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CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場
- 目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應(yīng)用的需要?；跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個全新領(lǐng)域，為用戶提供了更多選擇。 從CCD到CMOS：大勢所趨 在過去三十年左右的時間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
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嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索
- 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開發(fā)受到限制?，F(xiàn)在，已經(jīng)進入消費類屏幕市場的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機器視覺應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 在傳統(tǒng)光學(xué)存儲設(shè)備中，數(shù)
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用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計，具有噪聲低和感光度高等特點。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設(shè)計、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進行了論述。 &nbs
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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品
- 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
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全球12吋DRAM廠版圖擴大 亞洲成為戰(zhàn)略重地
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢達(Qimonda)正式對外宣布，將在未來5年出資20億歐元，在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠，自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場卡位，其中，北有爾必達(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢達，全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進廠。 奇夢達26日表示，未來5年內(nèi)將在新加坡花費高達20億歐元興建12吋廠，奇夢達全球總裁暨執(zhí)行長羅建
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Hynix勢頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息，據(jù)國外媒體報道，權(quán)威調(diào)研機構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點，可能被競爭對手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個百分點。這是自2000年以來，三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過去的五年中，三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下，競爭對手Hynix的市場份額達到了22.8%。銷售額達到了21.82億美元，同比增長6
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常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理
- 開關(guān)在電路中起接通信號或斷開信號的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動繼電器的驅(qū)動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號。 一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個封裝內(nèi)部有4個獨立的模擬開關(guān),每個模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
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DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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ROHM開發(fā)CMOS運算放大器和比較器
- ROHM株式會社針對力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機、游戲機等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7％，每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來自4月上旬的合約價格，它們顯示出DR
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4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息，據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%，每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
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揚長補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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印度半導(dǎo)體離中國還很遠
- 29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設(shè)計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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