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          精準的主動電壓定位控制技術讓μModule穩(wěn)壓器的輸出電容降低多達50%

          作者:Sin Keng Lee,應用工程師;Zhijun (George) Qian,高級經理 時間:2025-10-15 來源:EEPW 收藏
          編者按:本文介紹一種應用于μModule?穩(wěn)壓器的精準串聯(lián)主動電壓定位(AVP)實現方法。借助該方法,可獲得快速負載瞬態(tài)響應,大幅節(jié)省電路板空間,實現全陶瓷電容式解決方案。與分流AVP設計相比,這種串聯(lián)AVP可提供非常準確的負載線精度,從而大幅提高輸出電壓精度。文中提供了負載瞬態(tài)響應的測量結果。

          引言

          主動電壓定位(AVP)或主動下垂技術能夠調節(jié)電源輸出:輕載時維持較高輸出電壓,重載時維持較低輸出電壓。實現AVP控制技術的一大好處是可以改善負載瞬態(tài)響應并降低輸出電容,因為AVP為電源響應負載瞬變提供了更多空間。是完整、經過測試且合格的封裝電源解決方案。對于電信和數據中心應用,憑借快速負載瞬態(tài)響應、極小的電路板占用空間及全陶瓷電容式解決方案而備受青睞。然而,使用傳統(tǒng)非AVP控制技術很難滿足所有要求。

          本文介紹了一種精準串聯(lián)AVP實現方法,在反饋控制環(huán)路中添加兩個電阻。這種串聯(lián)AVP方法的優(yōu)勢在于,負載線精度幾乎與gm放大器增益變化無關;而對于分流AVP1等其他AVP實現方法,如果gm放大器增益的變化較大,負載線精度將降低。實現這種串聯(lián)AVP后,輸出電容可減少多達50%,同時峰峰輸出電壓瞬態(tài)也略有改善。由于電容減少50%,因此僅需要陶瓷電容,由此可以大幅提高系統(tǒng)可靠性并優(yōu)化成本,因為鋁電解電容的可靠性遠低于陶瓷電容,而且成本更高。

          實現AVP控制技術的另一個好處在于,當負載電流較大時,可以降低輸出電壓,從而降低負載功耗。LTM4650-2示例顯示,凈功耗節(jié)省為1.4 W或5.6%,大大節(jié)省了功耗并延長了電池續(xù)航時間。

          串聯(lián)AVP實現

          AVP是指的輸出電壓根據負載電流的變化而動態(tài)調整的一種方式,而如果采用傳統(tǒng)方法(非AVP),輸出電壓在所有負載下始終固定在標稱值VOUT,如圖1所示。如果采用AVP方法,當輸出電流增加時,輸出電壓逐漸降低。在輕載條件下,輸出電壓設為調節(jié)至略高于標稱值,而在重載條件下,輸出電壓設為調節(jié)至略低于標稱值。1 當負載電流突然增加時,輸出電壓從高于標稱值的電平開始,因此輸出電壓可以下降更多幅度并保持在額定電壓范圍內。當負載電流突然減小時,輸出電壓從低于標稱值的電平開始,因此輸出電壓可以有更多的過沖并保持在額定電壓范圍內。對于所有負載電流范圍,輸出電壓應限制在額定電壓限值內(VMAX和VMIN之間)。

          image.png

          圖1 采用AVP的VOUT與采用傳統(tǒng)方法(非AVP)的固定標稱值VOUT

          圖2顯示AVP串聯(lián)補償電路。內部基準電壓(VREF)和VOUT反饋分別連接到誤差放大器的正輸入和負輸入。與RHI連接的VHI(或INTVCC)向放大器輸出(ITH或COMP)提供適當的直流電壓,以防止輸出進入飽和狀態(tài)。RLO(反饋電阻)位于輸出(ITH)和負輸入(或FB)之間。因此,RLO決定了gm放大器增益。RHI和RLO值應遠高于R1和R2。

          負載線公式1:

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          Ki是電流檢測增益,RSENSE是電流檢測電阻值(或DCR檢測的電感DCR值)。

          與AVP分流補償電路1相比,串聯(lián)補償電路的優(yōu)勢在于負載線取決于R1/RLO增益,幾乎與誤差放大器跨導(gm)的容差無關。IC工藝和設計多種多樣。遺憾的是,一些IC的gm值在器件間的差異高達±30%,而且分流補償電路AVP的負載線與1/gm增益成正比。因此,分流AVP的負載線較差。

          image.png

          圖2 AVP串聯(lián)補償電路

          LTM4650-2穩(wěn)壓器上的AVP解決方案

          在LTM4650-2(電流模式同步降壓穩(wěn)壓器)上,標稱1 V輸出能夠提供25 A負載,瞬態(tài)窗口約為±8%(160 mV pp)。在這種傳統(tǒng)穩(wěn)壓器(非AVP)上,需要外部RC濾波電路來實現快速II型控制環(huán)路補償。輸出端有一組5個100 μF陶瓷電容和2個470 μF POSCAP。當負載階躍為19 A(滿載的75%)且擺率為19 A/μs時,瞬態(tài)響應為136 mV pp,如圖3所示。

          1760510000593595.png

          圖3 非AVP電路的負載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為136 mV pp,COUT1=5×100 μF陶瓷電容,COUT2=2×470μF POSCAP電容

          如圖4所示,實現AVP時,在COMP上應用了AVP補償電路,但不需要RC補償。在半載(12.5 A)條件下,通過微調R2,特意將輸出電壓設為標稱值(1 V)。對于負載瞬態(tài)響應,獲得了95 mV pp的VOUT,如圖5所示。瞬態(tài)性能已得到改善。當輸出電壓設為1 V且電流為25 A(滿載)時,負載功率為25 W。通過將輸出電壓降低至0.945 V(25 A負載時),負載功率現在為23.6 W,單個輸出的功耗節(jié)省現在為1.4 W。對于兩個輸出,凈功耗節(jié)省總計為2.8 W。

          1760510021927530.png

          圖4 采用AVP的電路(串聯(lián)補償電路)

          1760510038642443.png

          圖5 采用AVP的電路(圖4)的負載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為95 mV pp。COUT1 = 5× 100 μF陶瓷電容,COUT2 = 2× 470 μF POSCAP電容

          采用AVP實現方案時,兩個POSCAP可替換為兩個陶瓷電容,因此COUT1上共使用7個100 μF陶瓷電容。使用陶瓷電容的優(yōu)勢是等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)更低、成本更低、尺寸更小、性能更可靠。瞬態(tài)性能已改善,測量結果是VOUT為104 mV pp,如圖6所示。

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          圖6 采用AVP的電路的負載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為104 mV pp。COUT1=7×100μF陶瓷電容

          表1顯示了上述測量的非AVP(基準)、AVP和僅使用輸出陶瓷電容的AVP的負載瞬態(tài)響應V p-p,以供比較。

          表1 非AVP、AVP和僅使用輸出陶瓷電容的AVP之間的負載瞬態(tài)響應V p-p比較


          非AVP

          5× 100 μF

          陶瓷電容

          + 2× 470 μF POSCAP

          AVP

          5× 100 μF

          陶瓷電容

          + 2× 470 μF POSCAP

          AVP

          7× 100 μF

          僅陶瓷電容

          負載瞬態(tài)響應,V p-p (mV)

          136

          95

          104

          結論

          在LTM4650-2 穩(wěn)壓器上實現AVP串聯(lián)補償電路不僅提高了瞬態(tài)響應性能,還降低了高負載條件下的負載功耗。輸出電容需要小于50%。因此,可以用陶瓷電容代替POSCAP,從而降低成本并最大限度減少占用的電路板空間。這種AVP電路也適用于許多其他具有外部補償引腳和外部RC補償網絡的μModule穩(wěn)壓器(例如LTM4630-1、LTM4626、LTM4636、LTM8055-1等)。

          參考文獻

          1 Robert Sheehan,“主動電壓定位可減少輸出電容”,凌力爾特,1999年。

          作者簡介

          自2022年5月加入公司以來,Sin Keng Lee一直擔任公司的電源模塊設計工程師。他擁有英國諾森比亞大學天線、射頻和微波通信工程學士學位與博士學位。

          Zhijun (George) Qian是公司電源模塊高級設計經理,負責所有LTM80xx產品和部分LTM46xx/LTM47xx產品。他擁有浙江大學電力電子學士學位和碩士學位,以及美國中佛羅里達大學電力電子博士學位。他于2010年初加入ADI公司。


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