3d 閃存 文章 最新資訊
全球首顆混合架構閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲器體系
- 10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發(fā)
- 關鍵字： 閃存 芯片 存儲器
3D-IC將如何改變芯片設計
- 專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
- 關鍵字： 3D-IC 芯片設計
長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
- 關鍵字： 長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
美眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”發(fā)布涉華半導體關鍵設備出口調(diào)查報告
- 根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”兩黨議員在經(jīng)過數(shù)月的調(diào)查之后發(fā)現(xiàn)，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
- 關鍵字： 半導體 芯片 閃存 ASML 東京電子 應用材料
第一次深入真正的3D-IC設計
- 專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
- 關鍵字： 3D-IC設計
國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
- 關鍵字： 3D DRAM
汽車應用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現(xiàn)代汽車架構。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關重要作用
- 關鍵字： 汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關鍵字： 3D DRAM
中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理
- 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
- 關鍵字： DRAM 閃存 半導體
在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
- 關鍵字： EDA 3D IC 數(shù)字孿生
2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
- 關鍵字： 2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
- 關鍵字： 3D 射頻傳感器
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