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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          碳化硅 文章 最新資訊

          保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

          • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件,比如 SiC,對提高能效至關(guān)重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言,建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  

          國內(nèi)8英寸碳化硅加速布局!

          • 近期,三安半導體發(fā)布消息稱,公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外,三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示,展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產(chǎn)品參數(shù)后,表示已經(jīng)確認采購意向。圖:三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司,主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計、制造及服務,目前建立具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
          • 關(guān)鍵字: 8英寸  碳化硅  

          從硅到碳化硅,更高能效是功率器件始終的追求

          • 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起,在可預見的未來里,電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而,隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升,每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國,根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù),2022年全社會用電量86,372億千瓦時,同比增長3.6%;其中,高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面,用電量大幅增長71.1%。圖1:全社會用電量統(tǒng)計(圖源:貿(mào)澤電子)各行業(yè)電氣化進程逐漸深入后,我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題,那就是節(jié)能。當前,任何一種用電設(shè)備在設(shè)計之初,都會將高能效和低能
          • 關(guān)鍵字: Mouser  碳化硅  功率器件  

          碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨

          • 隨著碳化硅(SiC)在電動汽車、新能源等領(lǐng)域的應用日益廣泛,市場需求不斷增長。近期,一批碳化硅項目集中開工,部分公司接到批量訂單,推動了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日報》記者介紹,碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來,我國在碳化硅領(lǐng)域的研究和應用取得快速發(fā)展,一些項目已經(jīng)落地實施。例如,在新能源汽車的高壓充電技術(shù)方面,碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料,其需求正日益增長。“碳化硅作為一種優(yōu)良的半導體材料,具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點,是實現(xiàn)高壓快充技
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源  

          碳化硅熱度,只增不減

          • 在半導體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升,以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產(chǎn)能,并且在未來的五年里,它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動作中也可窺見一二。國內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構(gòu)的青睞,相繼宣布完成融資,行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元,數(shù)量達到 15 起。2022 年也是碳化
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

          安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價值超10億美元

          • 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克股票代碼:ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner,紐約證交所股票代碼:BWA),擴大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來,雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作,其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
          • 關(guān)鍵字: 安森美  博格華納  碳化硅  

          碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

          • 全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。如今,在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅(qū)動下,太陽能、電動汽車 (EV) 基礎(chǔ)設(shè)施和儲能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源??稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應用中部署功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更多機會。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件,可幫助設(shè)計人員平衡四大性能指標:效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統(tǒng)基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)
          • 關(guān)鍵字: TI  碳化硅  

          具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)

          • 碳化硅(SiC)技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等技術(shù)具有更多優(yōu)勢,包括更高的開關(guān)頻率,更低的工作溫度,更高的電流和電壓容量,以及更低的損耗,進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)(ESS)上的應用,以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術(shù)當前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當成熟,可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應用范圍中,影響了能源、工業(yè)和汽車等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運作時的溫度較低,及較小的
          • 關(guān)鍵字: 艾睿電子  碳化硅  

          228億涌入國內(nèi)碳化硅賽道

          意法半導體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠

          • ·? ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠,進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)·? ?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應用對意法半導體 SiC器件日益增長的需求·? ?三安光電還將單獨建造一個8英寸 SiC襯底制造廠,以滿足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日,中國 -- 服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:ST
          • 關(guān)鍵字: 意法半導體  三安光電  碳化硅  

          緯湃科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長期供應協(xié)議

          • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元(17.5億歐元)的碳化硅(SiC)產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資,獲得這一關(guān)鍵的半導體技術(shù),以實現(xiàn)電氣化的強勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外,兩家公司還將在進一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達成合作?2023年
          • 關(guān)鍵字: 緯湃  安森美  碳化硅  SiC  

          中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

          • 近日,中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會認為,該項目技術(shù)難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術(shù)達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù),貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺,國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
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          碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進

          • 近期,一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報道,日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中,瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出,按照計劃,瑞薩電子擬在目
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          英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

          • 近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱,讓半導體供應上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經(jīng)驗,逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點,正在SiC使用量增大的階段,卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素,目前前道是最大的瓶頸,特別是前道的“最前端” ,SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題,作為功率半導體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢?一方面,英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動其碳化硅(SiC)供應商體系多元化,保
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          碳化硅功率器件的應用機會及未來

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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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