碳化硅 文章 最新資訊
天岳先進上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P注。近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進入新的發(fā)展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
- 關鍵字： 天岳先進 碳化硅
ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠
- 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當?shù)貢r間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿負荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
- 關鍵字： ST 意大利 碳化硅
布局海外市場，兩家半導體企業(yè)開展合作
- 根據(jù)合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅(qū)動技術及衍生產(chǎn)品的高新技術企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
- 關鍵字： 碳化硅 化合物半導體
這家GaN外延工廠開業(yè)!
- 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。據(jù)悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
- 關鍵字： 碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
安森美2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動
- 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現(xiàn)應用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
- 關鍵字： 安森美 碳化硅 功率解決方案
碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座
- 隨著人工智能技術的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術融入業(yè)務流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領域，人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關鍵業(yè)務打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座，讓數(shù)字機臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
- 關鍵字： 碳化硅 浪潮信息 MES 核心數(shù)據(jù)底座
Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)
- 電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
- 關鍵字： BMS 電動汽車 碳化硅 Power Integrations
全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
- 關鍵字： 碳化硅 SiC MOSFET
華泰證券：先進封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會
- 華泰證券發(fā)布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上，華泰證券與數(shù)十家國內(nèi)外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動先進封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。 華泰證券主要觀點如下：
- 關鍵字： 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進封裝
意法半導體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務器電源供應器設計及應用
- 服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數(shù)位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數(shù)位服務的需求持續(xù)成長，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
- 關鍵字： 意法半導體 碳化硅 數(shù)字電源 數(shù)位電源 電源 肯微
總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂
- 據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術引領者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動具有重要
- 關鍵字： Wolfspeed 碳化硅
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現(xiàn)
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質(zhì)
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