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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          碳化硅 文章 最新資訊

          特斯拉要削減碳化硅使用量,相關芯片制造商股價應聲下跌

          • 3 月 3 日消息,美國電動汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動上表示,計劃減少下一代電動汽車動力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量,當?shù)貢r間周四相關芯片制造商的股價紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動討論的一個主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動力系統(tǒng)工程負責人科林?坎貝爾(Colin Campbell)登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時降低汽車動力系統(tǒng)的成本??藏悹柾嘎?,“在我們的下一代動力系統(tǒng)中,作為關鍵部件的碳化硅晶體管價格昂貴,但我們找到了一種方法,可以在不影響汽車性能或效率的情況下
          • 關鍵字: 特斯拉  碳化硅  

          碳化硅如何革新電氣化趨勢

          • 在相當長的一段時間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料,它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體:將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?,器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作,而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性,所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用,例如電源、純
          • 關鍵字: 安森美  碳化硅  

          英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

          • 日前,英飛凌科技繼續(xù)擴大了與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC材料,協(xié)議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
          • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  

          英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

          • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
          • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

          Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

          • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點包括可大幅提高效率和高溫可靠
          • 關鍵字: Diodes  碳化硅  肖特基勢壘二極管  SBD  

          Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同發(fā)展未來碳化硅半導體項目

          • ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯(lián)合研發(fā)中心,旨在進一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資,以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅(SiC)技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實驗室,共同推動碳化硅系統(tǒng)和器件技術在出行、工業(yè)和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
          • 關鍵字: Wolfspeed  采埃孚  碳化硅  

          Wolfspeed 宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的碳化硅器件制造工廠

          • ?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠,采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代碳化硅器件?!??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局,將支持不斷加速中的客戶需求,同時也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長期營收展望。·??????? 將成為公司先前宣布的 6
          • 關鍵字: Wolfspeed  碳化硅  制造工廠  

          安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議,進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系

          • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
          • 關鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  

          重視汽車應用市場 ST持續(xù)加速碳化硅擴產(chǎn)

          • 意法半導體(ST)是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導體公司,尤其汽車更是ST非常重視的市場之一。 意法半導體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務開發(fā)負責人Luca SARICA指出,2022年車用和離散組件產(chǎn)品部(ADG)占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達到43.5億美元,而若與2022年相比,車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當顯著,達30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導體大部分的車用產(chǎn)品,非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應用。 圖一 : ADG營運策略ADG
          • 關鍵字: 汽車  ST  碳化硅  

          英飛凌與Resonac于碳化硅材料領域展開多年期供應及合作協(xié)議

          • 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關系,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協(xié)議,以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據(jù)合約內(nèi)容,Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓,并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓,英飛凌亦將提供 Resonac 關于 SiC 材料技術的智財 (IP)。雙
          • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  

          碳化硅MOSFET尖峰的抑制

          • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比,SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是,由于開關的時候電壓和電流的急劇變化,器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視,導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格,那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中,針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
          • 關鍵字: Arrow  碳化硅  MOSFET  

          安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領先業(yè)界的高能效

          • 2023年1月4日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供可靠、高能效的性能,并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領域的領導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
          • 關鍵字: 安森美  EliteSiC  碳化硅  

          轉(zhuǎn)型中的安森美:整合提升智能水平,打造價值導向解決方案

          • 安森美在過去的兩年間通過成功的轉(zhuǎn)型之旅,實現(xiàn)了業(yè)績和利潤的雙豐收。在轉(zhuǎn)型路上公司又有哪些關鍵技術和策略的調(diào)整呢?帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術支柱的創(chuàng)新支持和打造可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng),這是驅(qū)動安森美投資的主要動力,也是企業(yè)職責所在。
          • 關鍵字: 202212  安森美  碳化硅  

          10分鐘狂充80%電量!東風碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

          • 近日消息,從東風汽車官方獲悉,東風碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風自主新能源乘用車,實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設計和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代,從而實現(xiàn)10分鐘充電80%,并進一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時,總投資2.8億元的功率模塊二期項
          • 關鍵字: 東風  碳化硅  功率模塊  IGBT  

          國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線:可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等

          • IT之家 12 月 12 日消息,國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術,全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”,可應用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。面向儲能逆變器市場,國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能,提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率,降低了開關損耗和導通損耗,減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝,半橋拓撲
          • 關鍵字: 國星光電  碳化硅  NS62m  MOSFET  
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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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