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iDEAL Semiconductor的SuperQ技術(shù)獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證

?iDEAL Semiconductor 今日宣布，其 SuperQ? 技術(shù)已獲得 AEC-Q101 汽車應(yīng)用認(rèn)證，標(biāo)志著公司向高可靠性市場(chǎng)的重大拓展。iDEAL 首款獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證并進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品 iS20M028S1CQ 是一款 200 V 的 MOSFET，其導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 為 25 mΩ，額定溫度為 175°C。SuperQ 代表著硅 MOSFET 的一項(xiàng)突破性進(jìn)展，在保持硅固有的耐用性和可靠性的同時(shí)，可提供卓越的效率、降低開關(guān)損耗并增強(qiáng)導(dǎo)通性能。此次認(rèn)證彰顯了 Supe
關(guān)鍵字： iDEAL SuperQ

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級(jí)結(jié)技術(shù)以來，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實(shí)現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和銷售專家的支持，以擴(kuò)展其基于公司新型專利、最先進(jìn) SuperQ 技術(shù)
關(guān)鍵字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET

?iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率器件。SuperQ與傳統(tǒng)超級(jí)結(jié)架構(gòu)相比，在效率和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現(xiàn)代功率系統(tǒng)的需求，同時(shí)保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。在首批基于SuperQ的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)后，150V MOSFET現(xiàn)已立即可用。這些產(chǎn)品提供領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和優(yōu)異的身形因子（FOM），包括業(yè)界最低的開關(guān)
關(guān)鍵字： iDEAL Mouser SuperQ 功率器件

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢(shì)，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
關(guān)鍵字： iDEAL MOSFET SuperQ

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