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4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設(shè)備
- 目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨家供應(yīng)，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術(shù)瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進(jìn)High-NA EUV設(shè)備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設(shè)備，而是轉(zhuǎn)向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機(jī)？從早期的深紫外
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ASML警告中國銷量下降或加劇26年增長擔(dān)憂
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭、芯片制造光刻機(jī)的主要供應(yīng)商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發(fā)布了 2025 年第三季度財報。結(jié)果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強(qiáng)勁，但也對 2026 年對中國的銷售額將大幅下降發(fā)出了嚴(yán)厲警告。雖然該公司試圖向投資者保證整體增長將保持穩(wěn)定，但這一消息凸顯了芯片行業(yè)不斷升級的地緣政治緊張局勢。以下是主要亮點的細(xì)分。財務(wù)業(yè)績ASML 公布了穩(wěn)健的第三季度業(yè)績，盡管凈利潤持平，但預(yù)訂量超出預(yù)期：凈銷售額：77 億歐元，同比增長 8%，但略低于分析師預(yù)
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三星購買了兩款A(yù)SML高數(shù)值孔值EUV工具
- 據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道，據(jù)報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數(shù)值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標(biāo)志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購。報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經(jīng)訂購了生產(chǎn)級高NA EUV系統(tǒng)。據(jù)報道援引消息人士
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ASML警告明年來自中國的需求可能大幅下滑
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML第三季訂單表現(xiàn)優(yōu)于分析師預(yù)期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業(yè)大規(guī)模投資AI領(lǐng)域、對芯片制造設(shè)備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASML發(fā)布了2025年第三季度財報，財報顯示第三季度實現(xiàn)凈銷售額75億歐元，凈利潤21億歐元，毛利率為51.6%，整體表現(xiàn)符合此前預(yù)期。更值得關(guān)注的是，本季度新增訂單金額達(dá)到54億歐元，其中EUV（極紫外光刻）訂單高達(dá)36億歐元，占比超過三分之二，充分反映出全球半導(dǎo)體制造商對先進(jìn)制程光刻設(shè)備的
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臺積電加速自研EUV光罩保護(hù)膜，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍
- 據(jù)Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進(jìn)制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進(jìn)的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機(jī)。2019年首次于華為麒麟9000處理器導(dǎo)入EUV后，臺積電持續(xù)控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機(jī)裝機(jī)量，經(jīng)過多年的積累，臺積電目前已經(jīng)累積了約200多臺EUV光刻機(jī)，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)需要。自2019年以來，臺積電通過自身的系統(tǒng)級優(yōu)化及自研EUV光罩保護(hù)膜（Pellicle，保護(hù)光
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三星據(jù)報道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)
- 根據(jù) The Elec 報道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P(guān)重要的組件。報道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時候，三星據(jù)報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預(yù)計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的
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臺積電重新利用舊晶圓廠，將 EUV 薄膜生產(chǎn)引入內(nèi)部
- 臺積電正在重新利用其位于新竹科學(xué)園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產(chǎn)極紫外薄膜，并將這種生產(chǎn)引入內(nèi)部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強(qiáng)烈的 EUV 輻射和熱應(yīng)力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產(chǎn)薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環(huán)境中，該組件必須保護(hù)光掩模免受顆粒影響，同時應(yīng)對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統(tǒng)使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業(yè)界首個“商用”High NA EUV 系統(tǒng)
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現(xiàn) 8 納米分辨率——而當(dāng)前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達(dá)到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機(jī)器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進(jìn)下一
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美國、日本領(lǐng)導(dǎo)政府支持的光刻機(jī)(EUV)推廣，韓國據(jù)報道落后
- 根據(jù)韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導(dǎo)的舉措將極紫外(EUV)光刻機(jī)引入公共研究機(jī)構(gòu)。相比之下，韓國政府在這一領(lǐng)域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導(dǎo)體技術(shù)中心加速 EUV 技術(shù)采用報告援引行業(yè)消息人士稱，美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術(shù)園區(qū)完成了 EUV 光刻設(shè)備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業(yè)提供服務(wù)。報告還指出，據(jù)稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設(shè)備——
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半導(dǎo)體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化
- 據(jù)外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設(shè)計，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會降低芯片制造對先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，尤其是對EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點無疑對當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機(jī)在先進(jìn)制程中扮演關(guān)鍵角色，通過曝光步驟將電路設(shè)計轉(zhuǎn)印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結(jié)構(gòu)。然而，該英特爾高層認(rèn)為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術(shù)，而非單純
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臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具?！爱?dāng)臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認(rèn)為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說?！懊慨?dāng)我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡
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臺積電保持觀望 ASML最新EUV機(jī)臺只賣了5臺
- 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機(jī)臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設(shè)備性能強(qiáng)大，但因這款機(jī)臺單價高達(dá)4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時沒有計畫在A14及其后續(xù)制程中導(dǎo)入。路透27日報導(dǎo)，這款先進(jìn)機(jī)臺價格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現(xiàn)有最昂貴設(shè)備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細(xì)評估，這款設(shè)備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術(shù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，即便不使用High-N
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三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上
- 據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強(qiáng)調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強(qiáng)三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應(yīng)商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結(jié)果預(yù)計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準(zhǔn)備將低端產(chǎn)品（i-
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ASML計劃在荷蘭大規(guī)模擴(kuò)張，助力EUV設(shè)備交付
- 據(jù)荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計劃初步草案時透露的。這一擴(kuò)張計劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)的廣泛關(guān)注。據(jù)Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導(dǎo)體巨頭或?qū)闹惺芤妗SML的擴(kuò)張如果能按計劃推進(jìn)，將有助于滿足全球?qū)O紫外光（EUV）光刻設(shè)備的迫切需求，從而加速先進(jìn)制程的開發(fā)與應(yīng)用。Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)的擴(kuò)張計劃大約在一年前首次公開。據(jù)荷蘭消
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