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          晶圓.ic 文章 最新資訊

          西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場

          • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析,幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具,能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
          • 關(guān)鍵字: 西門子  Calibre 3DThermal  3D IC  

          可用面積達12吋晶圓3.7倍,臺積電發(fā)力面板級先進封裝技術(shù)

          • 6月21日消息,據(jù)日媒報道,在CoWoS訂單滿載、積極擴產(chǎn)之際,臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前,英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱,為應(yīng)對未來AI需求趨勢,臺積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作,準備研發(fā)新的先進封裝技術(shù),計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝,取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓,從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示,扇出面板級封裝(FOPLP)是基于重新布線層(RDL)工藝,將芯片重新分布在大面板上進行互連的
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          imec首次展示CFET晶體管,將在0.7nm A7節(jié)點引入

          • 自比利時微電子研究中心(imec)官網(wǎng)獲悉,6月18日,在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會(2024 VLSI)上,imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點都是利用正面光刻技術(shù)獲得,但imec也展示了將底部觸點轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線圖看,其設(shè)想在A7節(jié)點器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進的布線技術(shù)相輔相成,CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低,而不
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  CFET  英特爾  

          消息稱臺積電研究新的先進芯片封裝技術(shù):矩形代替圓形晶圓

          • IT之家 6 月 20 日消息,IT之家援引日經(jīng)亞洲報道,臺積電在研究一種新的先進芯片封裝方法,使用矩形基板,而不是傳統(tǒng)圓形晶圓,從而在每個晶圓上放置更多的芯片。消息人士透露,矩形基板目前正在試驗中,尺寸為 510 mm 乘 515 mm,可用面積是圓形晶圓的三倍多,采用矩形意味著邊緣剩余的未使用面積會更少。報道稱,這項研究仍然處于早期階段,在新形狀基板上的尖端芯片封裝中涂覆光刻膠是瓶頸之一,需要像臺積電這樣擁有深厚財力的芯片制造商來推動設(shè)備制造商改變設(shè)備設(shè)計。在芯片制造中,芯片封裝技術(shù)曾被認為
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  晶圓  

          三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年

          • 據(jù)外媒報道,三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工,并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。報道中稱,三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(
          • 關(guān)鍵字: 三星  1nm  晶圓  

          遍地開花,全球多座晶圓廠刷新進度條!

          • 5月23日,臺積電晶圓18B廠資深廠長黃遠國在2024技術(shù)論壇上表示,由于3納米的產(chǎn)能擴充仍無法滿足市場需求,臺積電計劃今年在全球范圍內(nèi)建設(shè)7座工廠。據(jù)悉,臺積電3納米先進制程于2023年開始量產(chǎn),其良率和同時期的N4制程一樣,且現(xiàn)階段產(chǎn)能也繼續(xù)擴產(chǎn)中,但這依然無法滿足客戶需求。市場需求強勁 ,臺積電7座工廠在路上黃遠國表示,因應(yīng)高效能運算(HPC)及智能手機強勁需求,臺積電今年持續(xù)積極擴產(chǎn),將興建7座工廠,預(yù)計今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。作為全球最大的晶圓代工廠商,臺積電似乎從不吝嗇在
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  全球半導(dǎo)體  市場  

          西門子推出 Solido IP 驗證套件,為下一代 IC 設(shè)計提供端到端的芯片質(zhì)量保證

          • ●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設(shè)計周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證,為IP開發(fā)團隊提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite),這是一套完整的自動化簽核解決方案,可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計知識產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍,涵蓋所有 IP 設(shè)計視圖和格式,還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證,能夠提升完整芯
          • 關(guān)鍵字: 西門子  Solido IP  IC設(shè)計  IC 設(shè)計  

          全球芯片設(shè)計廠商TOP10:英偉達首次登頂

          • 得益于人工智能需求激增推動的英偉達營收大增,全球前十大芯片設(shè)計廠商在去年的營收超過了1600億美元,英偉達也首次成為年度營收最高的芯片設(shè)計廠商。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  英偉達  IC  高通  博通  

          Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

          • 這幾年,Intel以空前的力度推進先進制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設(shè)計,最多288個。In
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          欠電壓閉鎖的一種解釋

          • 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅(qū)動要求時,我們經(jīng)常使用簡化,如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當VDD軌降至2.95V時,接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
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          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

          • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專利,準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題,將裝置中
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          聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計今年量產(chǎn)

          • 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會,公布2024年第一季財報,合并營收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營運效率提升,仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下,特殊制程占總營收
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  

          瞄準AI需求:臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm

          • 最新消息,臺積電官網(wǎng)宣布,在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm,量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日,在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上,CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂,最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm,臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應(yīng),他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓練
          • 關(guān)鍵字: AI  臺積電  晶圓  制程  2nm  3nm  

          如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲

          • 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
          • 關(guān)鍵字: 3D-IC  

          地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊

          • 今年4月初,中國臺灣地區(qū)發(fā)生近25年來的最大地震,引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注,特別是半導(dǎo)體行業(yè),甚至有媒體發(fā)文稱:全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說呢?我們知道,全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺積電就位于臺灣省,其向世界各大半導(dǎo)體公司供貨,特別是蘋果、英偉達和高通等頭部公司,如果負責全球半導(dǎo)體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線出現(xiàn)問題,那么不排除全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈崩潰的可能性。目前評估結(jié)果顯示,此次強震對臺積電核心代工生產(chǎn)設(shè)施和DRAM(一種半導(dǎo)體存儲器)生產(chǎn)線未造成嚴重影響,讓外界稍稍松了口氣。但有分析認為
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  地震  美光  晶圓  
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