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          三星 文章 最新資訊

          三星將于二季度恢復泰勒的潔凈室工作;2 納米刀具計劃 2026 年進場

          • 據(jù)報道,三星正在加緊為其美國代工廠的生產(chǎn)做準備。據(jù)韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱,該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設備的計劃。該報告指出,經(jīng)過幾次延誤,三星于 2025 年第二季度恢復了泰勒工廠的潔凈室建設。據(jù)報道,一旦潔凈室完工,該公司正計劃引入相關(guān)設備以開始設置生產(chǎn)線。值得注意的是,由于這將是初始生產(chǎn)線,因此預計投資規(guī)模將相對適中。據(jù)韓國媒體 The Elec 報道,當三星于 2021 年底首
          • 關(guān)鍵字: 三星  泰勒  2 納米  

          如果美國撤銷芯片工具豁免:解析臺積電、三星和 SK 海力士的中國業(yè)務

          • 據(jù)路透社報道,美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證,此舉可能會給它們在中國大陸的業(yè)務制造新的障礙。
          • 關(guān)鍵字: 芯片工具豁免  臺積電  三星  SK海力士  

          SK 海力士據(jù)報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E,三星則與 HBM4 保持差距

          • 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā),試圖在 HBM4 競爭中奪回失地,當前領(lǐng)導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟日報 》報道,其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示,SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶,使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是,SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM,報道補充說,英偉達緊張的生產(chǎn)進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
          • 關(guān)鍵字: 三星  海力士  英偉達  HBM4E  

          據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%,為年底推出 HBM4 鋪平道路

          • 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上,據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道,該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM(1c DRAM)晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是,與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同,三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高,該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模,根據(jù)
          • 關(guān)鍵字: 三星  HBM  存儲  

          三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估,傳輸帶寬達24Gbpsv

          • 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道,三星電子近期在高性能計算(HPC)和人工智能(AI)領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估,傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯?;ヂ?lián)技術(shù)上的顯著進展。UCIe(統(tǒng)一芯?;ヂ?lián)接口)是一種通用的芯?;ヂ?lián)標準,能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信,從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化,以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行,表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
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          中韓顯示面板廠商再起訴訟

          • 就在三星顯示(Samsung Display)近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際,韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示(LG Display,LGD)也在2025年6月13日,向美國德州東區(qū)地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發(fā)起了專利侵權(quán)損害賠償和陪審團審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同,此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板,尤其是應用在目前汽車行業(yè),此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項美國專利:US8,416,166(
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          2納米芯片制造激烈競爭:良率差距顯著

          • 在持續(xù)進行的半導體行業(yè)競爭中,臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報道,兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而,由于良率優(yōu)勢,臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單,預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標志著該公司首次采用環(huán)繞柵極(GAA)架構(gòu)。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能,降低 25%至 30%的功耗,并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
          • 關(guān)鍵字: 制程  2nm  三星  臺積電  

          Cadence 和三星將人工智能應用于 SoC、3D-IC 和芯片設計

          • Cadence 和三星晶圓廠擴大了他們的合作,簽訂了一項新的多年 IP 協(xié)議,并在最新的 SF2P 和其他先進工藝節(jié)點上聯(lián)合開發(fā)先進的 AI 驅(qū)動流程。具體來說,這項多年的 IP 協(xié)議將擴展 Cadence 內(nèi)存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進工藝節(jié)點上。通過利用 Cadence 的 AI 驅(qū)動設計技術(shù)和三星的先進 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點,這項合作旨在為 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應用提供高性能、低功耗的解決方案。“我們支持在三
          • 關(guān)鍵字: 三星  CAD  人工智能  芯片設計  

          DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

          • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
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          玻璃基板,陷入白熱化

          • 一塊厚度不足毫米的玻璃板,正引發(fā)英特爾、三星和臺積電之間一場靜悄悄的競賽。
          • 關(guān)鍵字: 三星  玻璃基板  

          據(jù)報道,三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗證中受挫,計劃于九月重新測試

          • 作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關(guān)鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品,據(jù)報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師,該公司現(xiàn)在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證,但該產(chǎn)品仍需進行完整封裝驗證。另一方面,SR Times 建
          • 關(guān)鍵字: 三星  HBM  英偉達  

          據(jù)報道,英偉達和三星支持初創(chuàng)公司 Skild AI 在消費機器人領(lǐng)域的推進

          • 機器人正迅速成為全球科技公司的關(guān)鍵增長領(lǐng)域。根據(jù)彭博社報道,三星和英偉達據(jù)計劃收購 Skild AI 的少數(shù)股權(quán),作為他們加強在消費機器人領(lǐng)域存在感的努力的一部分。據(jù)報道,三星將投資 1000 萬美元給 Skild,而 NVIDIA 據(jù)報道將投資 2500 萬美元,彭博社稱。這筆融資是 Skild B 輪融資的一部分,該輪融資使公司估值約為 45 億美元,據(jù)報道,日本軟銀集團承諾提供 1 億美元的支持。同時,該報告還提到,其他韓國大型企業(yè)——包括 LG、韓華和未來資產(chǎn)——每個都在 Skild 投資了 50
          • 關(guān)鍵字: 三星  機器人  英偉達  

          三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗證中再次失誤,重新測試定于9月進行

          • 隨著美光(爭奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競爭對手)宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品,據(jù)報道,三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報》援引證券分析師的話稱,該公司現(xiàn)在的目標是在 9 月進行重新測試。盡管 Deal Site 此前表示,三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認證,但該產(chǎn)品仍需要進行全封裝驗證。另一方面,SR Times 表示,三星自去年下半年以來一直在提
          • 關(guān)鍵字: 三星  NVIDIA  12-Hi HBM3E  失誤  

          中芯市占率迅速拉近與三星距離 外媒評有望反超

          • 臺積電在全球芯片市場保持主導地位,但三星老二地位岌岌可危,不只追不上臺積電,還面臨來自陸廠中芯國際(SMIC)日益成長的巨大壓力,三星與中芯的市場占有率差距正迅速縮小。 主因中芯受惠本土半導體需求,在7奈米和深紫外線(DUV)曝光機設備也取得進展。根據(jù)外媒wccftech報導,臺積電一直是芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導者,成功關(guān)鍵在于快速導入先進制程技術(shù),是英偉達、蘋果與超威等大客戶的首選伙伴,競爭對手相比之下,創(chuàng)新腳步相當遲緩,未能快速開發(fā)新制程,現(xiàn)有制程節(jié)點也面臨挑戰(zhàn),舉例如三星在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展不佳。報導指出,根據(jù)Tr
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  三星  

          三星將與汽車芯片制造商共同開發(fā)下一代車載半導體技術(shù)

          • 三星電子最近與英飛凌和恩智浦等行業(yè)領(lǐng)導者合作,共同開發(fā)下一代汽車半導體技術(shù)解決方案,旨在滿足未來智能汽車對高性能計算芯片日益增長的需求。隨著自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展,汽車芯片對算力的需求也在激增。利用其在內(nèi)存和處理器技術(shù)方面的優(yōu)勢,三星正在逐步將最初用于移動設備的先進工藝技術(shù)逐步引入汽車制造領(lǐng)域。合作集中在幾個關(guān)鍵領(lǐng)域:基于 5nm 工藝技術(shù)的汽車級處理器的開發(fā)、內(nèi)存和處理器的優(yōu)化協(xié)同設計、增強極端溫度條件下的芯片穩(wěn)定性,以及改進的實時處理能力和安全功能。值得注意的是,這些新開發(fā)的芯片將支持尖端的神經(jīng)處理單
          • 關(guān)鍵字: 三星  英飛凌  恩智浦  下一代  車載半導體  
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          三星介紹

           韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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