晶圓.ic 文章 最新資訊
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預(yù)計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個百分點(diǎn)。預(yù)計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓 半導(dǎo)體市場
晶合集成5000萬像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實現(xiàn)量產(chǎn)之后，晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期，晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器（BSI）迎來批量量產(chǎn)，極大賦能智能手機(jī)的不同應(yīng)用場景,實現(xiàn)由中低端向中高端應(yīng)用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來倍速增長，出貨量占比將顯著提升, 成為顯示驅(qū)動芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來，5000萬像素CIS已在智能手機(jī)配置上加速滲透。晶合集成與國內(nèi)設(shè)計公司合作，基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，使用背照式工藝技術(shù)復(fù)合式金屬柵欄，不僅提升了產(chǎn)品進(jìn)光量，還兼具高
- 關(guān)鍵字： 晶圓 CIS
臺積電：設(shè)備復(fù)原率已超70%，主要機(jī)臺皆無受損情況
- 據(jù)多方媒體報道，近日，中國臺灣地區(qū)花蓮縣發(fā)生多次地震，其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響，臺積電對媒體表示，臺積公司在臺灣的晶圓廠工安系統(tǒng)正常，為確保人員安全，據(jù)公司內(nèi)部程序啟動相關(guān)預(yù)防措施，部分廠區(qū)在第一時間進(jìn)行疏散，人員皆平安并在確認(rèn)安全后回到工作崗位。雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，主要機(jī)臺包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無受損。臺積電還表示，在地震發(fā)生后10小時內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70%，新建的晶圓廠（如晶圓十八廠）的復(fù)原率更已超過80％。目前正與客戶保持密切溝通，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓 設(shè)備
2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出可望達(dá)1370億美元新高
- 近日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內(nèi)存市場復(fù)蘇以及對高效能運(yùn)算和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球用于前端設(shè)施的300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計將在2025年成長20%至1165億美元，2026年將成長12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng)下歷史新高。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manoch
- 關(guān)鍵字： 晶圓 設(shè)備
英國首座12英寸晶圓廠啟用
- 近日，英國半導(dǎo)體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達(dá)勒姆（Durham）的最新工廠。該公司表示，這是英國首個生產(chǎn)300毫米半導(dǎo)體芯片的工廠。Pragmatic Park預(yù)期將在未來五年內(nèi)創(chuàng)造500個高技能工作崗位，并加強(qiáng)英國的科技生態(tài)系統(tǒng)。該公司還聲稱，相較傳統(tǒng)硅芯片生產(chǎn)，該公司的生產(chǎn)過程更環(huán)保，耗能和水量更少，二氧化碳排放也顯著降低。Pragmatic總部設(shè)于英國劍橋，首間工廠位于達(dá)勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應(yīng)用于智能封裝，這種于采
- 關(guān)鍵字： MCU 晶圓 英國
300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應(yīng)用于前道工藝的 300mm 晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
- 關(guān)鍵字： 晶圓
紅外鏡頭SWIR系列在硅晶圓共位貼合技術(shù)中的應(yīng)用
- 硅晶圓共位貼合如有圖所示是一種用于半導(dǎo)體芯片精密對準(zhǔn)和鍵合到基板上的先進(jìn)技術(shù)，該技術(shù)利用短波紅外 (SWIR) 光實現(xiàn)高精度定位和高效鍵合。目前常見的芯片貼合工藝芯片對芯片 (CoC)：將芯片直接粘合到其他芯片上，可通過焊接、粘合劑或直接鍵合等方式實現(xiàn)；芯片對晶圓 (CoW)：將芯片粘合到晶圓上，類似于CoC，但晶圓比芯片大得多。CoW常用于創(chuàng)建堆疊芯片，可提升性能或功能；晶圓對晶圓 (WoW)：將晶圓直接粘合到其他晶圓上，是最復(fù)雜的工藝，用于創(chuàng)建三維集成電路 (3
- 關(guān)鍵字： 芯片半導(dǎo)體 紅外鏡頭 晶圓
ASML前CTO，加入ASM
- 近日，ASM International NV（ASM）宣布提名Martin van den Brink為其監(jiān)事會成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會。據(jù)介紹，1984年，Martin van den Brink以工程師身份加入當(dāng)時新成立的ASML，并于1995年成為技術(shù)副總裁（CTO）。1999年，他被任命為ASML管理委員會成員，2013年，他被任命為首席技術(shù)官。在擔(dān)任公司領(lǐng)導(dǎo)期間，他是推動ASML發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵，這些創(chuàng)新幫助塑造了整個半導(dǎo)體行業(yè)。
- 關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓
瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 英飛凌 晶圓
模擬: 對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設(shè)計，不然可能會出現(xiàn)掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發(fā)現(xiàn)如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數(shù)據(jù)線由主芯片（AM3352）側(cè)飛線到EMMC，D0開始傳輸數(shù)據(jù)信號，eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字： 自動檢測 IC TXB0104 電平 轉(zhuǎn)換端口
英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
- 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴(kuò)大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
晶圓.ic介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條晶圓.ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對晶圓.ic的理解，并與今后在此搜索晶圓.ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對晶圓.ic的理解，并與今后在此搜索晶圓.ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
晶圓.ic相關(guān)帖子
晶圓.ic資料下載
晶圓.ic專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473