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SEMI：三季度全球硅晶圓出貨面積達 37.41 億平方英寸，創(chuàng)下新紀錄
- IT之家10 月 30 日消息，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）最新數(shù)據(jù)顯示，2022 年第三季度全球硅晶圓出貨面積創(chuàng)下 37.41 億平方英寸的新紀錄，環(huán)比增長 1.0%，同比增長 2.5%。IT之家了解到，SEMI 表示，盡管半導(dǎo)體行業(yè)面臨宏觀經(jīng)濟的影響，但硅晶圓的出貨量比上一季度仍有增長。由于硅晶圓在更廣泛的周期性行業(yè)中的作用至關(guān)重要，其仍然對長期增長充滿信心。報告指出，硅晶圓是大多數(shù)半導(dǎo)體的基本材料，半導(dǎo)體是包括計算機、電信產(chǎn)品和消費設(shè)備在內(nèi)的所有電子產(chǎn)品的重要組成部分。高度工程化的晶圓片直徑
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GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計，增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設(shè)計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
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預(yù)計2022全球晶圓廠設(shè)備支出將抵近千億美元的歷史新高
- SEMI發(fā)布了最新一季的世界晶圓廠預(yù)測報告，推測本年度全球前端晶圓廠的設(shè)備支出將同比增長約9%，達到990億美元（約7098.3億元人民幣）的歷史新高。此外SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示，在2022年達到創(chuàng)紀錄水平后，預(yù)計在新的晶圓廠建設(shè)和升級的推動下，全球晶圓廠設(shè)備市場明年將繼續(xù)保持健康發(fā)展。報告預(yù)計：· 中國臺灣地區(qū)將引領(lǐng)本年度的晶圓廠設(shè)備支出，同比增長47%至300億美元（約 2151 億元人民幣）· 中國大陸地區(qū)為220億美元（約1577.4億元人民幣），較去年峰值下降11.
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半導(dǎo)體8寸晶圓行情“急轉(zhuǎn)直下”，少數(shù)晶圓廠已同意延期拉貨
- 據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》，半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。業(yè)界人士透露，近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”，后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊，環(huán)球晶、臺勝科、合晶等臺廠警戒。其中，合晶8吋矽晶圓產(chǎn)品比重最高，恐率先感受市況波動，環(huán)球晶、臺勝科也將逐步受影響。受半導(dǎo)體市場需求轉(zhuǎn)弱沖擊，業(yè)界人士指出，有部分矽晶圓廠商已同意一些下游長約客戶的要求，可延后拉貨時程。 業(yè)界人士透露，近期8寸晶圓市況突然急轉(zhuǎn)直下，估計后續(xù)可能蔓延到12寸記憶體用硅晶圓，再延伸到12寸邏輯IC應(yīng)用，預(yù)期客戶端于第四季度到明年第
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西門子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力
- · 西門子先進的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進的數(shù)字驗證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號設(shè)計 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出 Symphony? Pro 平臺，基于原有的 Symphony 混合信號驗證能力，進一步擴展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
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打造驅(qū)動第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
- 受訪人：亞德諾半導(dǎo)體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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全球首發(fā)3nm工藝 三星自己建議拆分自己：跟臺積電拼了
- 在全球半導(dǎo)體晶圓代工市場上，三星雖然是僅次于臺積電的第二大公司，但是三星跟臺積電的差距還是很大的，技術(shù)及產(chǎn)能都遠不如后者，今年又丟了高通的驍龍8+訂單，未來的解決辦法可能就是拆分業(yè)務(wù)，將晶圓代工業(yè)務(wù)獨立運營?！ ∪窃诎雽?dǎo)體行業(yè)的整體實力不俗，但主要優(yōu)勢在存儲芯片上，包括閃存及內(nèi)存都是全球第一，但在晶圓代工業(yè)務(wù)上多年來都是老二，而且差距還在擴大，不過三星早就定下目標，希望在2030年前超越臺積電?！ ∪绾螌崿F(xiàn)這個目標，同為三星集團的三星證券提出了意見，那就是三星電子拆分晶圓代工部門，并且去美國上市，以
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TrendForce：預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%
- IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預(yù)計第三季度驅(qū)動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進一步表示，中國面板驅(qū)動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能，更愿意配合面板廠的要求，價格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會比預(yù)估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外，TrendFor
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無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念
- 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復(fù)位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓撲結(jié)構(gòu)，即開漏和推挽（圖1），兩種拓撲結(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓撲的開漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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格芯舉行新加坡新廠房的首臺設(shè)備搬入儀式
- 全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體制造商格芯?（GF?）（納斯達克股票代碼：GFS）今日宣布，首臺設(shè)備已經(jīng)搬入該公司位于新加坡園區(qū)的新廠房。我們與新加坡經(jīng)濟發(fā)展局攜手合作，與忠實客戶共同投資，在新加坡產(chǎn)能擴容第一期工程破土動工僅一年之后達成了這個里程碑。隨著這個里程碑的達成，格芯(GF)又向新加坡工廠制造產(chǎn)能擴容的目標邁進了一步，從而能夠更好地滿足全球市場對格芯(GF)制造芯片的更多需求，這些芯片廣泛應(yīng)用于汽車、智能手機、無線連接、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備和其他應(yīng)用。 今天在新建廠房舉行的設(shè)備搬入儀式上，格
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聯(lián)電科學(xué)基礎(chǔ)減碳目標 領(lǐng)先晶圓專工業(yè)通過SBTi審核
- 氣候極端變化的危機步步逼近，如何阻止地球升溫已是全球關(guān)注的課題。聯(lián)華電子今(23)日宣布，針對氣候調(diào)適議題所設(shè)定的減碳路徑，已通過國際科學(xué)基礎(chǔ)減碳目標倡議(SBTi)審核，為全球第一家通過的半導(dǎo)體晶圓專工業(yè)者。這是聯(lián)電繼2021年宣示2050年凈零排放后，再次領(lǐng)先業(yè)界通過審查，為達成凈零目標邁出重要一步。 聯(lián)華電子共同總經(jīng)理暨永續(xù)長簡山杰表示：“聯(lián)電在去(2021)年宣示2050年凈零排放承諾，此次通過科學(xué)基礎(chǔ)減碳目標(SBT)的審核，正是為達成凈零排放確定路徑，更確立我們的目標與國際趨勢一致。
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐
- 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點的必爭領(lǐng)域。為了進一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月，收到企業(yè)自薦及機構(gòu)推薦
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