 美光贏得外資青睞
- 繼上周日系外資提高存儲器廠美光(Micron)自每股16元的目標(biāo)價到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報告也指出，在當(dāng)前DRAM市場價格逐步回穩(wěn)的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變，也將美光的目標(biāo)價由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價位。 該外資報告一開始便提及，看好2016年以來DRAM市場的回溫與產(chǎn)品價格的回穩(wěn)，而且實(shí)際上的表現(xiàn)還比當(dāng)時預(yù)估的要好一些。不過，在當(dāng)前許多供應(yīng)商的產(chǎn)能不足的情況下，2017年DRAM的供應(yīng)依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo)，所謂的相變化存儲器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
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