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	碳化硅
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅 文章
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          印度芯片制造商宣布收購碳化硅相關廠商
          
                                                            
            
                    	
          • 據外媒報道，8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene 
Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics 
Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan 
Young表示，此次收購補充了Polymatech的尖端產品組合，并推動了新產品的開發(fā)。資料顯示，Nisene自20世紀70
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          • 關鍵字：
                        印度  碳化硅                          
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          英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式?！? ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。●? ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。●? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  碳化硅  晶圓廠                          
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          英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  碳化硅  功率器件                          
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          碳化硅半導體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術
          
                                                            
            
                    	
          • 毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統(tǒng)產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運行。為了進一步推動這些可持續(xù)解決方案，
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          • 關鍵字：
                        安森美  碳化硅                          
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          碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
          
                                                            
            
                    	
          • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2060

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          • 關鍵字：
                        碳化硅                          
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          安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進電氣化轉型
          
                                                            
            
                    	
          • 新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產品 ? ? ?面對不斷升級
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          • 關鍵字：
                        安森美  碳化硅  電氣化轉型                          
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          環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
          
                                                            
            
                    	
          • 當地時間7月17日，美國商務部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
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          • 關鍵字：
                        環(huán)球晶圓  晶圓廠  碳化硅                          
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          基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 引言：隨著新能源汽車產業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結技術已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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          • 關鍵字：
                        基本半導體  銅燒結  碳化硅  功率模塊                          
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          碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠
          
                                                            
            
                    	
          • 作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、通信雷達和航空航天等領域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產業(yè)鏈上，關鍵部分主要集中
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          • 關鍵字：
                        碳化硅                          
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          碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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          • 關鍵字：
                        202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏                          
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          成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術
          
                                                            
            
                    	
          • 據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優(yōu)勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產出了6
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          • 關鍵字：
                        碳化硅  襯底                          
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          ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸
          
                                                            
            
                    	
          • 6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸?！彪S著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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          • 關鍵字：
                        碳化硅  意法半導體                          
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          安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產，供應先進功率半導體
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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          • 關鍵字：
                        安森美  碳化硅  功率半導體                          
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          一文了解SiC MOS的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOS  碳化硅  MOSFET                          
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          電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
          
                                                            
            
                    	
          • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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          • 關鍵字：
                        電驅逆變器  碳化硅  電動汽車  大功率                          
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          碳化硅介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。

 
發(fā)現
愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。

 
性質
碳化硅至少有70種		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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       	          						碳化硅   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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