自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標桿。

據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數(shù)達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。

兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預展第十代3D閃存（BiCS FLASH? generation 10）技術時介紹，通過將存儲層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術官宮島英史表示：“隨著人工智能技術的普及，預計產生的數(shù)據(jù)量將顯著增加，同時現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項新技術將實現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產品，包括用于未來存儲解決方案的SSD產品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎?！?/p>