adi power studio 文章 最新資訊
學(xué)子專區(qū)論壇 — ADALM2000實驗：有源混頻器
- 目標本實驗的目標是幫助理解有源混頻器的基本概念。背景知識混頻器是一種具備調(diào)制或解調(diào)功能的三端口器件，主要分為無源和有源兩種類型?；祛l器的核心功能是在改變信號頻率的同時，保留原始信號的所有其他特性。有源混頻器與無源混頻器的關(guān)鍵區(qū)別在于，有源混頻器會采用有源器件來提供轉(zhuǎn)換增益。圖1.混頻器的符號表示如圖1所示，混頻器的輸出有兩種形式?；祛l器接收兩個不同頻率的輸入信號，輸出一個頻率信號；從圖中可見，輸出頻率既可以是兩個輸入頻率的和頻，也可以是兩者的差頻。這些頻率分別與如下之一對應(yīng)：本地振蕩器頻率(LO)、射頻頻
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一文讀懂巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設(shè)計
- 基于巨磁阻(GMR)傳感技術(shù)的真正上電多圈傳感器必將徹底改變工業(yè)和汽車用例中的位置傳感市場，因為與現(xiàn)有解決方案相比，其系統(tǒng)復(fù)雜性和維護要求更低。本文說明了設(shè)計磁性系統(tǒng)時必須考慮的一些關(guān)鍵因素，以確保在要求嚴苛的應(yīng)用中也能可靠運行，其中還介紹了一種磁性參考設(shè)計，方便早期采用該技術(shù)。多圈傳感器本質(zhì)上是將磁寫入和電子讀取存儲器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結(jié)合，以提供高精度的絕對位置。如果磁場過高或過低，可能會出現(xiàn)磁寫入錯誤。在設(shè)計系統(tǒng)磁體時必須小心仔細，并考慮可能干擾傳感器的任何雜散磁場以及產(chǎn)品使用壽命內(nèi)的機械公差
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使用降壓-升壓穩(wěn)壓器實現(xiàn)直通操作
- 本文介紹在電路的輸入電壓過高或過低而無法為負載供電時，配備PassThru?（直通）模式的特殊轉(zhuǎn)換器如何發(fā)揮作用。本文將通過示例，說明如何使用配備直通模式的降壓-升壓穩(wěn)壓器和升壓穩(wěn)壓器來提高供電效率和改善EMC性能。掃碼了解在某些應(yīng)用中，現(xiàn)有的電源電壓可以直接驅(qū)動負載，無需使用額外的電壓轉(zhuǎn)換器。有時候，當操作狀態(tài)出現(xiàn)異常時，電源電壓可能過高或過低，無法直接為負載供電。在這些情況下，可以使用針對這種操作優(yōu)化的特殊電壓轉(zhuǎn)換器。例如，工業(yè)24 V系統(tǒng)就是這樣一種應(yīng)用。我們假設(shè)負載需要24 V電源電壓
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T1/E1/J1收發(fā)器的環(huán)回操作
- 本文概述了ADI T1/E1/J1收發(fā)器的環(huán)回功能。T1和E1是術(shù)語，用來描述通過任意介質(zhì)進行的1.544Mbps和2.048Mbps傳輸。環(huán)回模式有助于器件或設(shè)備的診斷測試。在環(huán)回模式下，收發(fā)器將經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)或一段特定鏈路傳送的信號由收發(fā)器的一端返送回發(fā)送設(shè)備的另外一端。將來自兩端的信號進行比較。兩者之間的差異有助于故障的跟蹤。環(huán)回ADI T1/E1/J1收發(fā)器支持六類環(huán)回。遠端環(huán)回(RLB)本地環(huán)回(LLB)成幀器環(huán)回(FLB)診斷環(huán)回(DLB)凈荷環(huán)回(PLB)按通道環(huán)回(PCLB)遠端環(huán)回(RLB)這
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在LTspice仿真中使用GaN FET模型
- 近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進行了優(yōu)化。借助
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MIMO收發(fā)器參考時鐘耦合器的最佳選擇
- MAX2470/MAX2471是一種靈活的、低成本、高反向傳輸隔離緩沖放大器，用于分立式或基于模塊的VCO設(shè)計。該應(yīng)用筆記主要敘述了MAX2470/MAX2471在MIMO收發(fā)器中作為參考時鐘耦合器的基本工作情況和相關(guān)技術(shù)?；竟ぷ髟鞰AX2470/MAX2471是一種靈活的低成本、高反向傳輸隔離緩沖放大器，是分立式或基于模塊的VCO設(shè)計的理想選擇。兩者都具有50Ω差分輸出，能驅(qū)動一路差分(平衡)負載或兩路獨立的單端(不平衡) 50Ω負載。MAX2470提供單端輸入，并有兩個可選的工作頻率范圍：10MH
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詳析增強電動汽車電池安全性的汽車安全認證器
- 汽車電氣化趨勢已勢不可擋。這一變革將有助于減少污染和化石燃料的消耗，為環(huán)境保護和可持續(xù)發(fā)展帶來顯著的好處。當前的技術(shù)進步正在加速電氣化進程，如今的電動汽車在一次充電后的續(xù)航里程已可媲美加滿油的傳統(tǒng)內(nèi)燃機汽車，同時在加速性能方面也毫不遜色，甚至更勝一籌。全球每年生產(chǎn)約 1 億輛新車，鋰離子電池的應(yīng)用達到了空前的規(guī)模。電動汽車(EV)制造商將因此面臨一系列新的挑戰(zhàn)，而妥善應(yīng)對這些挑戰(zhàn)已成為行業(yè)的當務(wù)之急。首先，安全始終是首要考量，這不僅關(guān)乎車內(nèi)人員，對行人和其他車輛中的人員也同樣重要。其次，隨著使用壽命有限的
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深入探討功率集成電路應(yīng)用中的通用熱學(xué)概念
- 單芯片功率集成電路的數(shù)據(jù)手冊通常會規(guī)定兩個電流限值：最大持續(xù)電流限值和峰值瞬態(tài)電流限值。其中，峰值瞬態(tài)電流受集成功率場效應(yīng)晶體管(FET)的限制，而持續(xù)電流限值則受熱性能影響。數(shù)據(jù)手冊中給出的持續(xù)電流限值，是基于典型電壓轉(zhuǎn)換、室溫條件和標準演示板工況得出的。在特定工作環(huán)境中，實施有效的熱設(shè)計對于確保集成電路可靠承載所需電流至關(guān)重要。熱概念和參數(shù)為清晰起見，表1列出了穩(wěn)態(tài)電氣參數(shù)與熱參數(shù)的類比關(guān)系。表1. 參數(shù)轉(zhuǎn)換從穩(wěn)態(tài)角度來看，電氣領(lǐng)域中電流從高電位流向低電位，傾向于選擇電阻更低的路徑。類似地，在熱領(lǐng)域中
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SoC，盡在掌握！借PMIC賦能增效
- 隨著嵌入式系統(tǒng)日益復(fù)雜，傳統(tǒng)微控制器往往難以滿足當今的性能需求。于是，設(shè)計人員紛紛開始采用片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。這類方案雖能提供更高的集成度和處理能力，卻也帶來了新的挑戰(zhàn)，尤其是在電源管理方面。本文將探討為SoC供電的基本考量因素，重點講解如何解讀和運用數(shù)據(jù)手冊及技術(shù)參考手冊中的關(guān)鍵信息。通過剖析影響電源方案設(shè)計的五個關(guān)鍵條件，本文將提供一份切實可行的分步指南，助力工程師胸有成竹地將電源管理集成電路(PMIC)集成到基于SoC的系統(tǒng)中。
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開關(guān)電源的電壓精度
- 任何開關(guān)電源都無法提供絕對精確的輸出。輸出電壓的調(diào)節(jié)精度會受到多種容差的影響。本文解釋了各種不精確性的來源，并說明了如何確定總?cè)莶罘秶?/li>
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ADI Power Studio?-加速電源管理設(shè)計
- 概述ADI Power Studio?是一套面向應(yīng)用工程師及高級電源設(shè)計用戶的綜合性產(chǎn)品系列，能夠有效簡化整個電源系統(tǒng)的設(shè)計流程，提供從初步概念到測量和評估的全程支持。Power Studio提供統(tǒng)一、直觀的工作流程，利用準確的模型來仿真實際性能，并自動生成關(guān)鍵的物料清單和報告等內(nèi)容，幫助工程團隊更早做出更優(yōu)決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構(gòu)建起統(tǒng)一的器件選型目錄；同時通過豐富的工具集成優(yōu)化工作流程，并基于客戶反饋打造了現(xiàn)代化的用戶界面(UI)與用戶體驗(UX)。產(chǎn)品系
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Analog Devices發(fā)布ADI Power Studio和網(wǎng)頁端新工具
- ●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個完整的產(chǎn)品系列，助力簡化電源管理設(shè)計和優(yōu)化工作?！? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強系統(tǒng)級電源樹規(guī)劃?！? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個集成電路(IC)級電源設(shè)計過程中提供全方位指導(dǎo)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Po
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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