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該存算一體宏芯片在 28nm CMOS 工藝下流片, 可支持 BF16、FP8 浮點精度運算以及 INT8、INT4 定點精度運算。......
當(dāng)?shù)貢r間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務(wù)的分拆計劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務(wù)將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，......
據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便......
據(jù)韓媒報道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今......
半導(dǎo)體周要聞（2025-2-17 to 2025-2-21）1 ) 長鑫存儲DRAM份額將達10%，重塑內(nèi)存格局根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)報道，長鑫存儲的DRAM市場份額從2024年僅為5%到今年將飆升至10%，預(yù)計可與三星電子、S......
2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲技術(shù)的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年......
自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、......
DeepSeek等AI模型驅(qū)動之下，存儲器市場備受青睞。長遠(yuǎn)來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術(shù)升級與產(chǎn)品迭......
大部分人連 PCIe 4.0 都未普及，即使是 PCIe 5.0 的產(chǎn)品也只是少量推出，不過廠商們才不管這些，甚至開始推出 PCIe 6.0 的產(chǎn)品了。例如著名的主控廠商慧榮就已經(jīng)開始為 PCIe 6......
2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透......
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