2nm soc 文章最新資訊

據(jù)報道，華為 Mate 80 將搭載麒麟 9030 芯片，性能提升 20%，傳聞將延續(xù) 7nm 工藝

華為下一代旗艦智能手機(jī) Mate 80 預(yù)計(jì)將在第四季度發(fā)布，所有人的目光都聚焦于它將搭載的處理器。但根據(jù) Wccftech 和中國媒體 IC 智能的消息，該設(shè)備傳聞將配備麒麟 9030 芯片，可能延續(xù)其前代產(chǎn)品麒麟 9020 所使用的 7nm 工藝。據(jù)報道，Buzz 稱麒麟 9030 芯片性能將提升 20%，但不確定其與哪款早期芯片進(jìn)行了對比。Wccftech 指出，如果它仍然采用 7 納米工藝，那么這樣的提升在沒有升級光刻技術(shù)的情況下將是一個顯著的飛躍。根據(jù)華為中央報道，
關(guān)鍵字：華為麒麟 SoC Mate 80

晶圓代工復(fù)蘇勢頭強(qiáng)勁三星接近與高通2nm合作

根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)邁出了重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題，并失去了臺積電的關(guān)鍵客戶。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2nm 技術(shù)對多款芯片進(jìn)行量產(chǎn)測試，包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體?；景姹绢A(yù)計(jì)將由臺積電使用其 3nm 工藝
關(guān)鍵字：晶圓代工三星高通 2nm

高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工，專供三星Galaxy系列

據(jù)外媒Business Post報道，三星計(jì)劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機(jī)，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺積電獨(dú)家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設(shè)備定制。報道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調(diào)整，計(jì)劃為新一代驍龍旗艦手機(jī)芯片開發(fā)兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程，供
關(guān)鍵字：高通驍龍三星 2nm Galaxy

三星接近與高通達(dá)成2納米代工協(xié)議，隨著晶圓代工業(yè)務(wù)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)

根據(jù)韓國媒體 Business Post 的報道，三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發(fā)展可能標(biāo)志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業(yè)務(wù)復(fù)蘇的重要一步，該業(yè)務(wù)一直面臨持續(xù)的良率問題和關(guān)鍵客戶流失給臺積電的情況。據(jù)報道，高通正在使用三星的 2 納米技術(shù)對數(shù)款芯片進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)測試，包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”，將提供兩種變體?；A(chǔ)版本預(yù)計(jì)將由臺積電使用其 3 納米工藝生產(chǎn)，而高端版“Kaanapali
關(guān)鍵字：三星 2nm 晶圓代工

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進(jìn)，2028-29前不太可能實(shí)現(xiàn)1.4nm

據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當(dāng)前先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，雖然沒有給出修改后的時間表，但該報告表明，三星的 1.4nm 生產(chǎn)現(xiàn)在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據(jù) ZDNet 稱，該更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)）論壇 2025”期間發(fā)布的。據(jù)報道，在此次活動中，三星透
關(guān)鍵字：三星 2nm 4nm 1.4nm

Q1手機(jī)SoC市占聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居冠

智能手機(jī)處理器將要邁入新世代，研調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint指出，隨著生成式AI手機(jī)快速普及，對高效能與低功耗的需求水漲船高，至2026年全球?qū)⒂屑s三分之一智慧型手機(jī)SoC采用3納米或2納米先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。另一方面，蘋果全新基礎(chǔ)模型框架將允許第三方開發(fā)者允許存取蘋果所內(nèi)建的LLM，在App中整合蘋果AI，外界解讀是擴(kuò)大蘋果AI生態(tài)系的重要進(jìn)展，安卓陣營包括聯(lián)發(fā)科（2454）、高通嚴(yán)陣以待。今年第一季手機(jī)SoC（系統(tǒng)單晶片）市場，聯(lián)發(fā)科以36%市占領(lǐng)先高通28%，蘋果則以17%排名第三; Counterpo
關(guān)鍵字：手機(jī) SoC 聯(lián)發(fā)科

三星推動2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應(yīng)晶體管

市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計(jì)劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱，商業(yè)時報報道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應(yīng)晶體管節(jié)點(diǎn)相當(dāng)，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強(qiáng)大的 3 納米鰭式場效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。同時，臺積電繼續(xù)擴(kuò)展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報告指出，這些節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將仍然是主要客戶的首選。
關(guān)鍵字：三星臺積電 2nm 制程工藝

2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
關(guān)鍵字：制程 2nm 三星臺積電

下半年，2nm競爭升溫

三強(qiáng)蓄勢待發(fā)。
關(guān)鍵字： 2nm 18A

英偉達(dá)Arm PC芯片亮相即巔峰？

一塊搭載了英偉達(dá)N1X處理器的惠普開發(fā)板（HP 83A3）在Geekbench上亮相。在Geekbench的測試中，運(yùn)行Linux（Ubuntu 24.04.1）的N1X處理器在單核測試中獲得了3096分，在多核測試中獲得了18837分，平均頻率為4GHz。數(shù)據(jù)顯示這款處理器為20線程配置，由于Arm通常沒有像英特爾那樣的超線程技術(shù)，因此很可能是20個物理核心，類似于英偉達(dá)迷你超算所搭載的GB10。同時，該開發(fā)板可能配備128GB系統(tǒng)內(nèi)存，其中8GB預(yù)留給GPU。其性能已經(jīng)接近甚至超過了當(dāng)前市場上的一些頂
關(guān)鍵字：英偉達(dá) Arm PC 芯片 SoC 處理器聯(lián)發(fā)科

臺積電2nm良率曝光

在技術(shù)驅(qū)動型產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺積電（TSMC）正式啟動2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報價高達(dá)3萬美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數(shù)據(jù)顯示，得益于存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險試產(chǎn)以來，良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節(jié)點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)看，良率爬坡是一大挑戰(zhàn)。但憑借3nm節(jié)點(diǎn)200萬片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將2nm工藝開發(fā)周期壓縮至18個月，良率僅用9個月便從30%提升至60%，
關(guān)鍵字：臺積電 2nm AI 蘋果晶圓

臺積電 2 納米晶圓價格達(dá)到 3 萬美元，據(jù)報道 SRAM 的良率達(dá)到了 90%

臺積電在過去幾年中穩(wěn)步提高其最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的價格——如此之高，以至于一項(xiàng)分析表明，晶體管成本在十多年里沒有下降。進(jìn)一步的價格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開發(fā)成本推動，正在強(qiáng)化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀念?！渡虡I(yè)時報》報道，臺積電即將推出的 N2 2 納米半導(dǎo)體每片晶圓將售價 3 萬美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來的節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺積電通過指出建造 2 納米晶圓廠的巨大成本來為其價格上漲辯護(hù)，這些成本最高可達(dá) 7.25 億美元。根
關(guān)鍵字：臺積電 2nm

下一個「芯片金礦」，玩家已就位

當(dāng)夕陽的余暉透過 1950 年紐約的玻璃窗，灑在阿西莫夫伏案疾書的稿紙上。在發(fā)表《我，機(jī)器人》的那個遙遠(yuǎn)的下午，這位科幻巨匠或許未曾料到，自己筆下那些擁有自我意識的機(jī)器人，正以另一種形態(tài)叩擊著人類文明的邊界?！钢悄苎坨R，將會是遠(yuǎn)超 VR 的產(chǎn)品?！筂eta 創(chuàng)始人扎克伯格在日前的一次訪談中篤定。Meta 的一季度財(cái)報也證實(shí)了扎克伯格的觀點(diǎn)，公司表示 Ray-Ban Meta AI 眼鏡月活躍用戶是一年前的 4 倍多。一場關(guān)于人機(jī)交互的革命，在鏡片的方寸之間展開。等待一陣風(fēng)AI 眼鏡的火
關(guān)鍵字： SoC

北航研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)混合隨機(jī)計(jì)算 SoC 芯片

據(jù)《光明日報》報道，由北京航空航天大學(xué)（Beijing Aeronautics University，BUAA）電子與信息工程學(xué)院李洪革教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)了一款開創(chuàng)性的計(jì)算芯片——混合隨機(jī)計(jì)算 SoC 芯片。該芯片基于完全自主研發(fā)的開源 RISC-V 架構(gòu)，容錯能力強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)、能效高。它引入了數(shù)字表示（重新定義二進(jìn)制數(shù)）、計(jì)算算法（內(nèi)存計(jì)算）和異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)（SoC 設(shè)計(jì)）的顛覆性創(chuàng)新。這一成就建立了基于混合隨機(jī)數(shù)的新計(jì)算范式，代表了從數(shù)值系統(tǒng)表示到芯片實(shí)現(xiàn)的原創(chuàng)創(chuàng)新，支撐了中國高性能智能計(jì)算
關(guān)鍵字： BUAA 混合隨機(jī)計(jì)算 SoC 北航

傳臺積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用

據(jù)《商業(yè)時報》報道，隨著臺積電準(zhǔn)備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據(jù)報道，2nm 晶圓價格已達(dá)到每單位 30,000 美元，未來節(jié)點(diǎn)的價格可能會飆升至 45,000 美元。報告補(bǔ)充說，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來 2 年內(nèi)效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節(jié)點(diǎn)。商業(yè)時報援引供應(yīng)鏈消息人士的話說，開發(fā)單個 2nm 芯片——從項(xiàng)目啟動到最終輸出——成本高達(dá) 7.25 億美元。盡管如此，頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
關(guān)鍵字：臺積電 2nm 晶圓 CSP