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	3d x-dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          3d x-dram 文章
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          2025年第二季度全球DRAM市場分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在AI需求爆發(fā)與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士  三星  美光  HBM                          
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          SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術路線圖
          
                                                            
            
                    	
          • SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難?！盀榱丝朔@些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM                          
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          中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理
          
                                                            
            
                    	
          • 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展。現(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
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          • 關鍵字：
                        DRAM  閃存  半導體                          
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          據(jù)報道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復蘇
          
                                                            
            
                    	
          • 三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM  存儲                          
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          鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
          
                                                            
            
                    	
          • 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  3D 閃存  TLC存儲器  閃存  3D閃存                          
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          內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DDR4，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關于 DDR4 產品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品，隨著合約價
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          • 關鍵字：
                        存儲  DRAM  DDR4                          
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          DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用，據(jù)報道內存巨頭已最終完成原型設計
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
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          • 關鍵字：
                        DDR6  DRAM  存儲                          
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          中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產
          
                                                            
            
                    	
          • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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          • 關鍵字：
                        CXMT  YMTC  DRAM  NAND                          
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          SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%，因 Q3 需求保持強勁
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DRAM  存儲                          
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          在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數(shù)字孿生
          
                                                            
            
                    	
          • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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          • 關鍵字：
                        EDA  3D IC  數(shù)字孿生                          
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          內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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          • 關鍵字：
                        內存  DDR4  DRAM                          
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          西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
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          • 關鍵字：
                        西門子EDA  3D IC                          
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          歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利
          
                                                            
            
                    	
          • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升?，F(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經濟日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DRAM  存儲                          
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          適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
          
                                                            
            
                    	
          • 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。“這些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現(xiàn)了 10μm 的
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          • 關鍵字：
                        DRAM  處理器  3D堆棧集成                          
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          2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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          • 關鍵字：
                        2.5D/3D  芯片技術  半導體封裝                          
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