封裝文章最新資訊

TI推出適于高精度工業(yè)放大器新型4mmx4mm DFN封裝

2005 年 4 月 21 日，北京訊　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款來(lái)自其 Burr-Brown 產(chǎn)品線、采用新型 4mm x 4mm DFN 封裝的高精度放大器 — OPA277。該產(chǎn)品擁有卓越的失調(diào)、漂移及噪聲等綜合特性。該款無(wú)引線的準(zhǔn)芯片級(jí)封裝 (near-chip-scale package) 厚度不足1mm，采用僅與兩側(cè)接觸的方式，從而實(shí)現(xiàn)了板級(jí)空間的最小化，并通過(guò)外露的裸片焊盤(pán)極大增強(qiáng)了散熱特性。采用標(biāo)準(zhǔn)的 PCB 裝配技術(shù)我們很容易進(jìn)行 DFN 封裝的貼裝。（更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L
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IC封裝設(shè)計(jì)極大影響信號(hào)完整性

IC器件的封裝不是一個(gè)在IC芯片和外部之間的透明連接，所有封裝都會(huì)影響IC的電性能。由于系統(tǒng)頻率和邊緣速率的增加，封裝影響變得更加重要。在兩種不同封裝中的同樣IC，具有兩種完全不同的性能特性。這些電性能以寄生器件的形式出現(xiàn)，包括連線或引線之間的電容耦合、電感和電阻值。封裝的布局和結(jié)構(gòu)確定了寄生器件的值，這些值在IC整體性能上有重要影響。信號(hào)中由封裝導(dǎo)致的寄生參數(shù)的影響包括接地反彈和噪聲、傳播延遲、邊緣速率、頻率響應(yīng)和輸出引線時(shí)滯。目前有朝著更小的CSP封裝發(fā)展的趨勢(shì)，例如DQFN封裝。其他封裝設(shè)計(jì)正在經(jīng)歷
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可以解決眾多封裝難題的CSP-ASIP

無(wú)線手持設(shè)備、掌上電腦以及其他移動(dòng)電子設(shè)備的增加導(dǎo)致了消費(fèi)者對(duì)各種小外形、特征豐富產(chǎn)品的需要。為了滿足越來(lái)越小的器件同時(shí)具有更多功能的市場(chǎng)趨勢(shì)和移動(dòng)設(shè)計(jì)要求，業(yè)界開(kāi)發(fā)了芯片級(jí)封裝(CSP)形式的特定應(yīng)用集成無(wú)源(ASIP)陣列或集成無(wú)源器件(IPD)。某種程度上，CSP是一種“沒(méi)有封裝體”的產(chǎn)品，芯片就是它的封裝體。CSP-ASIP可以在目前許多無(wú)線手持設(shè)備中找到，掌上電腦、移動(dòng)消費(fèi)類電子產(chǎn)品也已經(jīng)采用這些新的設(shè)計(jì)。一些半導(dǎo)體供應(yīng)商采用CSP技術(shù)制造ASIP，從如何包裝芯片的角度來(lái)看，CSP技術(shù)與傳統(tǒng)的標(biāo)
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東芝推出兩款無(wú)引腳封裝型2比特單向電平變換IC

東芝公司開(kāi)發(fā)出采用超小型封裝的低電壓低消耗電流的單向電平變換IC——TC7WP3125FC/FK和TC7WPN3125FC/FK，適用于手機(jī)、PDA等小型便攜式設(shè)備。東芝的這兩款I(lǐng)C工作電壓范圍從3.6V到1.1V，可在電源電壓不同的2個(gè)系統(tǒng)之間進(jìn)行電平變換。它們采用無(wú)法輸出狀態(tài)時(shí)切斷內(nèi)部電路的電路結(jié)構(gòu)，在無(wú)法輸出時(shí)，使電流消耗接近0mA，從而有效降低電流消耗。新器件采用CST8 (1.45
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凌特采用 MSOP 封裝的500kHz、1.4A（IOUT）36V 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌特公司（Linear Technology）推出具有內(nèi)部 1.9A 電源開(kāi)關(guān)的電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT1936，該器件采用纖巧 8 引線耐熱增強(qiáng)型 MSOP 封裝。LT1936 的 3.6V 至 36V 寬輸入范圍使之非常適用于調(diào)節(jié)來(lái)自多種來(lái)源的電源，如未穩(wěn)壓的墻上變壓器、24V 工業(yè)電源和汽車(chē)電池等。就汽車(chē)應(yīng)用而言，器件能夠在低于 4V 的輸入條件下輕松操作，這是汽車(chē)“冷車(chē)發(fā)動(dòng)”時(shí)所要求的。其 500kHz 工作頻率允許使用微小的低成本電感器和陶瓷電容器，從而產(chǎn)生小的可預(yù)測(cè)輸
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用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端的雙輸出、兩相、無(wú)檢測(cè)電阻型同步控制器采用4mm x 4mm DFN 封裝

凌特公司（Linear Technology）推出用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器 LTC3776。該控制器的第二輸出（VTT）可將其輸出電壓穩(wěn)定在 1/2 VREF（通常是 VDDQ），同時(shí)可對(duì)稱地提供或吸收輸出電流。LTC3776 采用 2.75V 至 9.8V 輸入工作，能在無(wú)需任何外部偏置情況下采用 3.3V 輸入電壓軌工作。無(wú)檢測(cè)電阻（No RSENSETM）、恒定頻率、電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測(cè)電阻的需要，并提高了效率。兩個(gè)控制器異相工作最大限度地降低了
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意法半導(dǎo)體（ST）在多片封裝內(nèi)組裝8顆裸片

2005年4月4日存儲(chǔ)器和微控制器多片封裝技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體日前宣布該公司已開(kāi)發(fā)出能夠疊裝多達(dá)8顆存儲(chǔ)器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術(shù)，這項(xiàng)封裝技術(shù)還可以將兩個(gè)存儲(chǔ)器芯片組裝在一個(gè)厚度僅為0.8mm的超薄細(xì)節(jié)距BGA封裝（UFBGA）內(nèi)，采用這項(xiàng)制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲(chǔ)需求。 ST的多片封裝（MCP）器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲(chǔ)芯片，如SRAM、閃
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Siliconix與ST達(dá)成雙面冷卻型MOSFET封裝技術(shù)許可協(xié)議

2005年3月10日意法半導(dǎo)體與Siliconix宣布達(dá)成一項(xiàng)許可協(xié)議，Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術(shù)的許可使用權(quán)，這項(xiàng)技術(shù)使用強(qiáng)制性空氣冷卻方法，系統(tǒng)頂端與底部設(shè)有散熱通道，從而使封裝具有更加優(yōu)異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（紐約證券交易所：VSH）持有80.4%股權(quán)的子公司。 Siliconix提供給ST的新封裝命名為Polar
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安森美半導(dǎo)體在便攜式應(yīng)用的分立元件封裝小型化方面領(lǐng)先業(yè)界

2005年4月13日為滿足便攜式產(chǎn)品行業(yè)對(duì)分立元件封裝進(jìn)一步小型化的需求，安森美半導(dǎo)體推出50多種SOT-723 平引腳封裝的小信號(hào)晶體管和小信號(hào)二極管。這新型封裝僅利用1.44 mm2的印刷電路板(PCB)面積，可提高硅與封裝之比率，并提供卓越的功耗性能。安森美半導(dǎo)體小信號(hào)產(chǎn)品總經(jīng)理馬文樂(lè)(Mamoon Rashid)說(shuō)，“安森美半導(dǎo)體擁有最廣泛的先進(jìn)技術(shù)，將提供采用SOT-723封裝的小信號(hào)器件
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中芯國(guó)際擬與新加坡公司在成都建封裝測(cè)試廠

中芯國(guó)際(0981.HK)日前宣布將與合作伙伴在四川成都成立集成電路封裝測(cè)試廠，業(yè)界猜測(cè)該合作伙伴可能是新加坡聯(lián)合測(cè)試與裝配中心公司(UTAC)，但雙方均不就此事置評(píng)。UTAC發(fā)言人表示，現(xiàn)階段不作評(píng)論，也不會(huì)猜測(cè)任何市場(chǎng)傳言。　　中芯國(guó)際總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)張汝京上周在分析員電話會(huì)議沒(méi)透露合營(yíng)伙伴的名稱，只表示，待4月正式簽訂合作協(xié)議后，最快5月向外公布。他指出，集團(tuán)將持有該座集成電路封裝測(cè)試廠的控股權(quán)，新廠房已于去年底動(dòng)工，預(yù)計(jì)今年9月遷入生
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LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達(dá) 100V 輸入電壓

凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機(jī)狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長(zhǎng)工作時(shí)間并由電池供電的存儲(chǔ)器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms 的 100V 輸入瞬態(tài)電壓，是電信和汽車(chē)應(yīng)用
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DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達(dá)100V輸入電壓

　2005 年 4 月 5 日凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機(jī)狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長(zhǎng)工作時(shí)間并由電池供電的存儲(chǔ)器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz至1MHz硅振蕩器

凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設(shè)備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無(wú)需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問(wèn)題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節(jié)省功率的便攜式設(shè)備。LTC
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz 至1MHz硅振蕩器

　　凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設(shè)備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無(wú)需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。　　與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問(wèn)題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節(jié)省功率的便攜式
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鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案

2004年10月B版簡(jiǎn)介利用最先進(jìn)的材料設(shè)計(jì)低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導(dǎo)體系統(tǒng)是不現(xiàn)實(shí)的。為了保證此類設(shè)備的可靠性，需要電子封裝和襯底熱管理解決方案，因此工程師需要既能夠提供熱管理特性，同時(shí)又能夠在更小型的設(shè)計(jì)中達(dá)到最優(yōu)功率密度的材料。要低成本生產(chǎn)此類材料需要滿足封裝設(shè)計(jì)功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復(fù)合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經(jīng)濟(jì)的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導(dǎo)率(~200 W/mK)以及可調(diào)的低熱膨脹系數(shù)(CTE)。對(duì)于需要減輕重量以及需要耐
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問(wèn)級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]