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中芯國(guó)際今年仍盈利無(wú)望赴內(nèi)地上市存障礙

　　中芯國(guó)際連年虧損，今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示，今年仍然可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)盈利目標(biāo)，但對(duì)集團(tuán)整體展望仍是正面。　　中芯第三季業(yè)績(jī)因DRAM價(jià)格走弱而虧損2,555萬(wàn)美元，外電引述張汝京的話表示，若集團(tuán)的DRAM業(yè)務(wù)能夠達(dá)到收支平衡，全年才有望獲得盈利。　　集團(tuán)早前預(yù)期今年DRAM業(yè)務(wù)將難有明顯改善。此外，張汝京表示，中芯仍計(jì)劃于內(nèi)地上市，但目前仍存有許多障礙。　　集團(tuán)于上海的12英寸芯片生產(chǎn)線，昨日正式投產(chǎn)，初期投資4.5億美元，未來(lái)投資總額將增加至20億美元。張汝京表示，上海的生產(chǎn)線
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分割DRAM虧損部門(mén) 矽統(tǒng)裁員不裁錢(qián)

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐，進(jìn)行重整計(jì)劃，上月爆出消息，矽統(tǒng)將虧損關(guān)鍵DRAM模塊部門(mén)分割獨(dú)立為子公司昱聯(lián)科技外，近期傳出，矽統(tǒng)將大舉進(jìn)行裁員。矽統(tǒng)表示，由于DRAM跌價(jià)重創(chuàng)，前三季都大虧，為改善這一局面，矽統(tǒng)將進(jìn)行規(guī)模重整，調(diào)整營(yíng)運(yùn)步伐，進(jìn)行有效裁員，期望至明年上半年慢慢回升績(jī)效，至明年下半年，可望營(yíng)收回升，整體回暖。　　威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵，帶給英特爾極大的威脅，但由于一些技術(shù)上以及專(zhuān)利方面的原因，以及全球大氣候的影響，慢慢被強(qiáng)勁的對(duì)手比拼，聲勢(shì)日漸低落，即使全力一搏，
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意法半導(dǎo)體（ST）芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級(jí)

　　意法半導(dǎo)體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項(xiàng)先端技術(shù)對(duì)于下一代無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。　　這些系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是在ST的法國(guó)Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級(jí)RF信號(hào)檢測(cè)到下一步信號(hào)處理需要的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。　　ST的半導(dǎo)體成就歸功于公司開(kāi)發(fā)CM
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 意法半導(dǎo)體 45nm CMOS EDA IC設(shè)計(jì)

2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

　　2007年12月10日，意法半導(dǎo)體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
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DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預(yù)計(jì)08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開(kāi)支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%，原來(lái)預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開(kāi)支減少10-12%。　　在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過(guò)于求情況?！斑@主要由于按容量計(jì)
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CMOS集成電路設(shè)計(jì)中電阻設(shè)計(jì)方法的研究

討論了集成電路設(shè)計(jì)中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實(shí)現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及其不同的作用
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路設(shè)計(jì) 電阻設(shè)計(jì)方法

以有源電感為負(fù)載的CMOS寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負(fù)載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級(jí)聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
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第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%，達(dá)42億美元

　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋(píng)果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快，其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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NEC電子開(kāi)發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)

　　NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)，使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細(xì)，被稱(chēng)為45nm的下一代產(chǎn)品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz，同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。　　UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
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供應(yīng)過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過(guò)剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表金士頓仍是霸主

　　據(jù)iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，但同期增長(zhǎng)最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見(jiàn)與記憶科技。　　2007年上半年，臺(tái)灣創(chuàng)見(jiàn)DRAM模塊銷(xiāo)售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應(yīng)商中增長(zhǎng)率最高。其銷(xiāo)售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(zhǎng)到2.5億美元。創(chuàng)見(jiàn)在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。　　iSuppli公司的存儲(chǔ)IC和存儲(chǔ)系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創(chuàng)見(jiàn)
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡，資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè)，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。　　他在報(bào)告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn)，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?！彼瑫r(shí)表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?！? 　　他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè)，預(yù)計(jì)“整
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CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

　　1 引言　　利用高速線掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控，具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見(jiàn)的線掃描攝像機(jī)，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強(qiáng)信號(hào)的輸出強(qiáng)度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
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一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

0 引言帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE
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美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示，近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)3%，在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。　　SIA表示，它預(yù)計(jì)全球的芯片銷(xiāo)售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元，增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。　　6月份，SIA將今年芯片銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%，主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷(xiāo)售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng)，迫使SIA提高了對(duì)芯片銷(xiāo)售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。　　S
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