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美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠

2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測試?！　榇?，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成，總投資將達(dá)到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
關(guān)鍵字： DRAM 美光存儲(chǔ)器

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競爭最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC制造單片機(jī) 理性突圍嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)。縱觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC 存儲(chǔ)器

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開關(guān)（以下簡稱多路開關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關(guān)的種類，注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開關(guān)

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動(dòng)化和多種無線連接應(yīng)用要求，提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

奇夢達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗(yàn)證

奇夢達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗(yàn)證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個(gè)75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項(xiàng)新的技術(shù)平臺(tái)和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項(xiàng)新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。負(fù)責(zé)奇夢達(dá)的市場和運(yùn)作，也是管理委員會(huì)的委員之一的賽佛(Thomas&
關(guān)鍵字： 75納米 DRAM 單片機(jī) 技術(shù)驗(yàn)證南亞科技奇夢達(dá) 嵌入式系統(tǒng) 通訊網(wǎng)絡(luò) 無線存儲(chǔ)器

因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位

iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個(gè)月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動(dòng)個(gè)人電腦銷售增長。　　　這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報(bào)告中調(diào)升短期DRAM市況評(píng)等，由原先的“中性”升至“正向”。　　　　iSuppli在9月5日發(fā)表的報(bào)告中指出，8月初時(shí)，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加?！?nbsp; 　　由于微處理器
關(guān)鍵字： DRAM PC 單片機(jī) 庫存嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子需求存儲(chǔ)器消費(fèi)電子