cmos.dram 文章 最新資訊
DRAM芯片價格終結(jié)下滑趨勢 內(nèi)存廠現(xiàn)曙光
- 7月18國際報道 本周二發(fā)布的一份報告顯示，隨著DRAM芯片價格在7月前半月結(jié)束長期以來的下滑趨勢，內(nèi)存芯片廠商在不無的將來或許能夠看到一絲曙光。 iSuppli在這份報告中表示，由于內(nèi)存芯片廠商的庫存仍然過高，價格下跌趨勢的停止可能是短暫的。 iSuppli分析師Nam Hyung Kim說，由于三星、Hynix Semiconductor等廠商會試圖甩賣這些庫存，內(nèi)存芯片價格可能會再次下跌。 不斷下跌的DRAM芯片價格有助于PC、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)等消費電子產(chǎn)品價格的降低，但
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
三星利潤創(chuàng)4年新低 DRAM芯片價下跌
- 7月15國際報道 由于計算機(jī)內(nèi)存芯片價格的下跌使得平板面板業(yè)務(wù)的改進(jìn)黯然失色，第二季度三星的利潤創(chuàng)下了4年來的新低。 但三星下半年的前景要好得多，DDAM內(nèi)存業(yè)務(wù)將因季節(jié)性需求而轉(zhuǎn)強(qiáng)，手機(jī)和平板電視的銷售也將相當(dāng)強(qiáng)勁。 Dongbu Securities分析師Lee Min-hee說，第三季度的業(yè)績會全面好轉(zhuǎn)，液晶業(yè)務(wù)部門的業(yè)績會進(jìn)一步增長，手機(jī)利潤率將達(dá)到進(jìn)一步提高。第三季度DRAM業(yè)務(wù)的業(yè)績也將好于第二季度。 第二季度三星的凈利潤為1.42萬億韓元(合15.5億美元)，較上年同期
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 利潤 存儲器
6月連續(xù)下滑后 DRAM也將揚眉吐氣
- 從國外媒體處獲悉：在看到6月DRAM和約價格連續(xù)下滑的終結(jié)后，業(yè)內(nèi)商家對近期內(nèi)存價格的上漲趨勢表示樂觀，原因是PC OEM制造商正在積極地力推更高的內(nèi)存容量。 內(nèi)存交易企業(yè)DRAMeXchange看到，那些在季節(jié)上漲前不斷調(diào)高庫存的PC OEM制造商將逐步刺激需求。該機(jī)構(gòu)估計，7月DRAM內(nèi)存的平均銷售價格將在持續(xù)上漲基礎(chǔ)上至少增加10%。 包括戴爾和惠普在內(nèi)的這類PC OEM制造商也在為價格上漲趨勢增磚填土。有消息來源稱，在第三和第四季度中，
- 關(guān)鍵字： DRAM 消費電子 存儲器 消費電子
DRAM內(nèi)存市場供過于求 走勢取決于三星電子
- 6月10日消息，內(nèi)存交易網(wǎng)站DRAMeXchange預(yù)計今年第三季度DRAM內(nèi)存將繼續(xù)供過于求。DRAM內(nèi)存廠商對此做出了反應(yīng)并且評論說，整個市場前景在很大程度上取決于市場龍頭三星電子如何動作。 據(jù)我國臺灣地區(qū)媒體報道，雖然預(yù)計DRAM內(nèi)存合同報價在6月份將觸底，但是，DRAMeXchange認(rèn)為，DRAM內(nèi)存供過于求的局面在今年第三季度仍將繼續(xù)，只有到今年第四季度才能達(dá)到平衡。因此，這家內(nèi)存交易公司指出，三星電子和海力士半導(dǎo)體今年7月份將會把DDR2內(nèi)存產(chǎn)量較少15%。讓渠道和電腦OEM廠商
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星電子 消費電子 存儲器 消費電子
內(nèi)存DRAM芯片價格達(dá)谷底即將回調(diào)達(dá)到波谷
- 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達(dá)到了波谷，未來將有所上浮。在上周四的全球市場上，DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。計算機(jī)內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示，內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào)，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70％。 “如今的價格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點，我們都在等待重新的上浮?！盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果庫存量下滑，價格上浮
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存 消費電子 芯片價格 存儲器 消費電子
富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
- 關(guān)鍵字： 65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
內(nèi)存DRAM芯片價格達(dá)谷底即將回調(diào)
- 路透社：亞洲內(nèi)存制造商：DRAM芯片價格已到谷底，7月開始回調(diào) 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達(dá)到了波谷，未來將有所上浮。 據(jù)路透社報道，在上周四的全球市場上，DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示，內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào)，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70％。 “如今的價格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點，我們都在等待重新的
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
韓制造商全球DRAM儲存市場領(lǐng)導(dǎo)地位受到威脅
- 市場調(diào)研機(jī)構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱，未來三年內(nèi)，韓國的DRAM 儲存芯片制造商長期以來在全球的領(lǐng)先地位存在著威脅，可能將被其他外國的競爭對手奪取。 在韓國舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示，目前在全球DRAM儲存芯片市場，韓國的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置，去年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入在全球市場占到45%。相比之下中國和中國臺灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預(yù)期今年全球DRAM儲存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化，韓國廠
- 關(guān)鍵字： DRAM 儲存市場 消費電子 存儲器 消費電子
低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究
- 近年來，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個系統(tǒng)同時封裝和制造在一個芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數(shù)字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài)，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
- 關(guān)鍵字： CMOS 低電壓 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器 模擬IC 電源
DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
- 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃，部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因為DRAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認(rèn)為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本，
- 關(guān)鍵字： DRAM 成本 消費電子 存儲器 消費電子
三大DRAM廠商瘋狂擴(kuò)產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰
- 據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。 據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。 美光科技由于預(yù)測07年受手機(jī)市場帶動，CIS（C
- 關(guān)鍵字： DRAM 擴(kuò)產(chǎn) 存儲器
海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)
- 5月16日，據(jù)香港媒體報道，海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。 海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動存儲設(shè)備的價格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會快速成長。 2006年，由于電腦存儲芯片需求超過預(yù)期，導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導(dǎo)致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
- 關(guān)鍵字： DRAM 海力士半導(dǎo)體 存儲器
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
- 關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 鎖定電路
cmos.dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos.dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos.dram的理解，并與今后在此搜索cmos.dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos.dram的理解，并與今后在此搜索cmos.dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cmos.dram電路
cmos.dram相關(guān)帖子
cmos.dram資料下載
cmos.dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473