我第一次聽說亞閾值數字設計技術是在許多個月前，但只是在相對簡單的產品實現(xiàn)（例如手表）的背景下。當我發(fā)現(xiàn) Ambiq 的人們正在利用這項技術來設計整個超低功耗處理器時，我感到震驚。簡而言之，在傳統(tǒng)的 CMOS 設計中，晶體管使用遠高于 Vth（晶體管剛剛開始傳導電流的閾值電壓）的電源電壓在完全關斷和完全開啟狀態(tài)之間切換，對于現(xiàn)代 MCU，通常為 0.8V 至 1.0V。相比之下，Ambiq 的 SPOT 電路在亞閾值區(qū)域（通常約為 0.3-0.5 V）工作，該區(qū)域的電流呈指數級小。這將有功和漏電功耗降低一個
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邊緣AI 推理速度 內存
蘋果最新iPhone 17系列近日正式發(fā)售，A19芯片采用的是臺積電最新3納米N3P制程，下一代A20進入2納米時代，而Android陣營的聯(lián)發(fā)科、高通等CPU的3納米制程也進入尾聲，業(yè)界傳出，末代3納米制程CPU價格比前代上漲約20%，明年2納米制程將再增加逾50%的售價，加上內存、硬盤等供不應求， 半導體通脹正在發(fā)酵中。Android手機陣營的IC設計大廠聯(lián)發(fā)科、高通，將在本周先后發(fā)表最新的旗艦芯片天璣9500以及Snapdragon 8 Elite Gen 5，目前傳出2款芯片與A19芯片相同，皆采
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內存 臺積電 3納米 CPU 2納米
鉬作為當今半導體制造中常用的各種金屬的替代品，尤其是在前沿節(jié)點上，看起來越來越有希望。芯片制造商正在一個接一個地將先進節(jié)點的金屬從清單上劃掉。雖然釕襯里幾乎可以生產，但這種金屬還沒有準備好在高度規(guī)模的互連中取代銅。釕非常昂貴，目前的制造工藝也無濟于事。此外，imec 研究員 Zsolt T?kei 表示，大馬士革方案中“過度沉積和拋光”步驟產生的廢物量也是一個嚴重的問題。雖然減材金屬化減少了廢物量，但它需要對整個過程進行更重大、更昂貴的改變。銅并不是唯一跑道較短的金屬。晶體管觸點、內存中的字線和類似應用通
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鉬 縮放 內存
根據 The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結構上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關鍵的區(qū)別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內存帶寬報告指出，金（Kim）強調當前 AI 受限于內存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達 100 萬個 token
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AI 內存 HBM HBF
《電子設計：時不時》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計算機中使用磁芯”時受到啟發(fā)的。本文最初發(fā)表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事了。事實上，我就是那一年出生的。我們將討論磁芯的常用用途進行存儲，但首先要提及這篇文章。事實證明，鐵芯和磁性元件有很多用途。它們仍然用作電源和模擬電路中的扼流圈。然而，在這種情況下，我們的想法是使用磁芯來實現(xiàn)邏輯（圖 1）。查看文章了解詳情。盡管這項技術從未進入商業(yè)領域，但它確實奏效了。1
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磁芯 內存
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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內存 NAND DRAM
據 TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術“UltraRAM”，結合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢，在商業(yè)化方面取得了顯著進展。英國半導體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進到工業(yè)規(guī)模。UltraRAM 被認為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢的新型存儲器。據 Tom’s Hardw
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存儲 內存 UltraRAM
據報道，英偉達正在為其 2027 年的生產開發(fā)自己的 HBM 基板，內存巨頭的基板制造從 DRAM 轉移到晶圓廠工藝的焦點。據韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉移到晶圓廠。報道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因為 DRAM 制造商自己設計了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術，促使內存制造商進
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英偉達 HBM3 內存
根據韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關系，削弱他們的談判能力，并控制供應成本。報道強調，SK 海力和其他內存制造商迄今為止都是內部生產邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產——正推動向代工生產轉型。SK 海力已選擇臺積電承擔這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認為美光也將這
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HBM 內存 英偉達
終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔憂
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內存 NOR Flash
作為英偉達 HBM3 和 HBM3e 的關鍵供應商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關系。據 Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達處在本年度上半年就據報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據 SK 海力士提供的數據，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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英偉達 海力士 內存
市場傳聞稱，英偉達已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據《商業(yè)時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產計劃于 2027 年下半年進行。英偉達的策略和 HBM4 路線圖根據 TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據 TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年
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英偉達 內存 HBM4
市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報告《2025 年數據中心半導體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導體范式
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美光??宣布推出業(yè)內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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美光 內存 NAND
(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據 NAND 存儲器生產市場的 15%，據《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據 DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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長江存儲 NAND 內存
內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [
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