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DRAM十月價格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 集邦 DRAM ETT MCU和嵌入式微處理器
DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預期十一
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1美元失守！臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關卡，以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估，臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失，且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴大，若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚，初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上，其中，以力晶處境最為不利。
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 1美元 MCU和嵌入式微處理器
0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設計
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置，其性能指針的好壞對接收機整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻[1]，對于由多級放大器組成的接收系統(tǒng)，其整機噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)。典型地，接收機接收的信號強度在-120～-20 dBm之間，因而為了滿足系統(tǒng)要求，對LNA主要有以下要求： (1) 提供合適的增益放大信號，以減小后續(xù)電路對系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 CMOS 低噪聲放大器 放大器
嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術
- 提出了CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術，通過設計軟件驅動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動采集。
- 關鍵字： CMOS 嵌入式系統(tǒng) 接口技術 圖像傳感器
今年全球半導體大型設備開支將達437億美元
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，全球半導體大型設備開支增長速度正在減緩，這種低迷的狀況預計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導體大型設備開支總額將達到437億美元，比2006年增長4.1%。2008年全球半導體大型設備開始預計將比2007年增長0.3%。 Gartner分析師稱，2007年全球半導體大型設備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導體大型設備的開支將勉強實現(xiàn)正增長，晶圓加工設備的開支將出現(xiàn)小幅度的負增長。后端設備市場的前景仍是正增長。 Gar
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 半導體 晶圓加工 DRAM
射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內兩家領先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝，與此
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
集邦：9月下旬DRAM合約價格預計下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當DDR2eTT價格跌破5月低點后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器
DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑
- 據(jù)國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內存價格猛跌，行業(yè)分析師預測，DRAM價格還將進一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內存芯片進行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM DDR DDR2 存儲器
安森美推出便攜設備電源穩(wěn)壓應用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應用，如手機、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流，特別結合了工藝與架構，能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容，或在空載條件下，NCP590都能穩(wěn)定工作。
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 安森美 CMOS LDO 穩(wěn)壓器 元件 制造
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