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          ReRAM
          
						
                        
          
                        　　日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.
　　包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低......	
                        				      	[查看詳細]
          
				      	
                        
                        
						
          
						
					  
          
						
					
          
					
				
          
					

          
					
          
					  
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