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臺(tái)積電2nm良率曝光

在技術(shù)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺(tái)積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)高達(dá)3萬美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
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臺(tái)積電可能對(duì)1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成

隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候開始采用其 N2（2nm 級(jí)）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續(xù)節(jié)點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達(dá) 2 美元的費(fèi)用，但現(xiàn)在《中國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，該公司將對(duì)“更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)”收取每片晶圓高達(dá) 45,000 美元的費(fèi)用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級(jí)）節(jié)點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺(tái)積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)將達(dá)到 45,000
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三星美國(guó)工廠進(jìn)退兩難

由于全球芯片供應(yīng)過剩削弱了早期的樂觀預(yù)期，三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州投資超過370億美元的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度滯后。據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，截至4月22日，三星電子位于德州泰勒市的工廠建設(shè)進(jìn)度已達(dá)99.6%，通常情況下應(yīng)開始搬入設(shè)備，但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動(dòng)工以來，泰勒工廠的建設(shè)時(shí)間表已多次推遲。該廠最初計(jì)劃于2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)，后調(diào)整至2025年，2025年初又進(jìn)一步推遲至2026年。同時(shí)，三星在本土也推遲了部分工廠建設(shè)進(jìn)度，并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補(bǔ)貼面臨不確定性三星的泰勒
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傳臺(tái)積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用

據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，隨著臺(tái)積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報(bào)道，2nm 晶圓價(jià)格已達(dá)到每單位 30,000 美元，未來節(jié)點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì)飆升至 45,000 美元。報(bào)告補(bǔ)充說，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息人士的話說，開發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此，頂級(jí)玩家仍在潛入——正如該報(bào)告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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數(shù)字孿生技術(shù)助力晶圓廠，AI 工廠發(fā)展

從英偉達(dá)到眾多公司，廣泛采用數(shù)字孿生技術(shù)以推動(dòng)復(fù)雜制造工廠的開發(fā)。臺(tái)積電正在使用其晶圓廠的數(shù)字孿生，而雅各布斯公司，包括英國(guó) PA 咨詢公司，正利用其在交通和水利系統(tǒng)方面的數(shù)字孿生專業(yè)知識(shí)來優(yōu)化人工智能數(shù)據(jù)中心。其他使用該技術(shù)的電子公司包括富士康、大立、緯創(chuàng)和華勤。臺(tái)積電正與一家人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)字孿生初創(chuàng)公司合作，以優(yōu)化其新工廠的規(guī)劃和建設(shè)。在數(shù)字孿生中可視化這些優(yōu)化的布局，使規(guī)劃團(tuán)隊(duì)能夠主動(dòng)識(shí)別和解決設(shè)備碰撞問題，理解系統(tǒng)相互依賴關(guān)系，并評(píng)估對(duì)空間和運(yùn)營(yíng)關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)的影響。它正在使用英偉達(dá)的 cuOpt
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晶圓片上的浪漫

清華電子工程系2001級(jí)校友甩出王炸校慶禮，硬核浪漫直接拉滿！8英寸晶圓片上，清華電子系把建系以來2.8萬多個(gè)師生、校友的名字，拼成了電子系系徽。每個(gè)像素點(diǎn)都鐫刻著一個(gè)名字，掃碼就能找到自己名字的位置。來源｜清華大學(xué)小紅書該晶圓采用單晶硅襯底材料，晶圓表面通過金屬刻蝕和特殊薄膜加工工藝呈現(xiàn)出紫色的電子系系徽?qǐng)D案。在顯微鏡下可以看到，組成系徽?qǐng)D案的每個(gè)點(diǎn)實(shí)際上由電子系建系以來所有師生的一個(gè)個(gè)名字組成的。來源｜微信公眾號(hào)霧里發(fā)電
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臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻舻男枨?/a>

上個(gè)月臺(tái)積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造，擴(kuò)大投資計(jì)劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、以及一間主要的研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐脑O(shè)施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報(bào)道，臺(tái)積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國(guó)，以滿足當(dāng)?shù)乜蛻羧找嬖鲩L(zhǎng)的需求。臺(tái)積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預(yù)計(jì)采用300mm x

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臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開蘋果首發(fā)

3月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓，最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報(bào)告顯示，僅2025年第三、四季度，臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收，這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶，蘋果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計(jì)iP
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4月1日，臺(tái)積電正式接受2nm訂單

4月1日起，臺(tái)積電2nm晶圓的訂單通道將正式開放，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家透露，客戶對(duì)于2nm技術(shù)的需求甚至超過了3nm同期。蘋果有望率先鎖定首批供應(yīng)，根據(jù)知名蘋果供應(yīng)鏈分析師郭明錤的最新分析，2026年下半年上市的iPhone 18全系列將搭載的A20處理器或全球首發(fā)2nm工藝。而iPhone 17系列的A19芯片將采用臺(tái)積電第三代3nm工藝（N3P）制造，若A20芯片如期量產(chǎn)，A20芯片在性能和能效方面將有更顯著的提升。業(yè)內(nèi)人士分析，A20性能提升幅度或超歷代芯片迭代，同時(shí)還為蘋果下一步的折疊屏、屏下Fac
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消息稱臺(tái)積電4月1日開放2nm晶圓訂單通道，目標(biāo)年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)5萬片

3 月 24 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《中國(guó)時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電正在全力提升 2nm 產(chǎn)能，其位于高雄和寶山的工廠將是關(guān)鍵基地。高雄廠將于 3 月 31 日舉行擴(kuò)產(chǎn)典禮，首批晶圓預(yù)計(jì) 4 月底送達(dá)新竹寶山。4 月 1 日起，2nm 工藝的訂單通道將正式開放，蘋果有望率先鎖定首批供應(yīng)，這一趨勢(shì)符合過往經(jīng)驗(yàn)。蘋果計(jì)劃采用臺(tái)積電 2nm 工藝打造 A20 芯片，該芯片將專為 iPhone 18 設(shè)計(jì)，并預(yù)計(jì)于 2026 年下半年發(fā)布。此外，包括 AMD、英特爾、博通和 AWS 在內(nèi)的眾多客戶也在排隊(duì)等待 2nm 產(chǎn)
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關(guān)，設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅(jiān)固性和抗噪能力，能夠在負(fù)瞬態(tài)電壓高達(dá)-100V時(shí)保持工作邏輯穩(wěn)定?？捎糜诟邏簜?cè)或低壓側(cè)功率管驅(qū)動(dòng)。1ED21x7x系列非常適合驅(qū)動(dòng)多個(gè)開關(guān)并聯(lián)應(yīng)用，例如輕型電動(dòng)汽車?；?ED21x7x
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早

Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報(bào)，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶已開始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測(cè)試。Intel 18
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打破 BMS IC 的復(fù)雜性

電池管理系統(tǒng) （BMS） IC 是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的系統(tǒng)。與大多數(shù)電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準(zhǔn)確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設(shè)備中，BMS 都是最關(guān)鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強(qiáng)大，但高度敏感，如果處理不當(dāng)可能會(huì)帶來安全風(fēng)險(xiǎn)。保養(yǎng)不當(dāng)也會(huì)顯著縮短它們的使用壽命，導(dǎo)致容量減少，甚至使電池?zé)o法使用。BMS IC 是負(fù)責(zé)確保電池組運(yùn)行狀況、報(bào)告其狀態(tài)和保持最佳性能的關(guān)鍵元件 - 無論是獨(dú)立還是與系統(tǒng)處理器協(xié)作。&nb
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英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓

據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
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三星電子晶圓代工部門設(shè)備投資預(yù)算陡降

據(jù)韓媒報(bào)道，根據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計(jì)劃，該部門今年的設(shè)備投資預(yù)算將僅剩5萬億韓元（約合人民幣254億元），較2024年的10萬億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021~2023年的投資高峰期每年的設(shè)備投資規(guī)模可達(dá)15~20萬億韓元。據(jù)了解，三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年的投資重點(diǎn)將放在華城 S3 工廠的 3nm->2nm 工藝轉(zhuǎn)換和平澤 P2 工廠的 1.4nm 測(cè)試線上，還將對(duì)美國(guó)泰勒市晶圓廠進(jìn)行小規(guī)?；A(chǔ)設(shè)施投資。
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