3d 閃存文章最新資訊

傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒(méi)有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
關(guān)鍵字：三星閃存

三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存三星

臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺(tái)積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺(tái)積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric

IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長(zhǎng)期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡(jiǎn)稱“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
關(guān)鍵字： IQE VCSEL 3D 傳感

為什么會(huì)有 80GB / 320GB 這樣 "非標(biāo)準(zhǔn)" 容量的存儲(chǔ)卡

在過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間里，存儲(chǔ)卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后，市場(chǎng)上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格”。這背后的原因是什么？正式動(dòng)筆后，我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語(yǔ)能夠講清楚的……ET 會(huì)盡量剝離掉與大家關(guān)系不大的知識(shí)點(diǎn)，大家在閱讀時(shí)也可以忽略括號(hào)和 * 內(nèi)的部分?？破沾鎯?chǔ)卡、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的（即寫
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)卡固態(tài)硬盤閃存

西門子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測(cè)試性設(shè)計(jì)

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）。隨著市場(chǎng)對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是，這種做法為芯片測(cè)試帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測(cè)試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
關(guān)鍵字：西門子 2.5D 3D 可測(cè)試性設(shè)計(jì)

高手在民間世界技能大賽特別賽中國(guó)已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國(guó)賽區(qū)閉幕式舉行，中國(guó)6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國(guó)賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國(guó)家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國(guó)選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?！　∑渲校瑏?lái)自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌，成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?！　?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在這兩個(gè)項(xiàng)目上
關(guān)鍵字：世界技能大賽 3D 云計(jì)算

AOI+AI+3D 檢測(cè)鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢(shì)，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢(shì)，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測(cè)儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢(shì)，還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
關(guān)鍵字：自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) AOI AI 3D 檢測(cè)鐵三角

西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
關(guān)鍵字：西門子聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程

三星電子236層NAND閃存預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子，預(yù)計(jì)會(huì)在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國(guó)媒體在報(bào)道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國(guó)媒體的報(bào)道來(lái)看，三星電子對(duì)即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們?cè)趫?bào)道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存

金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品

中關(guān)村在線消息，金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì)，能夠在收納時(shí)更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
關(guān)鍵字：金士頓閃存 USB 3.2 Gen 2

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND