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hbm4 文章最新資訊

全球首款HBM4芯片，開(kāi)始量產(chǎn)

HBM4！SK 海力士又贏了。
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據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動(dòng)內(nèi)存、芯片市場(chǎng)

市場(chǎng)傳聞稱(chēng)，英偉達(dá)已開(kāi)始開(kāi)發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動(dòng)正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線(xiàn)圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
關(guān)鍵字：英偉達(dá) 內(nèi)存 HBM4

美光開(kāi)始向客戶(hù)提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬

美光本周宣布，該公司已開(kāi)始向主要客戶(hù)運(yùn)送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴(lài)于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺(tái)積電使用其 12FFC+（2nm 級(jí)）或 N5（5nm 級(jí)）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。美光最新一代
關(guān)鍵字：美光 HBM4 內(nèi)存樣品

HBM4爭(zhēng)霸戰(zhàn)開(kāi)打美光領(lǐng)跑

生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭(zhēng)搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶(hù)。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過(guò)60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計(jì)2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測(cè)試（MBI
關(guān)鍵字： HBM4 美光 HBM3E

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國(guó)首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號(hào)）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
關(guān)鍵字：三星 HBM4 內(nèi)存混合鍵合

HBM4標(biāo)準(zhǔn)，正式發(fā)布

4月16日，微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定者JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的HBM4標(biāo)準(zhǔn)。HBM4標(biāo)準(zhǔn)作為先前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版，將進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。HBM4帶來(lái)的改進(jìn)對(duì)于需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進(jìn)行了改進(jìn)。具體來(lái)看：●增加帶寬：通過(guò)2048位接口，傳輸速度高達(dá)8Gb/s，HBM4可將
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HBM4標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

據(jù)報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進(jìn)行了改進(jìn)。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達(dá)8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達(dá) 64GB。此外，HBM4將每個(gè)堆疊的獨(dú)立通道數(shù)加倍，從16個(gè)通道（
關(guān)鍵字： HBM4 存儲(chǔ)技術(shù) 存儲(chǔ)芯片

創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺(tái)積電N3P制程成功投片

創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺(tái)積電最先進(jìn)N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝，成為業(yè)界首個(gè)實(shí)現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用樹(shù)立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設(shè)計(jì)優(yōu)化信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運(yùn)行于高速模式。創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實(shí)體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿(mǎn)足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
關(guān)鍵字：創(chuàng)意 HBM4 IP 臺(tái)積電 N3P

HBM新技術(shù)，橫空出世

AI 的火熱，令 HBM 也成了緊俏貨。業(yè)界各處都在喊：HBM 缺貨！HBM 增產(chǎn)！把 DDR4/DDR3 產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)向生產(chǎn) DDR5/HBM 等先進(jìn)產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，未來(lái) HBM 市場(chǎng)將以每年 42% 的速度增長(zhǎng)，將從 2023 年的 40 億美元增長(zhǎng)到 2033 年的 1300 億美元，這主要受工作負(fù)載擴(kuò)大的 AI 計(jì)算推動(dòng)。到 2033 年，HBM 將占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)的一半以上。可即便行業(yè)全力增產(chǎn)，HBM 供應(yīng)缺口仍然很大，芯片巨頭也急的「抓耳撓腮」。當(dāng)下，
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消息稱(chēng)三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，近日，三星電子在其內(nèi)存業(yè)務(wù)部已完成HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計(jì)，且Foundry已根據(jù)該設(shè)計(jì)正式啟動(dòng)了4nm制程的試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子將向客戶(hù)提供其開(kāi)發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。此前消息稱(chēng)，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導(dǎo)入1c nm制程DRAM Die，以提升產(chǎn)品能效表現(xiàn)，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
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臺(tái)積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個(gè)HBM4堆棧

據(jù)媒體報(bào)道，日前，臺(tái)積電11月歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧，推測(cè)它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據(jù)悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計(jì)算）芯片設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。報(bào)道稱(chēng)，完全希望采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級(jí)集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進(jìn)一步提高晶體管
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CoWoS HBM4

英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購(gòu)TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購(gòu)訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì)在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化

HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè) DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。過(guò)去 10 年里，HBM 技術(shù)性能不斷升級(jí)迭代，已經(jīng)成為高性能計(jì)算領(lǐng)域重要的技術(shù)基石之一。2023 年初以來(lái)，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

6月2日消息，臺(tái)北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級(jí)芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅(jiān)持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個(gè)架構(gòu)的路線(xiàn)，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線(xiàn)，并最新最強(qiáng)的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號(hào)"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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HBM新技術(shù)，橫空出世

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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

傳ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

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