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ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器

高性能模擬器件和混合信號(hào)產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片，新產(chǎn)品完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的溫度監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快，但是內(nèi)存過(guò)熱的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度，為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過(guò)熱措施提供依據(jù)，因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中變得更為重要。 STTS424是一個(gè)獨(dú)立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片，而STTS
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市場(chǎng)趨于飽和 CMOS圖象傳感器已日薄西山？

在經(jīng)歷了一段時(shí)間的瘋狂增長(zhǎng)之后，CMOS傳感器市場(chǎng)市場(chǎng)終于衰退下來(lái)。最近有報(bào)導(dǎo)稱，在CMOS圖象傳感情市場(chǎng)一片頹勢(shì)的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應(yīng)商美光公司正在準(zhǔn)備剝離這一業(yè)務(wù)。 OmniVision、三星、意法半導(dǎo)體和東芝等CMOS圖象傳感器市場(chǎng)的其它供應(yīng)商也同樣經(jīng)歷了一段混亂時(shí)期。 ICInsights公司分析師Ro
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes

Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位，Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達(dá)25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬(wàn)通道數(shù)的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀(jì)錄，現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗(yàn)證的17 Gbps SerDes性能將
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DRAM市場(chǎng)重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛下半年將出現(xiàn)反彈

2001年DRAM市場(chǎng)價(jià)格崩潰以來(lái)，經(jīng)歷了市場(chǎng)惡化最嚴(yán)重的半年后，2007年下半年DRAM市場(chǎng)開(kāi)始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛，預(yù)計(jì)2007年下半年銷售價(jià)格將一路走高。下半年的樂(lè)觀因素包括返校帶來(lái)的銷售高峰，以及季節(jié)性假日需求來(lái)臨，其它具體原因還包括：2007年P(guān)C出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12%，內(nèi)存平均容量為1.4GB，比2006年的平均800MB內(nèi)存增長(zhǎng)75%。2007年第2季度，預(yù)計(jì)每臺(tái)電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB，2007年第3季度預(yù)計(jì)達(dá)到1.4GB，2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信，到200
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DRAM和NAND閃存價(jià)格上漲幅度開(kāi)始回落

閃存的合約價(jià)格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過(guò)目前漲勢(shì)已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計(jì)第三季度價(jià)格將輕微上漲，同時(shí)出貨量也大幅提升了。同時(shí)，NAND目前價(jià)格也呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。　　DRAM報(bào)價(jià)一片漲聲　　根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價(jià)格上漲了20%以上，不過(guò)7月下半月的上漲幅度回落到了3%。　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報(bào)價(jià)
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最糟糕的”

根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營(yíng)損失，該市場(chǎng)有史以來(lái)第一次發(fā)生這樣的事情。經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則需求對(duì)降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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記憶科技、勤茂DRAM模塊市場(chǎng)銷量迅猛增長(zhǎng)

2006年DRAM模塊市場(chǎng)的亮點(diǎn)是內(nèi)存供應(yīng)商記憶科技（Ramaxel Technology Ltd）和勤茂科技（TwinMOS Technologies Inc.）產(chǎn)品銷量迅猛增長(zhǎng)，增長(zhǎng)率分別達(dá)到85%和127%。中國(guó)的記憶科技公司不僅是給全球排名第四的PC制造商聯(lián)想直接供貨的OEM，而且是PC制造業(yè)龍頭惠普公司的模塊供應(yīng)商。其營(yíng)收和出貨量增長(zhǎng)均與HP市場(chǎng)份額的上升保持一致。臺(tái)灣勤茂的增長(zhǎng)受益于它和中國(guó)模塊分銷商的合作，它們讓其享受到中國(guó)經(jīng)濟(jì)高速增長(zhǎng)推動(dòng)PC組裝
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單一集成電路形成廉價(jià)的電感測(cè)試儀

這個(gè)設(shè)計(jì)思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測(cè)試儀。這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信號(hào)就是可以驅(qū)動(dòng)輸出端得高低。
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德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列

日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級(jí)，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過(guò)程控制，但是也廣泛適用于多種應(yīng)用，其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測(cè)試與測(cè)量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠?yàn)锳DC提供精確的電壓基準(zhǔn)，而無(wú)需額外運(yùn)放緩沖器。高精度(0.05%最大
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格下跌廠商釋出庫(kù)存

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng)，使得部份庫(kù)存較多的分銷商反手殺出手中的庫(kù)存。集邦表示，DDR2 eTT報(bào)價(jià)在上周五(10號(hào))再度跌破2美元關(guān)卡到1.93美元。集邦表示，時(shí)序進(jìn)入傳統(tǒng)PC銷售旺季，但DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)終端需求始終沒(méi)有明顯放大，尤其往年七月份是中國(guó)大陸地區(qū)的銷售旺季，但如今需求也顯得十分冷清。盡管現(xiàn)貨市場(chǎng)需求已較上個(gè)月回溫，但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格。至于合約市場(chǎng)部分，八月
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來(lái)，基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開(kāi)發(fā)該項(xiàng)目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處
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DRAM價(jià)格回暖芯片廠商股價(jià)大幅上漲

　　從國(guó)外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格大幅上漲，包括韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價(jià)均呈現(xiàn)不同程度的上漲。　　根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價(jià)格上漲17%，這同時(shí)也是疲軟的內(nèi)存市場(chǎng)近期出現(xiàn)的罕見(jiàn)的價(jià)格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場(chǎng)需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價(jià)格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。　　業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格反彈可能也只是暫時(shí)現(xiàn)象，但同時(shí)也堅(jiān)定
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主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，2007年第二季度對(duì)于DRAM內(nèi)存芯片廠商來(lái)說(shuō)是非?？膳碌囊粋€(gè)月。DRAM內(nèi)存芯片嚴(yán)重的供過(guò)于求使全球十大DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商中有九家供應(yīng)商的銷售收入大幅度下降，盡管這些供應(yīng)商的出貨量增長(zhǎng)了。受到打擊最大的是排名第二位的海力士半導(dǎo)體。海力士第二季度的DRAM內(nèi)存芯片銷售收入為15.2億美元，比第一季度下降了29.7%，盡管海力士的出貨量比第一季度增長(zhǎng)了22%。 Elpida的DRAM內(nèi)存芯片銷售收入為8.85億美元，比第一季度下降了24
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)

　　日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號(hào)帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。　　Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的理想?yún)?shù)。　　所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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iSuppli：金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

　　7月26日消息，據(jù)最新一份市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告，如果按照公司營(yíng)收標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算，內(nèi)存制造商金士頓在全球記憶體模組（DRam）供應(yīng)商排行榜上名列第一。　　據(jù)vnunet報(bào)道，此份調(diào)查報(bào)告由iSuppli提供，憑借產(chǎn)品利潤(rùn)率方面的優(yōu)勢(shì)，在2006年中金士頓公司創(chuàng)造了DRam產(chǎn)品總銷量22億美元的新紀(jì)錄，幾乎比前一年提高了8億美元。按照該數(shù)字計(jì)算，金士頓公司在全球市場(chǎng)的占有率攀升到了18.1％，幾乎是市場(chǎng)第二名Smart Modular科技公司的三倍之多，后者只有可憐的5.5％。“能夠成為iSuppli排行榜上的第
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