1月26日，臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)，臺(tái)積電的Fab 18晶圓廠一期工程順利奠基。這是臺(tái)積電在臺(tái)灣的第四座300mm晶圓廠，也將首次投產(chǎn)5nm新工藝。臺(tái)積電計(jì)劃2019年第一季度完成新工廠的建設(shè)，并開始設(shè)備遷入，2019年第二季度試產(chǎn)，2020年初投入5nm的批量生產(chǎn)。

　　Fab 18的二期工程將在今年第三季度開工，2020年投入量產(chǎn)，三期工程則計(jì)劃2019年第三季度建設(shè)，2021年量產(chǎn)。

　　臺(tái)積電表示，三期工程全部投產(chǎn)后，F(xiàn)ab 18的年產(chǎn)能將達(dá)到100萬(wàn)塊300mm晶圓。

　　將于今年6月退休的臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀最后一次參加如此重要的開工儀式。他表示：“Fab 18代表著臺(tái)積電的三個(gè)重要承諾：對(duì)未來(lái)發(fā)展的承諾，對(duì)持續(xù)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的承諾，對(duì)臺(tái)灣的承諾。5nm技術(shù)投資預(yù)計(jì)7000億臺(tái)幣(約合人民幣億1520元)，其中Fab 18的投資將超過(guò)5000億臺(tái)幣(約合人民幣1080億元)。”

　　臺(tái)積電目前在STSP有超過(guò)1萬(wàn)名員工，F(xiàn)ab 18全部完工后可提供超過(guò)1.4萬(wàn)個(gè)工作崗位。

　　臺(tái)積電5nm FinFET工藝同時(shí)針對(duì)高性能計(jì)算和移動(dòng)應(yīng)用優(yōu)化，首次引入EUV極紫外光刻，減少多重曝光的復(fù)雜性，并能更好地縮小芯片面積。

　　臺(tái)積電還重申，3nm工廠未來(lái)不會(huì)前往美國(guó)。

　　按照張忠謀此前說(shuō)法，臺(tái)積電將在2020年開工建設(shè)3nm工廠。